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等离子体刻蚀的数学模型
被引量:
2
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作者
黄光周
周亮笛
+2 位作者
于继荣
杨英杰
郝尧
《真空科学与技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第6期419-422,共4页
介绍了等离子体刻蚀中的三种主要的数学模型 ,即 :物理模型、反应表面模型、神经网络模型。简要地叙述了它们的原理和优缺点。
关键词
数学模型
等离子体刻蚀
物理模型
集成电路制造
下载PDF
职称材料
题名
等离子体刻蚀的数学模型
被引量:
2
1
作者
黄光周
周亮笛
于继荣
杨英杰
郝尧
机构
华南理工大学电子与通信工程系
出处
《真空科学与技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第6期419-422,共4页
基金
西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室
国家自然科学基金! (6 97710 15 )
文摘
介绍了等离子体刻蚀中的三种主要的数学模型 ,即 :物理模型、反应表面模型、神经网络模型。简要地叙述了它们的原理和优缺点。
关键词
数学模型
等离子体刻蚀
物理模型
集成电路制造
Keywords
Mathematical model,Plasma etching,Physical model,Response surface model,Neural network model
分类号
TN405.982 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
等离子体刻蚀的数学模型
黄光周
周亮笛
于继荣
杨英杰
郝尧
《真空科学与技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
2
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