微波退火条件下NiSi/Si肖特基势垒高度的调节

为了满足尺寸不断缩小的金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)技术的需求,需要在低温条件下实现肖特基势垒高度的调节,利用杂质分凝技术,结合微波退火进行Ni Si/Si接触的肖特基势垒高度的调节,并采用先离子注入、后淀积金属形成金属硅化物(IBS)和先淀积金属形成金属硅化物后进行离子注入并退火(IAS)两种方案进行研究。通过C-V和I-V测试对制备的样品进行了电学表征,并通过计算给出了其肖特基势垒高度,结果表明微波退火可实现空穴和电子肖特基势垒的有效调节,而且IBS方案的调节效果优于IAS方案的调节效果。除此之外,相对于传统热退火技术,微波退火可以在更低的温度下实现相同肖特基势垒的调节。

计算机病毒的特点及其安全预防措施

互联网无疑是眼下最热门、最前沿的新兴技术,随着技术的普及和成熟,我们的工作方式和生活习惯都在不由自主的发生改变。我们可以通过互联网看到更广阔的世界,享受更便捷的工作生活方式。然而,随之产生的活跃在互联网上的计算机病毒让世界各地头疼不已。对于很多企业来说,计算机病毒不仅影响企业的工作效率,更严重的是增大了企业核心商业机密被盗窃的几率。因此,重视预防计算机病毒的重要性是我们每个人在实际工作生产中需要认真对待的问题。本文将重点阐述计算机病毒的特点,结合笔者实际工作中的预防经验,总结出计算机病毒的防范重点,保证工作正常平稳的进行。