硅压力传感器的灵敏度和非线性分析

灵敏度和非线性是表征硅压阻式压力传感器性能的两个最重要参数,这是压力传感器的设计目标.最初出现的硅压阻式压力传感器都采用圆形均厚膜设计。

直流磁控溅射中氩气压力对WSi/GaAs系统的影响

以ＷＳｉ复合材料作为靶源，采用直流磁控溅射工艺成膜，研究了在不同氩气（载能粒子）压力条件下，８００℃、１７ｍｉｎ退火前后ＷＳｉ薄膜及ＷＳｉ／ＧａＡｓ系统的性能。包括用显微照像观察不同氩气压力下淀积膜退火前后表面变化；ＳＥＭ分析系统断面、ＡＥＳ分析膜层与ＧａＡｓ衬底的界面情况；并通过肖特基二极管Ｉ－Ｖ特性的测量研究其整流特性。实验结果表明，在１．３～１．６ｐａ氩气压力下淀积的ＷＳｉ膜层与ＧａＡｓ衬底所构成的系统具有良好的物理、化学和电学性能，能够满足自对准ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的工艺要求。

Si_3N_4／SiO_2辅助介质剥离膜的研究

提出了利用Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２双层介质膜作为ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ（ＭｅｔａｌＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＦｉｅｌｄＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）剥离工艺中的辅助剥离膜．研究结果表明，采用Ｓｉ２Ｎ４／ＳｉＯ２双层介质剥离膜，易于形成倒剪口剖面，金属剥离效果良好，是一种非常有效的辅助剥离膜．

新型薄膜温差电堆红外探测器的研制

介绍一种新设计的薄膜型温差电堆红外探测器．该器件将吸收层与敏感面分两侧，用ＴＯ－５型封装的新结构．采用半导体工艺研制的Φ１型样品，其结集成度达２２个／ｃｍ２，响应率为３０￣５０Ｖ／Ｗ，弛豫时间为７０～１２０ｍｓ，光谱响应范围从紫外到远红外可调（由窗口材料选定）。

等离子增强化学气相淀积硅化钛薄膜的特性

本文以四氯化钛（ＴｉＣｌ４）和硅烷（ＳｉＨ４）为源物质，采用等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）工艺结合常规热退火制备了优良的ＴｉＳｉ２薄膜．研究了淀积和退火条件对薄膜性质的影响．用四探针检测了退火前后薄膜的薄层电阻，用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线衍射分析了薄膜的化学组成和晶体结构．

PECVD法TiSi_2薄膜的制备工艺研究

本文利用PECVD低温淀积台进行TiSi_2薄膜的制备。采用X射线衍射、俄歇分析和扫描电镜等分析手段,对所制备的TiSi_2薄膜及其氧化特性、多层膜结构和刻蚀特性进行了全面的测试分析,证明采用PECVD方法制备TiSi_2薄膜的工艺是完全可行的。

提高砷化镓功率MMIC中电容成品率的研究

金属─绝缘体─金属（ＭＩＭ）电容是影响ＧａＡｓ微波单元集成电路（ＭＭＩＣ）成品率的主要原因之一，ＰＥＣＶＤ氮化硅膜又是影响ＭＩＭ电容质量和成品率的主要因素。本文通过实验和分析，提出了提高氯化硅膜质量和减少薄膜针孔的方法，结果大大提高了ＭＩＭ电容ＧａＡｓＭＭＩＣ的成品率，降低了ＧａＡｓＭＭＩＣ的成本。

量子线电子波导特性的讨论

电子波导器件是今后量子线十分重要的应用领域之一。本文从薛定谔方程出发，得出了有关量子线中传输电子特性的一组约束方程，也即描述量子线电子波导特性的方程组，用数值法求解该隐含方程组，可以得到电子能量Ｅ、传播常数β的关系曲线和量子线结构参数ｄｘ、ｄｙ之间的关系。

PECVD法淀积TiSi_2薄膜性质及应用研究

利用平板电容耦合式PECVD设备淀积TiSi_2薄膜,经800℃,30分钟的扩散炉退火,TiSi_x形成稳定的TiSi_2.用俄歇电子能谱和X射线衍射来监测硅化物的形成.用扫描电子显微镜观察了TiSi_2薄膜的等离子刻蚀情况.分别采用I—V法和C—V法测量了TiSi_2/Si接触的肖特基势垒高度.利用圆形传输线模型外推法求得了TiSi_2/Si引的接触电阻率,这比同样条件下Al/Si的接触电阻率低一个数量级以上.

二硅化钛/硅的肖特基势垒研究

采用PECVD 法淀积的TiSi_2薄膜与硅衬底能形成良好的接触,其肖特基势垒高度经J-V 和C-V法测试得知,分别为0.65eV 和0.58eV.同时经测量得到了较理想的肖特基势垒二极管伏安特性曲线.

气体流量比对PECVD硅化钛薄膜性质的影响

本文报道了以四氯化钛(TiCl_4)和硅烷(SiH_4)为源物质,采用等离子增强化学气相淀积工艺(PECVD)制备硅化钛薄膜的方法;着重研究了气体流量比变化对薄膜电阻率、淀积速率以及化学组成的影响,通过实验获得了制备优良硅化钛薄膜的最佳气流比条件。

Al/TiSi_2/Si系统与肖特基势垒二极管的热稳定性

本文用x射线衍射及I—V测量法研究了Al/TiSi_2/Si系统热稳定性及肖特基势垒特性。热稳定性的研究结果表明;系统在550℃以下退火是热稳定的;在更高的温度下退火,Al开始与TiSi_2起反应,形成了(Ti_7Al_5)Si-(12)三元化合物。在进行电特性研究时,发现系统在450℃退火时,Al已渗透TiSi_2而使肖特基势垒二极管失效。

TiSi_2膜的制备及性质

本文报道了用PECVD法制备硅化钛膜,经750℃、30min退火后,最低电阻率达23.8μΩ·cm。经AES分析表明,退火后硅和钛的组分比为2:1。x射线衍射分析表明,该膜是稳定的TiSi_2结构。

氮化硅-硅界面陷阱的研究

本文对SiH_4-N_2系PECVD氮化硅-硅界面陷阱进行了研究.结果表明:MNS结构的C-V特性有滞后效应,滞后宽度随测试条件而变化;界面陷阱密度随淀积条件变化。

自对准GaAs MESFET的二维数值分析

本文对源漏ｎ＋浅结注入的自对准ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ内部的电位、电场及载流子浓度的稳态分布进行了二维数值分析，分析表明，不同ｎ＋注入深度对器件的特性有一定的影响，当ｎ＋注入深度为有源层厚度的１／４时，畴的体积最小．适当选取ｎ＋区边缘与栅之间的距离可提高器件的击穿电压．

对转换层结构施工技术措施的探讨

本文以某高层建筑工程为实例,对高层建筑转换梁结构施工进行了分析,并提出了相应的措施。

W阻挡层对Al/TiSi_2/Si接触系统热稳定性的影响

用X射线衍射及I—V测量技术研究了W在Al/TiSi_2/Si接触系统中的作用,并与不加W阻挡层的情况作了比较。热稳定性的研究表明:在高达100℃退火时,W阻挡层能够阻止Al与TiSi_2的完全反应。对Al/W/TiSi_2/Si接触二极管的I—V测试表明,在480℃以内退火,势垒高度变化不大。当退火温度达500℃时,Si通过TiSi_2层扩散至W阻挡层而使之失效.

PECVD硅化钛膜的结构分析及其腐蚀特性

本文报道的研究结果表明,PECVD硅化钛膜的组份强烈地依赖于SiH_4/Ar流量比;其结构的稳定性随退火温度和时间的增加而增加;其腐蚀特性及化学稳定性良好。