期刊文献+
共找到77篇文章
< 1 2 4 >
每页显示 20 50 100
硫化锑太阳电池的数值模拟分析
1
作者 张璊 张林睿 周炳卿 《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》 CAS 2023年第2期147-153,共7页
利用Afors-het一维器件模拟仿真软件,研究传统CdS/Sb2S3异质结太阳电池器件中Sb2S3吸收层和CdS缓冲层厚度、带隙、吸收层受主浓度以及缺陷对电池性能的影响。结果表明,一定厚度的吸收层可以提高器件的短路电流密度,但过厚的吸收层会减... 利用Afors-het一维器件模拟仿真软件,研究传统CdS/Sb2S3异质结太阳电池器件中Sb2S3吸收层和CdS缓冲层厚度、带隙、吸收层受主浓度以及缺陷对电池性能的影响。结果表明,一定厚度的吸收层可以提高器件的短路电流密度,但过厚的吸收层会减小填充因子。研究CdS薄膜发现,过厚的CdS对电池的开路电压,短路电流密度以及填充因子损害较大。Sb2S3最优的带隙宽度在1.5~1.6 eV之间。提高Sb2S3受主浓度可以有效改善开路电压,但施主缺陷态密度与缺陷态在能级中能量的增加将会使电池效率降低。同时模拟结果表明,当吸收层中载流子寿命达到10-7s时,电池的短路电流密度可以得到明显改善。 展开更多
关键词 Afort-het太阳电池模拟软件 硫化锑薄膜太阳电池 带隙 光电转换效率
下载PDF
稀土Eu^(3+)掺杂对SnO_(2)薄膜光学和电学性质的影响
2
作者 朱亚丽 宁君 周炳卿 《内蒙古石油化工》 CAS 2023年第1期13-17,共5页
基于旋涂法制备了Eu^(3+)掺杂的SnO_(2)薄膜,并通过紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、电流-电压测试和原子力显微镜(AFM)等对样品的光学性质、电学性质和表面形貌进行了表征。研究发现,在200nm~380nm的波长范围内,掺杂15at%Eu^(3+)的SnO_(2... 基于旋涂法制备了Eu^(3+)掺杂的SnO_(2)薄膜,并通过紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、电流-电压测试和原子力显微镜(AFM)等对样品的光学性质、电学性质和表面形貌进行了表征。研究发现,在200nm~380nm的波长范围内,掺杂15at%Eu^(3+)的SnO_(2)薄膜光吸收率最高;在380nm~700nm的可见光范围内,掺杂15at%Eu^(3+)的SnO_(2)薄膜光透射率较强,掺杂20at%Eu^(3+)的SnO_(2)薄膜光吸收率最强。随着Eu3+掺杂浓度的增加,SnO_(2)薄膜的电阻增加,表面的平均粗糙度显著降低。 展开更多
关键词 旋涂法 Eu^(3+)掺杂SnO_(2)薄膜 表面形貌
下载PDF
CuInSe_2多晶薄膜的光学特性研究 被引量:2
3
作者 周炳卿 李蓉萍 赵凤岐 《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》 CAS 1999年第2期122-126,共5页
根据CuInSe2多晶薄膜的反射特性和透射特性,研究了薄膜的吸收系数α(λ)、消光系数k(λ)、折射率n(λ)以及光学禁带宽度Eg.结果表明。
关键词 多晶薄膜 反射率 光学特性 半导体 铜铟硒化合物
下载PDF
RF-PECVD高速沉积优质过渡区微晶硅薄膜 被引量:1
4
作者 周炳卿 朱美芳 +5 位作者 刘丰珍 刘金龙 谷锦华 张群芳 李国华 丁琨 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期98-101,共4页
利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积技术高速沉积非晶/微晶过渡区的微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率、电学性质等的影响.选择优化的沉积参数,在非晶到微晶的过渡区得到了沉... 利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积技术高速沉积非晶/微晶过渡区的微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率、电学性质等的影响.选择优化的沉积参数,在非晶到微晶的过渡区得到了沉积速率为0.3~0.4nm/s的μc-Si:H薄膜.薄膜的暗电导在10-7S/cm量级,光暗电导比近2个量级,电导激活能在0.52eV左右,薄膜结构致密,达到了器件级质量. 展开更多
关键词 微晶硅薄膜 PECVD 高速沉积
下载PDF
利用13.56MHz射频PECVD技术高速沉积器件级质量的μc-Si:H薄膜材料 被引量:1
5
作者 周炳卿 周培勤 赵凤岐 《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》 CAS 2004年第3期232-236,共5页
利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)技术,高速沉积器件级质量的微晶硅(μc Si:H)薄膜,研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率的影响.通过选择适当的沉积参数,得到了沉积速率为0.3~0.4nm/s的... 利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)技术,高速沉积器件级质量的微晶硅(μc Si:H)薄膜,研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率的影响.通过选择适当的沉积参数,得到了沉积速率为0.3~0.4nm/s的μc Si:H薄膜材料,薄膜的暗电导为10-7S/cm量级,光电导与暗电导之比近似为2个量级,电导激活能为0.52eV左右.所得的μc Si:H薄膜材料稳定性好,达到了器件级质量. 展开更多
关键词 微晶硅薄膜 等离子体增强化学气相沉积 高速沉积 射频 薄膜太阳电池
下载PDF
双源法制备CuInSe_2多晶薄膜的研究 被引量:1
6
作者 周炳卿 李蓉萍 赵凤岐 《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》 CAS 1999年第4期277-281,共5页
利用氮气作保护气体,用元素合成法进行开管烧结,合成具有单一相黄铜矿结构的CuInSe2 多晶材料.用真空双源蒸发方法,通过精确控制CuInSe2 源和Cu 源或Se 源的温度和蒸发速率以及衬底温度,制备CuInSe2 多... 利用氮气作保护气体,用元素合成法进行开管烧结,合成具有单一相黄铜矿结构的CuInSe2 多晶材料.用真空双源蒸发方法,通过精确控制CuInSe2 源和Cu 源或Se 源的温度和蒸发速率以及衬底温度,制备CuInSe2 多晶薄膜,并对CuInSe2 多晶薄膜的组份、结构、工艺条件及电学性质进行了分析。 展开更多
关键词 CUINSE2 双源法 多晶薄膜 制备 电学性质
下载PDF
利用射频PECVD技术低温制备纳米晶硅薄膜 被引量:1
7
作者 周炳卿 潘洪涛 周培勤 《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》 CAS 2007年第3期296-299,共4页
利用射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术低温制备了氢化纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜.通过优化沉积参数,得到晶粒尺度小于10 nm,晶态体积比为58%的nc-Si:H薄膜.对nc-Si:H薄膜的光电特性进行研究,结果表明,在100 mW/cm2的光照下,nc-Si:H... 利用射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术低温制备了氢化纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜.通过优化沉积参数,得到晶粒尺度小于10 nm,晶态体积比为58%的nc-Si:H薄膜.对nc-Si:H薄膜的光电特性进行研究,结果表明,在100 mW/cm2的光照下,nc-Si:H薄膜的光电导率为1.5×10-3Ω-1.cm-1,室温暗电导率为8.4×10-4Ω-1.cm-1,光学带隙为1.46 eV.利用射频PECVD制备的nc-Si:H薄膜具有明显的量子点特征. 展开更多
关键词 纳米晶硅薄膜 等离子体增强化学气相沉积 光电特性
下载PDF
用镜像法通过矢势计算无限长载流直导线的磁场强度 被引量:2
8
作者 周炳卿 《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》 CAS 1999年第S1期23-24,共2页
用镜像法计算了无限大平面附近的载流长直导线的磁场强度和磁化电流密度 .结果表明 ,毕奥 -萨伐尔定律或磁标势法不易求解的问题 ,用镜像法很容易求解 .
关键词 镜像法 矢势 磁场强度
下载PDF
a-Si:H薄膜太阳电池最佳i层厚度的分析与计算 被引量:1
9
作者 周炳卿 《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》 CAS 2003年第1期21-24,共4页
用自洽法计算了p i n型a-Si:H薄膜太阳电池中p i和i n两个分立势垒区中的电荷密度分布ρ(x)、电场分布ε(x)和耗尽层厚度XD.减少i层厚度使两个分立势垒区部分重叠,用电场叠加原理计算耗尽层中的电场分布,在此基础上,根据光生载流子的全... 用自洽法计算了p i n型a-Si:H薄膜太阳电池中p i和i n两个分立势垒区中的电荷密度分布ρ(x)、电场分布ε(x)和耗尽层厚度XD.减少i层厚度使两个分立势垒区部分重叠,用电场叠加原理计算耗尽层中的电场分布,在此基础上,根据光生载流子的全收集条件Lpmin=μpτpεmin,计算出a-Si:H薄膜太阳电池的最佳i层厚度Xb. 展开更多
关键词 a-Si:H薄膜太阳电池 最佳i层厚度 p-i-n型太阳电池 自洽法 电荷密度分布 电场分布 耗尽层厚度
下载PDF
双源真空蒸发制备CdS/CuInSe_2多晶异质结薄膜太阳电池
10
作者 周炳卿 李蓉萍 赵凤岐 《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》 CAS 2001年第1期22-24,共3页
用双源真空蒸发制备CdS/CuInSe2多晶异质结薄膜太阳电池,并对电池的性能进行测试.在AM1.5,100mW/cm2的碘钨灯下,对1cm2的太阳电池测得其最大转换效率为6.2%.
关键词 真空蒸发法 太阳电池 多晶异质结薄膜 制备 硫化钆 铟硒铜 转换效率
下载PDF
荷电粒子通过梯度电场时的运动分析 被引量:1
11
作者 周炳卿 《内蒙古师范大学学报(教育科学版)》 1998年第4期12-13,7,共3页
本文从理论上分析了有电性差异的粒子,即导电粒子和绝缘粒子在梯度电场中的运动情况.说明梯度电场对具有电性差异的混合物料有显著的分选作用.
关键词 平板电极 梯度电场 分选
下载PDF
Word宏的建立方法及Word Basic语言程序设计
12
作者 周炳卿 李巧玲 《内蒙古师范大学学报(教育科学版)》 2000年第3期1-2,12,共3页
关键词 BASIC语言 建立方法 WORD 子程序 宏命令 字处理软件 菜单命令 手画折线 语言程序设计 对话框
下载PDF
CdS/CuInSe_2多晶异质结太阳电池光电流和转换效率的理论计算
13
作者 周炳卿 张思炯 《内蒙古师范大学学报(教育科学版)》 1998年第2期7-11,共5页
用Rothwad的晶界复合损失模型对CdS/CuInSe_2多晶异质结太阳电池的光电流和转换效率进行计算,结果发现掺杂浓度N_A有一个最佳值(—10^(15)cm^(-3),在这个值附近,当晶粒半径R=1μm时,电池的短路电流达33.6mA/cm^2,转换效率达14.2%。在... 用Rothwad的晶界复合损失模型对CdS/CuInSe_2多晶异质结太阳电池的光电流和转换效率进行计算,结果发现掺杂浓度N_A有一个最佳值(—10^(15)cm^(-3),在这个值附近,当晶粒半径R=1μm时,电池的短路电流达33.6mA/cm^2,转换效率达14.2%。在相同条件下,我们的计算结果和Wanger等人的实验结果近似一致。 展开更多
关键词 异质结 晶界复合损失模型 修正因子 光电流密度
下载PDF
n-ZnO/p-CuInSe_2多晶异质结薄膜太阳电池的光电流和转换效率的理论计算
14
作者 周炳卿 《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》 CAS 2001年第4期307-310,322,共5页
用隧道 -复合模型对n-ZnO/p-CuInSe2 多晶异质结薄膜太阳电池的光电流和转换效率进行了理论计算 ,考虑到在多晶材料中的晶界复合损失 ,引入修正因子 ,并用Roth warf的晶界复合模型进行修正 .对晶粒半径R为 1 μm的电池进行计算 ,得到电... 用隧道 -复合模型对n-ZnO/p-CuInSe2 多晶异质结薄膜太阳电池的光电流和转换效率进行了理论计算 ,考虑到在多晶材料中的晶界复合损失 ,引入修正因子 ,并用Roth warf的晶界复合模型进行修正 .对晶粒半径R为 1 μm的电池进行计算 ,得到电池的短路电流密度为 35 .4mA/cm2 ,开路电压为 0 .42V ,转换效率为 1 0 .1 % .理论计算和实验结果基本一致 . 展开更多
关键词 隧道-复合模型 n-ZnO/p-CuInSe2 薄膜太阳电池 光电流 半导体材料 多晶异质结 转换效率
下载PDF
应用镜像法计算磁场强度
15
作者 周炳卿 富宏 邢同海 《内蒙古师范大学学报(教育科学版)》 1999年第4期13-15,共3页
应用镜像法计算无限大直角导体平面附近的载流长直导线的磁场强度 ,并计算磁化电流密度。结果表明 ,毕奥 -萨伐尔定律和磁标势法不易求解的问题 。
关键词 镜像法 矢势 磁场强度
下载PDF
对开展大学后继续教育的一些想法
16
作者 周炳卿 《内蒙古师范大学学报(教育科学版)》 1997年第4期140-140,共1页
现在全国教育学院已经开展大学后继续教育的院校不少,也大都还是沿袭传统的对本,专科学生的教学形式,其结果往往是学员的积极性不高,生源不足,最后办不了几期就不了了之.究其原因,我认为有如下几方面原因:1.课程的设置不符合现在各中学... 现在全国教育学院已经开展大学后继续教育的院校不少,也大都还是沿袭传统的对本,专科学生的教学形式,其结果往往是学员的积极性不高,生源不足,最后办不了几期就不了了之.究其原因,我认为有如下几方面原因:1.课程的设置不符合现在各中学教师的实际需求.例如物理专业的继续教育课程往往开设“高等量子力学”这门课程.而实际上作为一个中学物理教师在中学的物理教学中对量子力学的知识需求很有限,有大学阶段学的“量子力学”已足足有余.很显然,绝大多数学员是不愿学习的.2.教学形式仍然采用单一的传统教学形式,不能完全适应继续教育.继续教育的学员,大多是大学本科毕业,且工作多年,就其知识水平、经验和能力,以及某一方面的专门知识来讲,已远非一专、本科学生能相比.因此仍然采用传统的讲与听的教学模式是不能适应继续教育的需求的.3.教学时间安排的不适应.目前,需要继续教育的学员,往往是各中学的骨干教师,教学任务重.如果让他们脱离教学岗位,到异地进行学习,加之时间普遍较长,就目前我国中学的实际情况,是不现实的.鉴于以上原因,我对如何开展继续教育提出如下一些想法.1.开展课题研究,取代课堂教学. 展开更多
关键词 大学后继续教育 继续教育课程 教学形式 量子力 物理教学 学员 中学物理教师 中学教师 大学本科毕业 知识需求
下载PDF
绝缘介子粒子通过匀强高压静电场时运动轨迹的研究
17
作者 周炳卿 《内蒙古师范大学学报(教育科学版)》 1999年第2期9-10,共2页
对绝缘介质粒子通过匀强高压静电场时运动轨迹的研究表明,粒子的运动轨迹主要取决于粒子的质量、密度、表面形状、荷电量及电场强度等因素,当两种粒子的种类确定后,它们的 Fe K/m 值差别越大,其运动轨迹差别也越大。
关键词 绝缘介质粒子 电晕荷电 分选 轨迹
下载PDF
光电感烟火灾探测器电路研究
18
作者 周炳卿 朴哲钧 樊茂胜 《内蒙古科技与经济》 2001年第5期102-103,共2页
本文研究了光电感烟火灾探测器的电路 ,设计出了静态功耗小 ,抗干扰能力强的探测器电路 。
关键词 光电感烟 探测器 报警电路 抗干扰 火灾
下载PDF
PECVD制备富硅氮化硅薄膜的工艺条件及其性质的研究 被引量:10
19
作者 张龙龙 周炳卿 +1 位作者 张林睿 高玉伟 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期757-763,共7页
采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)以SiH4和N2为反应气体,分别在射频功率、硅烷稀释度[SiH4/N2]、衬底温度为变量的情况下制备了富硅氮化硅薄膜材料,利用X射线衍射谱(XRD)、傅里叶变换红外谱(FTIR)、紫外-可见光吸收谱(UV-Vis)对... 采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)以SiH4和N2为反应气体,分别在射频功率、硅烷稀释度[SiH4/N2]、衬底温度为变量的情况下制备了富硅氮化硅薄膜材料,利用X射线衍射谱(XRD)、傅里叶变换红外谱(FTIR)、紫外-可见光吸收谱(UV-Vis)对薄膜材料进行了表征,并研究了薄膜材料的微结构和晶化状况、光学特性等。实验结果表明,所沉积薄膜都为富硅的非晶氮化硅材料,改变射频功率、硅烷稀释度和衬底温度可以控制氮化硅薄膜中N元素的含量、光学带隙的大小和薄膜的折射率,并制备出最适宜富硅氮化硅薄膜,为进一步退火析出硅量子点奠定了基础。 展开更多
关键词 PECVD 富硅氮化硅薄膜 非晶结构 光学带隙
下载PDF
家蚕胰岛素受体类似基因挖掘及在限食模型中的表达特征 被引量:1
20
作者 周炳卿 孔祥宾 +2 位作者 卓微伟 司马杨虎 徐世清 《蚕业科学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期264-272,共9页
家蚕素是家蚕胰岛素相关肽,与其受体(IR)结合激活胰岛素信号转导(IIS)途径。利用生物信息学方法,挖掘出具有胰岛素受体类似结构域的家蚕基因Ir-lp,其ORF长2 658 bp,编码885个氨基酸残基,蛋白质分子质量100.3 kD,pI为6.93,与果蝇等昆虫... 家蚕素是家蚕胰岛素相关肽,与其受体(IR)结合激活胰岛素信号转导(IIS)途径。利用生物信息学方法,挖掘出具有胰岛素受体类似结构域的家蚕基因Ir-lp,其ORF长2 658 bp,编码885个氨基酸残基,蛋白质分子质量100.3 kD,pI为6.93,与果蝇等昆虫的同源蛋白保守区域高度一致,NJ法分子进化分析显示家蚕IR-LP与昆虫胰岛素受体相关蛋白同源,但是家蚕Ir-lp编码蛋白缺少胰岛素受体酪氨酸激酶催化结构域,基因表达特征也与已知的家蚕Ir有显著差异。建立家蚕限食模型,调查限食后家蚕8个组织中Ir-lp与Ir表达变化的差异,探讨Ir-lp基因与IIS途径的关系,结果显示长期限食使得Ir-lp与Ir在脂肪体、性腺和表皮中上调表达,在马氏管中下调表达,其中Ir-lp的表达量变化幅度较大。综合分析,IR-LP可能在家蚕胚胎期、蛹期、蛾期等特定发育时期通过与IR竞争结合家蚕素来有效调控能量利用效率。 展开更多
关键词 家蚕 胰岛素受体 类似基因 限食模型 胰岛素信号转导 基因表达
下载PDF
上一页 1 2 4 下一页 到第
使用帮助 返回顶部