LED封装用环氧树脂/环氧倍半硅氧烷杂化材料的研制

以γ-(2,3环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷为原料水解缩聚制备了环氧倍半硅氧烷(SSQ-EP),在此基础上制备了LED封装用透明双酚A型环氧树脂(DGEBA)/SSQ-EP杂化材料。分别采用凝胶渗透色谱仪、傅立叶变换红外光谱仪、阿贝折光仪、紫外-可见分光光度计对SSQ-EP和DGEBA/SSQ-EP杂化材料进行表征。结果表明,当去离子水与γ-(2,3环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷的物质的量之比为1.5时,SSQ-EP的数均相对分子质量最大,为6735;随着DGEBA含量的增大,杂化材料的折射率在1.47～1.53范围内变化,杂化材料固化后由弹性体变为硬树脂;当SSQ-EP与DGEBA的质量比为1:1时,杂化材料的综合性能最佳。

氧化锌纳米线自组装定向生长动力学研究

研究了以极性高分子(如聚丙烯酰胺)长分子链作为自组装网络,利用高分子软模板控制ZnO纳米点成核和ZnO纳米线定向生长,从而使ZnO纳米线在半导体硅衬底上自组装生长的过程;采用差示扫描量热法(DSC)测试了高分子络合-烧结法制备ZnO纳米线的结晶曲线,对其结晶动力学进行了研究,推导出结晶动力学方程为:1-Xt=exp(-7.475×10-2t1.9);并利用热重(TG)测试结果,通过热分解反应,导出了反应动力学方程:dα/dT=3.76×1023e-21340.8/T(1-α)2.8/φ,从而得到了化学反应速度随时间、浓度和温度变化的关系,并用结果解释了实验现象.

聚合物基ZnO纳米线的制备和生长机理研究

采用独特的高分子溶液自组装生长方法,在经化学镀预处理的基底上利用高分子溶液的网络络合效应制备了ZnO纳米线.通过场发射扫描电子显微镜(FE-SEM),X射线能谱仪(EDS)等对样品的表面形貌及组成进行了观测表征.结果显示,纳米线直径约50nm,长度达到了数微米;产物Zn、O化学计量比接近1∶1.通过Si基底经化学镀工艺预处理和未经化学镀预处理对ZnO纳米结构、紫外吸收和PL性能影响的分析比较,发现了化学镀Ni对于纳米线长度和直径尺寸的控制更为有效;在PL图谱中,经化学镀预处理的样品在中心波长385nm出现了由激子碰撞复合所形成的近紫外发光峰.进一步还分析了在不同的pH值和反应时间下样品的紫外吸收和光致发光性能.通过以上实验,讨论并提出了ZnO纳米线的生长机理及过程,认为纳米线的生长是在化学镀催化剂和高分子双重作用下进行的.