间接等离子体聚合制备聚吡咯薄膜

通过吡咯在氩辉光放电气流下游区域的间接等离子体聚合作用制备了聚吡咯薄膜。研究了聚合膜的沉积速率，用ＦＴＩＲ、ＸＰＳ、ＳＥＭ、ＸＲＤ、ＴＥＤ等手段表征了聚合膜的结构和形态。结果表明，聚合膜完整地保留了吡咯单体的共轭结构，显示出较高的导电性，化学掺杂碘以后膜的室温电导率为１０－７～１０－６Ｓ／ｃｍ。

工作气氛和偏压对含铁聚合物杂混薄膜制备的影响

采用等离子体增强金属有机化合物化学气相沉积（ＰＥＭＯＣＶＤ）工艺，在氧化性气氛（Ｏ２）和非氧化性气氛（Ｈ２、Ａｒ）中制备了含铁聚合物杂混薄膜。探讨了工作气氛和偏压对膜密度、沉积速率及其分布的影响。