抑制GaN基LED发光效率衰减的研究进展

目前蓝宝石衬底氮化镓基发光二极管取得了显著发展,但在通用照明领域中,GaN基LED仍然需要更高的发光效率和光输出功率。提高发光亮度和抑制大电流注入发光效率衰减是当前GaN基LED领域的研究重点。从GaN基LED外延层内部结构即电子发射层、发光复合区量子阱、电子阻挡层方面介绍了近年来提高LED发光亮度和抑制发光效率衰减的最新进展,分析了电子发射层、发光复合区结构、电子阻挡层对LED性能的影响,并展望了其未来的发展趋势。

南宁市某中学学生体质综合评价配对分析

在进行学生体质的全面评价时,除已注意到应包括形态、机能及素质3个方面的指标外,已从过去的单项指标评价发展为综合评价。“中国学生体质综合评价方法研究课题组”(下称课题组)对全国1985年学生体质调查资料研究后提出了一种综合评价方法,作者于1991年10月对南宁某所中学的58名学生,用课题组提出的综合评价方法进行评价,并对评价结果进行了比较分析。现报告于下:

磁控反应溅射AlN缓冲层对GaN基LED器件性能的影响

以直流磁控反应溅射法(RMS)在图形化蓝宝石衬底上制备的AlN薄膜作为缓冲层,采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)外延生长了GaN基LED。与MOCVD生长的低温GaN缓冲层相比,RMS制备的AlN缓冲层具有表面更平整、颗粒更小的形核岛,有利于促进GaN外延的横向生长,减少了形核岛合并时的界面数量和高度差异,降低了缺陷和位错产生的几率。研究结果表明,溅射AlN缓冲层取代传统低温GaN缓冲层后,外延生长的GaN材料具有更高的晶体质量,LED器件在亮度、漏电和抗静电能力等光电特性上均有明显提升。

浅谈体育教学中的思想品德教育

学校体育教学中，必须高度重视对学生进行思想品德教育。体育教师要热爱本职工作，热爱学生，将思想品德教育贯穿于体育教学的全过程，从一点一滴小事做起，并给学生树立榜样。同时，还要密切配合学校教育工作，不断探索教育规律，总结教育经验，坚持不懈地工作，才能取得良好的效果。