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西瓜杂交种纯度SSR分子鉴定技术研究 被引量:12
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作者 周贤达 王凤辰 +4 位作者 周桂林 朱先飞 林茂 陈路路 王浩波 《中国瓜菜》 CAS 2012年第5期13-16,共4页
以西瓜杂交一代品种黑宝、红与黑、黑优美及其亲本为试验材料,利用SSR标记对西瓜杂交种纯度进行了快速鉴定筛选试验。从93对SSR引物中最终筛选到4对特异性引物可快速准确地区分父本、母本及F1代,且鉴定结果与大田鉴定结果一致;同时对西... 以西瓜杂交一代品种黑宝、红与黑、黑优美及其亲本为试验材料,利用SSR标记对西瓜杂交种纯度进行了快速鉴定筛选试验。从93对SSR引物中最终筛选到4对特异性引物可快速准确地区分父本、母本及F1代,且鉴定结果与大田鉴定结果一致;同时对西瓜大群体快速基因组DNA提取、PCR扩增等进行了优化,初步建立了西瓜杂交种纯度SSR分子鉴定技术体系。 展开更多
关键词 西瓜 SSR标记 纯度鉴定
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69份薄皮甜瓜材料的多样性及亲缘关系 被引量:5
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作者 周贤达 周桂林 +3 位作者 范家萌 睢祥坤 林茂 王浩波 《中国瓜菜》 CAS 北大核心 2020年第1期7-12,共6页
为了更深入地了解不同薄皮甜瓜材料间的相互关系,采用多样性指数、变异系数及分子标记等方法,对69份薄皮甜瓜材料的18个田间性状及SSR分子标记数据进行分析。结果发现,描述型性状多样性指数范围为0.076~1.332,平均值为0.847,其中最高的... 为了更深入地了解不同薄皮甜瓜材料间的相互关系,采用多样性指数、变异系数及分子标记等方法,对69份薄皮甜瓜材料的18个田间性状及SSR分子标记数据进行分析。结果发现,描述型性状多样性指数范围为0.076~1.332,平均值为0.847,其中最高的是种子颜色,为1.332,最低的是果皮斑点,为0.076;数字型性状变异系数范围从最低的果实横径10.56%到最高的单果质量34.11%,平均值为23.88%;多样性指数范围为6.03~6.10,平均值为6.07,最高的是果实横径。所有数字型性状多样性指数均高于描述型性状。综合分析可知,供试材料由于收集和选育原因多为果肉较厚的长果形材料;田间性状及分子标记分别聚类分析后发现2种方法分别从不同角度对材料进行描述,只有充分结合2者的结果,才能最大可能地选择出强优组合。 展开更多
关键词 薄皮甜瓜 多样性指数 变异系数 聚类分析
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砧木(葫芦)种子干热灭菌消毒处理研究 被引量:10
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作者 周贤达 睢祥琨 +2 位作者 陈路路 章敏 王凤辰 《中国瓜菜》 CAS 2013年第2期38-39,共2页
以砧木(葫芦)种子为试验材料,对其进行干热处理,处理前后检测种子细菌性果腐病及黄瓜绿斑驳花叶病毒的带菌、带毒情况,同时检测干热处理对种子发芽势及发芽率的影响。结果表明:干热处理可以显著降低种子带菌、带毒量;同时干热处理对种... 以砧木(葫芦)种子为试验材料,对其进行干热处理,处理前后检测种子细菌性果腐病及黄瓜绿斑驳花叶病毒的带菌、带毒情况,同时检测干热处理对种子发芽势及发芽率的影响。结果表明:干热处理可以显著降低种子带菌、带毒量;同时干热处理对种子发芽率、发芽势的影响在种子水分恢复到4%时即可恢复至96%。 展开更多
关键词 葫芦 干热处理 细菌性果腐病 黄瓜绿斑驳花叶病毒 发芽率 发芽势
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一种西瓜叶片DNA快速提取方法 被引量:2
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作者 周贤达 孙辉 +2 位作者 丁康芬 王凤辰 王浩波 《中国瓜菜》 CAS 北大核心 2018年第9期29-31,42,共4页
为了解决田间西瓜叶片提取DNA杂质较多及逐个样品提取效率低的问题,建立了基于96孔PCR扩增板,每次提取96个样,并调整提取液改善西瓜叶片DNA质量优化的方法,经超微量分光光度计检测,提取的DNA浓度为287~573 ng·μL^(-1),OD_(260)/O... 为了解决田间西瓜叶片提取DNA杂质较多及逐个样品提取效率低的问题,建立了基于96孔PCR扩增板,每次提取96个样,并调整提取液改善西瓜叶片DNA质量优化的方法,经超微量分光光度计检测,提取的DNA浓度为287~573 ng·μL^(-1),OD_(260)/OD_(280)在1.96左右,OD_(260)/OD230为1.6~1.9,表明蛋白质、酚类及小分子杂质很少,DNA质量较高;普通引物聚丙烯凝胶电泳检测表明DNA质量稳定、扩增条带清晰。此方法与目前常用的植物基因组DNA提取方法相比具有通量高、速度快、成本低的优点,是适宜于种子企业西瓜分子标记检测相关工作的较好方法。 展开更多
关键词 西瓜 DNA提取 PCR
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浅析芸薹属作物抽薹性状的遗传规律及调控途径研究现状 被引量:2
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作者 周贤达 汤青林 +1 位作者 王志敏 宋明 《南方农业》 2010年第1期90-91,77,共3页
从芸薹属作物分子标记研究入手,综述芸薹属作物抽薹相关基因的最新研究进展,指出在整个芸薹属中通过其与双子叶模式植物拟南芥的共线性,从相关基因群的遗传演变角度对相关基因进行统一性研究还明显不足。
关键词 芸薹属作物 抽薹 遗传规律 调控途径
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不同培养料对鸡腿菇胞外酶活性影响的研究 被引量:15
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作者 刘朝贵 邵坤 +3 位作者 聂和平 周贤达 强志强 谷春花 《西南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期40-42,共3页
实验设计了6个不同鸡腿菇培养基配方,分别提取其在菌丝半袋、菌丝满袋、原基、幼菇、成熟5个生长阶段粗酶液,通过测定纤维素酶、漆酶和淀粉酶活性,初步揭示出不同培养基对鸡腿菇纤维素酶、漆酶、淀粉酶活力的影响及规律.结果表明:不同... 实验设计了6个不同鸡腿菇培养基配方,分别提取其在菌丝半袋、菌丝满袋、原基、幼菇、成熟5个生长阶段粗酶液,通过测定纤维素酶、漆酶和淀粉酶活性,初步揭示出不同培养基对鸡腿菇纤维素酶、漆酶、淀粉酶活力的影响及规律.结果表明:不同培养基配方对各种酶的活力大小有影响,但各种酶活性在不同基质中变化规律一致,基质成分对酶活性的变化规律无影响. 展开更多
关键词 鸡腿菇 培养料 纤维素酶 漆酶 淀粉酶
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具有高压互连线的多区双RESURF LDMOS击穿特性 被引量:4
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作者 乔明 周贤达 +3 位作者 段明伟 方健 张波 李肇基 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1428-1432,共5页
对600V以上级具有高压互连线的多区双RESURF LDMOS击穿特性进行了实验研究,并对器件进行了二维、三维仿真分析.利用多区P-top降场层的结终端扩展作用以及圆形结构曲率效应的影响,增强具有高压互连线的横向高压器件漂移区耗尽,从而降低... 对600V以上级具有高压互连线的多区双RESURF LDMOS击穿特性进行了实验研究,并对器件进行了二维、三维仿真分析.利用多区P-top降场层的结终端扩展作用以及圆形结构曲率效应的影响,增强具有高压互连线的横向高压器件漂移区耗尽,从而降低高压互连线对器件耐压的影响.实验与仿真结果表明,器件的击穿电压随着互连线宽度的减小而增加,并与P-top降场层浓度存在强的依赖关系,三维仿真结果与实验结果较吻合,而二维仿真并不能较好反映具有高压互连线的高压器件击穿特性.在不增加掩模版数、采用额外工艺步骤的条件下,具有30μm高压互连线宽度的多区双RESURF LDMOS击穿电压实验值为640V.所设计的高压互连器件结构可用于电平位移、高压结隔离终端,满足高压领域的电路设计需要. 展开更多
关键词 高压互连线 多区 双RESURF LDMOS 击穿电压
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基于薄外延技术的高压BCD兼容工艺(英文) 被引量:1
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作者 乔明 肖志强 +7 位作者 方健 郑欣 周贤达 徐静 何忠波 段明伟 张波 李肇基 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1742-1747,共6页
针对高压应用领域,开发了一种基于薄外延技术的高压BCD兼容工艺,实现了900V高压双RESURF LD-MOS与低压CMOS,BJT器件的单片集成.与传统厚外延技术相比,工艺中n型外延层的厚度减小为9μm,因此形成pn结对通隔离的扩散处理时间被极大减小,... 针对高压应用领域,开发了一种基于薄外延技术的高压BCD兼容工艺,实现了900V高压双RESURF LD-MOS与低压CMOS,BJT器件的单片集成.与传统厚外延技术相比,工艺中n型外延层的厚度减小为9μm,因此形成pn结对通隔离的扩散处理时间被极大减小,结隔离有更小的横向扩散,节约了芯片面积,并改善了工艺的兼容性.应用此单层多晶、单层金属高压BCD兼容工艺,成功研制出一种基于耦合式电平位移结构的高压半桥栅极驱动电路,电路高端浮动偏置电压为880V. 展开更多
关键词 BCD工艺 薄外延技术 双RESURF LDMOS
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薄皮甜瓜新品种‘青酥’的选育 被引量:1
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作者 林茂 睢祥琨 +3 位作者 梁邦军 周贤达 王凤辰 王浩波 《中国瓜菜》 CAS 北大核心 2016年第10期28-30,共3页
‘青酥’是以‘FLM73201’为母本、‘FLM73203’为父本育成的薄皮甜瓜杂交1代新品种。该品种植株长势强健、茎蔓健壮,易坐果,子蔓、孙蔓均可坐果,果实发育期30 d左右,果实梨形,果皮绿色有隐绿条带,果面光滑,果肉绿色,剖面好,果肉厚度2.0... ‘青酥’是以‘FLM73201’为母本、‘FLM73203’为父本育成的薄皮甜瓜杂交1代新品种。该品种植株长势强健、茎蔓健壮,易坐果,子蔓、孙蔓均可坐果,果实发育期30 d左右,果实梨形,果皮绿色有隐绿条带,果面光滑,果肉绿色,剖面好,果肉厚度2.0 cm左右,果实中心可溶性固形物含量13%左右,中边梯度差约3%,可食率高,肉质脆酥,香味较浓,平均单瓜质量0.51 kg,爬地栽培667 m^2平均产量2 050 kg,果实商品率96%左右。F_1代种子浅黄色,千粒重约10 g。适宜我国东北、华北、长江中下游、华南瓜区保护地和露地种植。2013年通过安徽省鉴定登记。 展开更多
关键词 薄皮甜瓜 新品种 '青酥’ 杂交1代
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两系超级稻丰两优四号指纹图谱构建及纯度快速鉴定 被引量:1
10
作者 周桂林 范家萌 +2 位作者 周贤达 王兆贤 王浩波 《安徽农学通报》 2017年第13期138-141,共4页
为加强两系超级稻丰两优四号的品种质量控制,打击假冒伪劣,该研究利用SSR分子标记技术构建丰两优四号的指纹图谱,筛选适用于该品种的SSR特征引物,并利用纯度SSR快速鉴定技术体系鉴定丰两优四号的纯度。结果表明:在48对标准SSR引物中,有1... 为加强两系超级稻丰两优四号的品种质量控制,打击假冒伪劣,该研究利用SSR分子标记技术构建丰两优四号的指纹图谱,筛选适用于该品种的SSR特征引物,并利用纯度SSR快速鉴定技术体系鉴定丰两优四号的纯度。结果表明:在48对标准SSR引物中,有19对引物在丰两优四号亲本间具有多态性,杂交种呈现双亲互补带型,可用于该品种纯度鉴定;利用SSR快速鉴定技术鉴定丰两优四号样品纯度的结果表明,引物RM224和RM336不仅能区分母本、父本混杂,还能鉴定多种串粉和机械混杂,是对丰两优四号纯度鉴定较为适宜的特征引物。 展开更多
关键词 两系超级稻 丰两优四号 SSR 指纹图谱 纯度
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薄皮甜瓜新品种银宝的选育
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作者 章敏 林茂 +2 位作者 周贤达 睢祥琨 梁邦军 《中国瓜菜》 CAS 2013年第6期24-26,共3页
银宝是由合肥丰乐种业股份有限公司以FM61172为母本、FM 61171为父本选育的白皮白肉、香味浓的杂交薄皮甜瓜新品种.植株生长势较强,茎蔓健壮,抗逆性强.全生育期90 d左右,果实发育期32 d左右.爬地栽培一般双蔓整枝,主蔓4片叶打顶.子蔓6... 银宝是由合肥丰乐种业股份有限公司以FM61172为母本、FM 61171为父本选育的白皮白肉、香味浓的杂交薄皮甜瓜新品种.植株生长势较强,茎蔓健壮,抗逆性强.全生育期90 d左右,果实发育期32 d左右.爬地栽培一般双蔓整枝,主蔓4片叶打顶.子蔓6~10节,1株选留6~8果.吊蔓栽培可留主蔓,8节以上子蔓坐果,1株坐4~6果.果实梨圆形,果皮白色,果面光滑,果肉白色,腔较小,剖面好,果肉厚2.2 cm左右,中心可溶性固形物含量12.5%左右,可溶性固形物含量梯度小,一般在3.5%~4.5%;可食率高,肉质脆酥,香味较浓,单瓜质量0.4 kg左右,667 m2产量1 546 kg左右.田间表现抗性强,较少发生病毒病.适宜安徽、湖北、江西、河南、山东等省区种植. 展开更多
关键词 甜瓜 新品种 银宝 早熟 白皮 白肉
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利用分子标记及花药培养快速改良五山丝苗
12
作者 徐丽媛 周桂林 +4 位作者 冯睿彤 范家萌 周贤达 周红英 吴晓亮 《安徽农学通报》 2020年第12期14-15,31,共3页
将五山丝苗/R0356作为亲本,使用分子标记辅助育种和水稻花药培养相结合的方法,仅需2年即得到稳定遗传的与五山丝苗性状相似且带有香味的恢复系材料。具体方法是通过分子标记检测F2代材料,确定单株材料中是否含有香味基因,对含有香味基... 将五山丝苗/R0356作为亲本,使用分子标记辅助育种和水稻花药培养相结合的方法,仅需2年即得到稳定遗传的与五山丝苗性状相似且带有香味的恢复系材料。具体方法是通过分子标记检测F2代材料,确定单株材料中是否含有香味基因,对含有香味基因的单株在孕穗期取样进行水稻花药培养,培养过程使用的诱导培养基为M8+2.0mg/L 2,4-D+1.0mg/L KT+60g/L蔗糖+8g/L琼脂,花药培养得到的纯合二倍体绿苗再进行分子标记检测,将含有香味基因的材料在田间种植,经过筛选后即得到优质的改良五山丝苗(HPR10)。 展开更多
关键词 分子标记检测 花药培养 恢复系选择 香味
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中早熟线椒新品种一线天的选育
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作者 金敬献 周贤达 陈梦丰 《长江蔬菜》 2017年第10期34-36,共3页
一线天是以L08-130-5为母本,以L08-404-6为父本配制而成的中早熟线椒一代杂种。持续坐果能力极强,果实为长线椒,单果质量25~30 g,纵径25~29 cm,横径1.5~1.7 cm。果形顺直,青熟果深绿色,果实光亮,老熟果红色鲜亮,辣味香浓,品质佳,耐贮运... 一线天是以L08-130-5为母本,以L08-404-6为父本配制而成的中早熟线椒一代杂种。持续坐果能力极强,果实为长线椒,单果质量25~30 g,纵径25~29 cm,横径1.5~1.7 cm。果形顺直,青熟果深绿色,果实光亮,老熟果红色鲜亮,辣味香浓,品质佳,耐贮运,椒条一致,商品性好。耐热、耐湿,抗病毒病,中抗疫病。持续收获期长,绿红果兼收,适宜多种加工,鲜食或作酱均可。一般每667 m^2产鲜椒3 500 kg左右,适于南北方保护地及露地种植。 展开更多
关键词 线椒 一线天 选育 一代杂种
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石油地质开发及新技术运用实践分析
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作者 肖爽 周贤达 《区域治理》 2019年第2期267-267,共1页
基于对石油地质开发及新技术运用实践的分析研究,首先要明确石油地质开发新技术应用的注意事项,然后结合注重绿色开发技术的合理应用、不断开发替代性能源以及提升相关人员综合素质这三点内容,对如何在石油地质开发中应用新技术进行分析... 基于对石油地质开发及新技术运用实践的分析研究,首先要明确石油地质开发新技术应用的注意事项,然后结合注重绿色开发技术的合理应用、不断开发替代性能源以及提升相关人员综合素质这三点内容,对如何在石油地质开发中应用新技术进行分析.得出相关人员需保证信息技术的合理应用、提升石油地质勘探技术水平以及注重石油地质开发能力的提升这三点措施,总体实现了石油地质开发中新技术运用的高效化. 展开更多
关键词 石油地质 地质开发 开发新技术
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背栅效应对SOI横向高压器件击穿特性的影响 被引量:7
15
作者 乔明 张波 +2 位作者 李肇基 方健 周贤达 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期3990-3995,共6页
提出一种SOI基背栅体内场降低BGREBULF(back-gate reduced BULkfield)耐压技术.其机理是背栅电压诱生界面电荷,调制有源区电场分布,降低体内漏端电场,提高体内源端电场,从而突破习用结构的纵向耐压限制,提高器件的击穿电压.借助二维数... 提出一种SOI基背栅体内场降低BGREBULF(back-gate reduced BULkfield)耐压技术.其机理是背栅电压诱生界面电荷,调制有源区电场分布,降低体内漏端电场,提高体内源端电场,从而突破习用结构的纵向耐压限制,提高器件的击穿电压.借助二维数值仿真,分析背栅效应对厚膜高压SOI LDMOS(>600V)击穿特性的影响,在背栅电压为330V时,实现器件击穿电压1020V,较习用结构提高47.83%.该技术的提出,为600V以上级SOI基高压功率器件和高压集成电路的实现提供了一种新的设计思路. 展开更多
关键词 SOI 背栅 体内场降低 LDMOS
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非均匀寿命分布电导调制基区中非平衡载流子的WKB解 被引量:1
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作者 方健 林薇 +1 位作者 周贤达 李肇基 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期3360-3362,共3页
针对非均匀寿命分布情况,建立了描述电导调制基区的双极输运方程,并利用Liouville_Green变换获得该方程在不同边界条件下的WKB解.其结果可用于局域寿命控制下电导调制器件的建模分析.
关键词 寿命控制 电导调制 非平衡载流子 WKB
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