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IGBT领域结终端技术申请人的专利分析 被引量:1
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作者 周天微 《科学技术创新》 2018年第26期44-45,共2页
结终端技术对于IGBT等高压功率半导体器件有着重要意义,本文主要从该领域的申请人以及重要申请人的技术入手,分析该领域的专利申请状况,并对一些重要技术进行了分析。
关键词 结终端 申请人 重要技术
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超结中国专利技术综述
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作者 周天微 王琳 《电子世界》 2017年第18期73-73,共1页
超结结构突破了传统功率MOS器件的理论极限,被誉为功率MOS器件的里程碑器件。本文对超结领域中国的相关专利技术进行分析,从申请趋势、主要申请人、法律状态、技术效果等多个角度进行深入挖掘,梳理超结技术的现状及发展趋势。
关键词 超结 法律状态 技术效果
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超结领域的全球专利技术分析
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作者 王琳 周天微 《河南科技》 2017年第16期49-51,共3页
超结结构突破了传统功率MOS器件的理论极限,被誉为功率MOS器件的里程碑器件。本文对超结领域全球的相关专利技术进行分析,从申请趋势、区域分布、主要申请人等多个角度进行深入挖掘,梳理超结技术的现状及发展趋势。
关键词 超结 专利分析 技术生命周期
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Enhanced light trapping in periodically truncated cone silicon nanowire structure 被引量:1
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作者 邱凯 左玉华 +4 位作者 周天微 刘智 郑军 李传波 成步文 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2015年第10期69-73,共5页
Light trapping plays an important role in improving the conversion efficiency of thin-film solar cells. The good wideband light trapping is achieved using our periodically truncated cone Si nanowire (NW) structures,... Light trapping plays an important role in improving the conversion efficiency of thin-film solar cells. The good wideband light trapping is achieved using our periodically truncated cone Si nanowire (NW) structures, and their inherent mechanism is analyzed and simulated by FDTD solution software. Ordered cylinder Si NW structure with initial size orS0 nm and length of 200 nm is grown by pattern transfer and selective epitaxial growth. Truncated cone Si NW array is then obtained by thermal oxidation treatment. Its mean reflection in the range of 300-900 nm is lowered to be 5% using 140 nm long truncated cone Si NW structure, compared with that of 20% using cylinder counterparts. It indicates that periodically truncated Si cone structures trap the light efficiently to enhance the light harvesting in a wide spectral range and have the potential application in highly efficient NW solar cells. 展开更多
关键词 silicon film solar cells AAO template NANOWIRES light trapping
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