图像处理中几种边缘检测算法的比较

边缘检测是图像处理和模式识别领域的基本课题。文章具体考察了 3种常用的边缘检测算法 ,并加以实现。最后对它们各自的特点进行了比较。索贝尔算子简单有效 ,坎尼算法和高斯的拉普拉斯算法能产生较细的边缘。它们各自有其优缺点 。

Si:H薄膜的微结构及输运性质

用扫描电镜观察Si:H薄膜的剖面,发现用平板电极沉积的Si:H薄膜呈柱状结构,而用环形电极沉积的膜具有层状结构。喇曼谱和X射线谱表明,这两种结构对应于微晶相的存在。测定薄膜的暗电导与温度间的关系,发现薄膜的电导激话能为各向异性。联系耦合方式讨论了薄膜的生长机制。

高压绝缘氧化铝陶瓷涂覆层组织结构分析

用不同配方的 Mn、Cr、Ti混合物涂覆 α- Al2 O3绝缘陶瓷表面 ,在适当条件下进行热退火处理 ,观测了各样品的二次电子发射系数 ,表面电阻率 ,XRD。发现涂层与陶瓷基体间相互扩散 ,结合紧密 ,有平整的表面组织结构 ,形成不同新相与原 α- Al2 O3混合的表面 ;样品表面电阻率降低 ,二次电子发射系数降幅达 6 0 %～ 6 5 %。涂覆处理有利于提高真空绝缘子抗表面闪烁 。

Cr_2O_3涂层对Al_2O_3绝缘瓷二次电子发射特性的影响

用Ｃｒ２Ｏ３涂复ａ－Ａｌ２Ｏ３绝缘瓷表面，并经热退火处理．观测了它们的二次电子发射系数、ＳＥＭ、ＸＲＤ、ＸＰＳ和ＥＥＬＳ．发现样品在退火后，涂层元素扩散进了Ａｌ２Ｏ３陶瓷基底，生成了新相；根据ＸＰＳ和ＥＥＬＳ的分析结果，表面层能隙减小，能隙中的缺陷态、杂质态及表面态增加，提供了更多可能的复合中心和陷阱中心，有利于非平衡载流子的散射跃迁，从而大大耗散能量，减少二次电子发射．

高压绝缘α-Al_2O_3涂层的XPS和EELS表面分析

用不同配方的Mn,Cr,Ti混合物涂复α－Al2O3绝缘瓷表面，在适当的条件下热处理，利用XPS和EELS测试分析了表面层的电子能态.发现在退火后各涂层成分的含量变化明显，由于配方元素不同程度地扩散、渗透进95Al2O3陶瓷基底内，通过反应生成了新相；根据价带谱和EELS分析，其表面层的价带顶移向真空能级，使能隙减小；能隙中的缺陷态、杂质态及表面态增加，有利于内次级电子的非弹性跃迁和二次电子发射系数的减小.

μc-Si:H/a-Si:H多层膜的制备及性质

我们通过切换耦合电极的方法制备了μc-si:H/a-Si:H多层膜.这种多层膜的电导率呈各向异性,暗电导温度关系曲线可近似地看成由两条直线组成.随着 μc-Si:H亚层厚度的减小,喇曼谱中晶态峰降低,暗电导温度曲线的弯折点移向高温段.我们用纯电阻模型和单量子阱模型进行了讨论.

μc-Si∶H/a-Si∶H多层膜的周期性结构和量子尺寸效应

利用射频辉光放电法 ,通过周期性交替切换两种耦合电极的方式 ,制备了 μc- Si∶ H/a- Si∶ H多层膜 .低角度X射线衍射 (L AXRD)测试表明 ,这种多层膜具有良好的周期性结构 .观察了上述多层膜的光学性质及电导率与温度的关系 ,发现其吸收边随着 a- Si∶ H层的减薄而蓝移 ,低温下的电导激活能 Ea 随着 a- Si∶ H层的减薄而减小 .

胆汁反流性胃炎临床分析

目的:进一步提高对胆汁反流性胃炎(BRG)的病因、诊断及治疗有关问题的认识。方法:从一般资料、临床表现、内镜及病理所见、幽门螺杆菌(Hp)检测、治疗与转归几方面对84例BRG病例进行回顾分析。结果:男性多于女性,20-40岁发病率最高(82.1%,69/84),全部病例均有上腹痛,但无特异性,内镜检查全部病例黏液湖呈黄绿色,黏膜明显充血、水肿,以窦部或远端胃为甚,部分病例见胆汁反流,黏膜糜烂,质脆易出血,附有胆汁斑;病理检查,慢性胃窦炎为14例(16.7%),伴轻度萎缩8例(9.5%),中度萎缩7例(8.3%),肠化生3例(3.6%),非典型增生2例(2.4%),反应性胃炎50例(59.5%);Hp阳性36例(42.8%);全部病例治疗4周后症状明显减轻或消失。结论:BRG病因原发病例(85.7%)多于继发性(14.3%),而Hp可能为BRG的病因之一;诊断主要根据胃镜所见及病理组织学胃小凹增生性改变,结合临床症状及既往病史诊断较为可靠;治疗选用胆酸络合剂、胃肠动力剂、黏膜保护剂、抑酸剂能收到较好疗效。

α-Si:H太阳电池的反偏压和强脉冲光照研究

研究了各种反向偏压和强脉冲光照对 a-Si:H 太阳电池性能的影响。发现在室温下进行3～5V、30分的反偏压处理能改善电池的性能。证明了经室内光照和室外长期暴露,反偏压处理和强脉冲光照/热退火循环能减少电池的光致衰降,提高电池的稳定性。

非晶硅a-Si:H膜中氢含量的深度分布研究

用弹性反冲法对氢化非晶硅(a-Si:H)作了氢剖析.测量了(本征)I-a-Si:H单层膜及PIN-a-Si:H多层膜.结果表明,在～1000A—～1500(?)表面层中,氢含量从外到内急剧下降,而在内部维持一稳定值,并且随着衬底温度增加,膜中氢含量线性减少.氢含量的总误差小于10％,探测深度为～5000.

α-Si:H太阳电池的光照及热处理研究

研究了各种光照和热处理对p-i-n型α-Si:H太阳电池性能和稳定性的影响,发现电池性能的衰降主要表现为填充因子的减小,在80—120℃间进行热处理能改善电池的稳定性,并对实验结果进行了分析讨论.

非晶硅太阳电池衰降的机制及特征分析

对不同类型的非晶硅电池进行了老化试验,并对性能衰降数据进行了统计、分析、对比和分类,从而归纳出非晶硅太阳电池衰降的基本过程为光诱导效应引起的衰降,非晶硅膜局部薄弱点引起的衰降,环境引起的衰降和扩散引起的衰降。对这些过程的特征进行了分析和讨论.

非晶硅太阳电池在反偏压下的光照特性

研究了温度循环和在反偏压下强光照对非晶硅太阳电池性能的影响。电池在90℃,4.5V反偏压下,经550mW/cm^2 的卤钨灯光照后,短路电流增加.光致衰降减小,长波响应改善.用内电场的变化进行了解释.

非晶硅光位敏探测器的开发

以横向光伏效应为工作模式,采用全非晶硅的Pin结构,研制了一维可见光波段的光位敏探测器(PSD_s).测试结果表明,该探测器的光位敏度可达9.7mV/mm,光讯号—位移的线性探测区占有效探测总面积的65％,而最大有效光敏面积约为2cm^2.

微波激励氙VUV光源直接光CVD设备及其应用

新发展的光CVD(化学汽相淀积)材料,由于具有无辐射损伤,能进行低温、大面积生长,衬底材料选择自由度大,可淀积生长单层的和多层的各种绝缘膜、半导体膜、金属膜,以及能形成非晶、微晶、混晶等各种晶相材料等一系列优势,颇为引人注目,在材料科学领域中占有重要的位置。引用光的能量实现膜材料的光CVD生长,其基本条件是光源发射光子的能量能被反应气体有效吸收,并使其充分分解。分解后的产物通过与衬底表面的相互作用。

a-Si:H的光电导衰退与微结构的关系

目前,主要流行的两类微观机制模型——“负有效相关能模型”和“断键模型”——都表明a-Si:H的光诱导变化与其微观结构有关.本文研究了不同制备工艺条件对a-Si:H微结构的影响,和样品的光电导衰退依赖于微结构的关系.最后,从S—W效应的微观机制作了简短讨论.

不同套袋方式对石榴果实品质及安全性的影响

以陕西临潼石榴为研究对象,研究套袋方式(纸袋、膜袋)对石榴生长规律、石榴品质及安全性的影响.结果表明,套袋栽培技术能明显改善石榴果实的色泽及光滑度,减少裂果率,增加单果重量;套袋石榴果实中还原糖含量明显低于对照组(未套袋)石榴果实,而可滴定酸含量略高于对照组果实;套袋石榴果实中重金属(Pb、As、Hg)含量、农药残留量(氯氰聚酯)明显低于对照组(未套袋)石榴果实.石榴套袋栽培技术是生产优质石榴,提高石榴生产效益的重要措施.

数字图书馆多媒体对象数据库的设计

多媒体对象数据库的设计在数字图书馆中是较关键的部分。本文对多媒体对象数据库技术进行了探讨 ,并提出了一种多媒体对象数据库的设计方法 ,该方法较好地管理了多媒体信息资源 ,能为读者提供高效。

纸袋透气度对石榴质量及其安全性的影响

以陕西临潼石榴为研究对象,选择3种具有代表性的纸袋,研究了纸袋质量对石榴质量及其安全性的影响。结果表明,纸袋的透气度对石榴质量有显著影响。透气度越大,石榴果实的单果越重,裂果率越小;果汁中还原糖的含量越高,而可滴定酸的含量越低。但纸袋透气度越大,果汁重金属(Pb、As、Hg)的含量、农药残留(氯氰菊酯)量越高,安全性越差。纸袋的透气度过大,纸袋抗张指数、耐破度、撕裂指数下降,达不到套袋的目的,故选择适当透气度的石榴纸袋,是实施石榴套袋栽培技术的关键。