高纯氧化镝中14种稀土杂质光谱测定

在3.4米Ebert光栅摄谱仪上,以控制气氛直流电弧粉末法测定高纯氧化镝中14个稀土杂质。采用正交设计试验对测定条件进行了优化,一次摄谱完成了高纯氧化镝中14个稀土杂质的测定,其测定下限在0.01～0.0005%,相对标准偏差为7～19%。

高纯氧化钬中14个稀土杂质的光谱测定

在3.4m Ebert平面光栅摄谱仪上将粉末试样放在氧-氩气氛中,在直流电弧阳级激发下,经正交设计对测试条件进行优化选择。研究表明,一次摄谱可完成高纯Ho_2O_3中14个稀土杂质元素的测定,杂质元素的测定下限为:Yb_2O_30.0001%;La_2O_3,Sm_2O_3和Eu_2O_30.0003;Y_2O_30.0005%;Pr_6O_(11)和Gd_2O_3 0.001%;Ce_2O_3,Nd_2O_3,Dy_2O_3和Tm_2O_30.003%;Er_2O_3 0.005%;Tb_4O_7和Lu_2O_3为0.01%。相对标准偏差为7.0～15.9%。

我国环氧塑封料的产业化进展

我国作为全球制造大国，IT业的蓬勃发展推动着电子封装测试业和材料业的日益繁荣。随着电子产品在不断追逐轻、薄、短、小，集成电路在向高集成化、布线细微化、芯片大型化、薄型化方向推进，迫使电子封装形式进一步演化为以CSP、MCM、SIP、COB等为代表的高密度封装，电子封装材料的性能则不断地向高导热、高耐热、高流动和低应力方向发展。