CMOS工艺制备的高压PMOSFET温度特性研究

采用Cascade探针台与Agilent 4155B参数测试仪测试采用1.5μmP阱单层多晶单层金属CMOS工艺制作的宽长比为50∶4的高压PMOSFET在不同温度下(27°C～200°C)的器件特性,包括漏电流I_(DS)、阈值电压V_T、栅跨导gm的温度特性,并与常压PMOSFET温度特性比较,推导阈值电压值与温度的简单关系。

用于存储器电路的ONO结构特性研究

为研究存储器的多晶间介质采用ONO(Oxide-Nitride-Oxide)结构的基本特性,从ONO叠层的工作原理和它在器件制作中的工艺结构出发,设计了采用ONO结构存储器的模拟实验,对不同工艺条件下的ONO叠层作对比实验,通过ONO叠层的I-V曲线、漏电流、击穿场强和电荷保持特性的测试及分析,研究了不同生长条件对ONO结构的影响程度,获得了最优的ONO叠层制作条件,为存储器的设计和工艺控制提供了参考。

NMOS管热载流子衰退效应评价模型及寿命预测方法研究

热载流子是器件可靠性研究的热点之一。特别对于亚微米器件,热载流子失效是器件失效的一个最主要方面。通过对这种失效机理及其失效模型的研究,为设计和工艺提供帮助,从而有效降低由热载流子引起的电路失效,提高电路可靠性。本文主要针对几种典型工艺的栅氧厚度(例如:Tox分别为150、200、250)的NMOSFET进行加速应力实验,提取寿命模型的相关参数,估算这些器件在正常工作条件下的寿命值,对亚微米工艺器件寿命进行快速评价。