熔融渗硅法制备C/C-SiC复合材料的研究进展

综述了熔融渗硅法制备C/C-SiC复合材料的国内外研究和应用现状,重点分析了碳纤维预制体和C/C多孔体的制备,以及熔融渗硅过程对C/C-SiC复合材料性能和结构的影响,介绍了C/C-SiC复合材料作为热结构和摩擦材料在航空航天和先进摩擦制动系统中的应用,提出了C/C-SiC复合材料制备过程中存在的问题和今后研究的重点。

超声波法合成聚硅烷的速率

研究了在甲苯溶剂中,超声波、温度和助剂对甲基氢二氯硅烷Wurtz聚合反应的影响.结果表明超声波使该聚合反应在温度60°C条件下即可快速进行;而不使用超声波时,在80°C温度条件下,该反应也不能进行.二乙二醇二甲醚或冠醚络合剂的加入,加快了Si—Cl键的消耗速率,使该聚合反应在温度40°C条件下即可快速进行,有利于该聚合反应的控制.

先驱体浸渗裂解法制备C/C-SiC复合材料的烧蚀性能(英文)

用先驱体浸渗裂解法制备了碳纤维增强碳(carbon fiber reinforced carbon,C/C)-SiC复合材料,用H2-O2火焰法检测其烧蚀性能。结果表明:C/C-SiC复合材料的烧蚀率随复合材料中的Si含量的增加而呈下降趋势;经过5次浸渍,C/C-SiC复合材料的密度从1.46 g/cm3增加到1.75 g/cm3,Si含量从5.06%增加到13.8%,线烧蚀率和质量烧蚀率分别下降474%和34.5%。密度为1.75 g/cm3的C/C–SiC复合材料,其线烧蚀率和质量烧蚀率分别为2.22μm/s和1.289 mg/s,其线烧蚀率和质量烧蚀率分别为密度1.78 g/cm3的C/C复合材料的21.7%和78.6%。基体中SiC的引入明显提高了C/C复合材料的抗氧化烧蚀性能。

聚碳硅烷/二乙烯基苯与聚硅烷/二乙烯基苯的交联与裂解

以二乙烯基苯(DVB)作为交联剂的聚碳硅烷(PCS)/二乙烯基苯(DVB)和聚硅烷(PS)/二乙烯基苯(DVB)两种体系来制备SiC陶瓷.对比了DVB加入量对于交联状态、陶瓷产率的影响,用SEM观察裂解样品的微观结构,用XRD研究了裂解样品的相组成.实验结果表明:PS/DVB体系的陶瓷产率高于PCS/DVB体系;且PS/DVB体系的陶瓷微观结构比PCS/DVB体系致密;其XRD分析表明所得陶瓷含β SiC.

C/C和C/C-SiC复合材料的氧化及烧蚀性能

用液相浸渍 裂解聚硅烷工艺制备了C C SiC复合材料,对比了C C与C C SiC复合材料的氧化及烧蚀性能,用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分析了氧化与烧蚀前后的微观结构及物相变化.结果表明:C C SiC复合材料使C C复合材料的氧化起始温度从500℃提高到700℃;在600℃和700℃恒温氧化条件下,C C SiC复合材料比C C复合材料的氧化速率分别降低38%和47%,失重率分别降低35%和47%;C C SiC复合材料的耐烧蚀性能优于C C复合材料.

增强毡C/C复合材料的结构和性能

设计了两种不同结构的预制体 ,即碳布 +碳毡 (1#预制体 )、无纬布 +碳毡 (2 #预制体 ) ,经化学气相沉积 (CVD)与浸渍树脂相结合的致密化工艺制备出了高密度的增强毡C C复合材料。结果表明 :1#、2 #预制体制备的C C材料表现出了良好的力学性能 ,其拉伸强度分别达 6 1 2 5MPa和 5 3 12MPa ,其中 2 #材料的拉伸破坏表现出了假塑性。结合材料的微观形貌研究了预制体结构、界面对C C复合材料拉伸性能的影响。

助剂对二甲基二氯硅烷Wurtz聚合反应的影响

以二甲基二氯硅烷为反应单体、甲苯为溶剂 ,在超声波下 ,通过Wurtz法合成了聚硅烷。研究了助剂种类对该聚合反应的影响。结果表明 ,在甲苯溶剂中加入冠醚、二乙二醇二甲醚、六甲基磷酰三胺、聚醚等助剂可使该聚合反应在 80℃的较低温度下快速进行 ,从而降低了该聚合反应的危险性 ;冠醚、二乙二醇二甲醚、聚醚、六甲基磷酰三胺等对该聚合反应的促进作用 ,证明该反应活性中间体是阴离子活性体 ,该反应机理更倾向于阴离子聚合 ;冠醚的加入可极大地加快二甲基二氯硅烷的聚合反应 ;二甲基二氯硅烷加入后 ,反应立即进行 ,并放出大量的热 ,可根据反应温度的变化控制单体的滴加速率 ,防止爆聚现象出现 。

电化学合成聚硅烷的反应速率

采用电化学法，合成出含双键聚硅烷与不含双键聚硅烷，通过FT—IR，UV，^1HNMR表征其结构。分别研究了电化学反应体系和直接化学反应体系中Si—Cl键含量的变化，以及加入引发剂蒽对反应速率的影响。结果表明：含双键聚硅烷的合成反应速率快于不含双键的聚硅烷，相同反应电量下含双键聚硅烷反应体系中的Si—Cl键含量比不含双键聚硅烷少10％～15％；在电化学合成聚硅烷的过程中。单体与镁发生的格氏反应在整个反应中占有相当的比例；引发剂葸的加入能够有效地提高不含双键聚硅烷的反应速率。本文还对电化学合成聚硅烷的反应机理进行了推测。

C/C-SiC摩擦材料的研究进展

综述了C/C-SiC摩擦材料的研究现状,以及C/C-SiC摩擦材料的发展历程。详细分析C/C-SiC摩擦材料的摩擦磨损性能影响因素及机理,介绍了C/C-SiC摩擦材料的改性及应用现状,并对未来的研究重点进行了展望。

聚碳硅烷的结构和形态

通过GPC-VPO-[77]测得了聚碳硅烷(PCS)的分子量、分子量分布和分子的形态与尺寸;通过IR-NMR-元素分析联合,定量表征了组成PCS的结构基团及支化程度。结果表明,常压高温裂解法合成的PCS是一种分子量较低,分子量分布较窄的低聚物,分子内以Si-C键为主的六元稠环组成的扁球体状分子,分子的支化程度很高,分子结构很紧密,等效球体半径(Re)在甲苯中约为1nm左右。

陶瓷先驱体聚硅烷的合成及应用

聚硅烷是一类链骨架中仅含硅原子的高聚物,作为陶瓷前驱体,经高温裂解制备碳化硅陶瓷材料是其用途之一。本文对陶瓷先驱体聚硅烷的合成和应用的近期发展做了简要概述。

煤基碳泡沫综述

概述了煤基碳泡沫的发展概况。阐述了煤基碳泡沫的制备方法和应用,分析了RVC碳泡沫、中间相沥青基碳泡沫和煤基碳泡沫的结构和性能特点,并且展望了煤基碳泡沫的潜在应用和研究方向。

气相生长碳纤维影响因素的研究

采用基板生长工艺对各种影响气相生长碳纤维的因素进行分析。结果表明,选择硫化亚铁作为催化剂,氩气为载气,丙烯为碳源,炉内压力4200Pa左右,是气相生长碳纤维的最佳条件,可制备出直径均匀、表面光洁的碳纤维。

《化学计量在实验中的应用》核心考点剖析

物质的量是中学化学最基础的知识，每年必考，既可以单独成题，也可以融合在其他知识点中进行综合考查，灵活性极强。从考查内容来看，重点主要集中在阿伏加德罗常数与其他一些量之间的换算，阿伏加德罗定律及其应用，物质的量浓度的有关计算，而溶液的配制考查有所减少。从考查形式来看，