期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
等离子体刻蚀的数学模型 被引量:2
1
作者 黄光周 周亮笛 +2 位作者 于继荣 杨英杰 郝尧 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期419-422,共4页
介绍了等离子体刻蚀中的三种主要的数学模型 ,即 :物理模型、反应表面模型、神经网络模型。简要地叙述了它们的原理和优缺点。
关键词 数学模型 等离子体刻蚀 物理模型 集成电路制造
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部