Rb吸附石墨烯纳米带电子性质和光学性质的研究

本文基于密度泛函理论的第一性原理方法了计算了Rb、O和H吸附石墨烯纳米带的差分电荷密度、能带结构、分波态密度和介电函数,调制了石墨烯纳米带的电子性质和光学性质,给出了不同杂质影响材料光学特性的规律.结果表明本征石墨烯纳米带为n型直接带隙半导体且带隙值为0.639 eV;Rb原子吸附石墨烯纳米带之后变为n型简并直接带隙半导体,带隙值为0.494 eV;Rb和O吸附石墨烯纳米带变为p型简并直接带隙半导体,带隙值增加为0.996 eV;增加H吸附石墨烯纳米带后,半导体类型变为n型直接带隙半导体,且带隙变为0.299 eV,带隙值相对减小,更有利于半导体发光器件制备.吸附Rb、O和H原子后,石墨烯纳米带中电荷密度发生转移,导致C、Rb、O和H之间成键作用显著.吸附Rb之后,在费米能级附近由C-2p、Rb-5s贡献;增加O原子吸附之后,O-2p在费米能级附近贡献非常活跃,C-2p、Rb-5s和O-2p电子态之间强烈的杂化效应,促使费米能级附近的杂质能级分裂成能带;再增加H原子吸附之后,Rb-4p贡献发生蓝移,O-2p在费米能级附近贡献非常强,费米能级分裂出两条能带.Rb、O和H的吸附后,明显调制了石墨烯纳米带的光学性质.

走向中国科幻研究高地——首届成渝双城科幻研究工作坊

2022年7月,首届成渝双城科幻研究工作坊在重庆大学举行。来自成渝两地多所高校的40余位学者齐聚重庆大学人文社会科学高等研究院,汇聚科幻研究新潮:立足史诗维度,讨论科幻与神话的渊源流变;回顾历史维度,钩沉科幻的厚重回响;聚焦现实维度,研讨科幻的实践方式;展望未来维度,想象科幻的可能图景。本次工作坊涵盖文学、语言学、人类学、艺术学、电影学等不同学科,以成渝科幻学术社群的蓬勃姿态尝试开启科幻研究的地方路径,以更广博的世界视野、更深邃的时空维度走向中国科幻研究高地。

SMOORE总部工业园改造

"每个人的心里都有一座仅仅由差异构成的城市。"——卡尔维诺继SMOORE範竹角工业园改造后,厘米制造最近在深圳宝安东财工业区完成了SMOORE总部工业园区设计项目,以及即将完成的流塘工业园,这一系列"都市边园"的工业园区改造建筑是厘米制造过去三年里实践的主要类型。结合近些年对都市边缘更新的探索,在从城中村到城市工厂语境转换中.