硅掺杂对不同衬底的氮化铝薄膜的影响研究

选择硅作为N型杂质源,采用高温热扩散的方式进行实验研究.采用磁控溅射法在硅/蓝宝石衬底上外延的AlN薄膜上沉积纯硅.硅的溅射时间决定了硅层的厚度,从而决定了硅的掺杂剂量.在氮气气氛下高温(1150℃)热扩散4小时后,AlN薄膜表面的硅原子扩散进入AlN晶格,取代铝原子的位置,形成掺杂硅的AlN薄膜.有效的硅掺杂导致AlN(002)衍射峰向一个较大的角度偏移,且偏移的角度随掺杂的浓度升高而增大.且硅衬底上的样品,使用能量色散光谱仪测试结果表明,衬底硅将作为固定的扩散源扩散到薄膜中,增加非故意掺杂浓度,因此可以在整个薄膜截面内测量到硅元素.蓝宝石的衬底的样品在热扩散后出现裂纹.

探析提升电解铝企业质量管理水平的具体措施

近年来,我国工业的快速发展,在需求量激增的同时,对于产品质量和生产企业的管理水平也提出了更高的要求。在电解铝企业的运营中,有效保证电解铝产品的质量是重中之重,传统的质量管理在快速发展的新形势下暴露了一些问题和弊端,提高质量管理水平,引入先进管理模式,通过提高企业管理水平来保证产品质量,降低企业成本迫在眉睫。本文就电解铝企业在质量管理上存在的一些问题进行梳理,并提出了对应性的改进质量管理水平的具体措施,以期为提高电解铝企业的管理水平提供借鉴。

大足北山石刻《古文孝经碑》价值浅析

在世界文化遗产大足石刻的北山石刻中段,摩崖刻有北宋范祖禹撰写的《古文孝经》。该碑与《赵懿简公神道碑》(又称《蔡京碑》)同窟,分刻于龛内、龛外左右崖壁,由6块石面组成,通编为103号(图一)。碑上文字楷书竖刻,由龛左至龛右,共66行,每行满行的有28字,字径8厘米,行距6厘米,字距3厘米,共计1819字。今碑漶蚀202字,校补143字。