Al栅a-Si TFT栅绝缘膜研究

Al栅可明显降低AM－LCD中a－SiTFT矩阵的栅总线电阻及栅脉冲信号延迟，有利于提高高密显示屏的开口率与图像质量。本文详细介绍了Al栅的阳极氧化技术，获得了适于a－SiTFT复合栅的Al2O3栅绝缘材料。

蒸发硒化法制备CIS／CdS太阳电池研究

用蒸发硒化法制作的基于ＣｕＩｎＳｅ２（ＣＩＳ）膜的ＣＩＳ／ＣｄＳ太阳电池，面积为０．１ｃｍ２和１ｃｍ２电池的转换效率分别达到７．６２％和７．２８％，５ｃｍ×６ｃｍ电池的平均效率达到６．６７％。对制备工艺及关键技术、电池性能和退火效应进行了分析探讨。