基于Qt/Embedded的车载GUI的研究与实现

开发具有友好的人机交互界面和现场可操作性的嵌入式系统是开发智能车载终端的重要环节。使用嵌入式Linux操作系统作为底层软件平台,并使用嵌入式Qt/Embedded(Qt/E)图形用户界面库作为开发工具,设计一种友好的车载人机交互界面。重点介绍了Qt/E开发平台的搭建和Qt/E的绘图机制,并给出车载GUI中关键模块的实现过程。

Al_2O_3-SiC-SiAlON复合材料的制备和性能

以电熔白刚玉、α-Al2O3微粉、Si粉和矾土基β-SiAlON粉为原料,以树脂为结合剂,制备了复合材料试样.研究了1 500℃烧后试样的物相组成、显微结构以及常温物理性能、高温抗折强度和抗热震性.结果表明:(1)在刚玉中引入适量Si粉高温埋碳条件下可合成Al2O3-SiC-SiAlON复合材料,引入适量β-SiAlON可促进Si反应,且复合材料1 500℃烧结良好;(2)复合材料的高温抗折强度和抗热震性随Si粉加入量增加而提高,加入β-SiAlON后材料的高温机械性能进一步提高;(3)材料高温机械性能提高的原因在于Si粉在高温下与C、CO和N2反应生成晶须状或纤维状SiC和絮状O’-SiAlON填充气孔,形成交叉连锁的网络结构,对材料起增强和增韧作用.

基于五点分段的带形状参数三角多项式样条曲线

提出一类新的带形状参数的分段三角多项式样条曲线,该曲线表示式结构简单,能用于曲线设计。每段三角多项式样条曲线由5个控制点生成,当节点等距时,曲线达到C1连续。利用所构造的三角多项式,给出开曲线和闭曲线的构造方法。通过图例可以看出,随着参数增大,曲线逼近控制多边形。曲线还可以精确、灵活地表示椭圆。

SiC加热元件在N_2气氛下使用损毁机理研究

用XRD和SEM对在N2气氛使用后SiC加热元件的物相组成和显微结构进行了分析,并对损毁机理进行了探讨,结果表明:未变质部分的气孔较多,腐蚀性气体易通过气孔与SiC反应造成损毁,并存在Si、K2O和FeSi杂质相,此杂质相也可加速损毁;由于在N2气氛中氧分压较低,不能形成保护性玻璃膜,N2中的少量O2易与SiC加热元件反应使其氧化导致结构疏松,加剧氧化损毁;炉内烧制的含Al、Si和C的耐火材料中挥发出的Al(g)、Al2O(g)和CO(g)等与SiC加热元件反应,生成β-SiC、SiO2和Al2O3,致使SiC加热元件变质损毁.

预制T梁混凝土表面气泡成因分析及处理对策

以某桥梁工程为例,对该工程混凝土T梁表面存在的气泡问题进行分析。首先阐述了气泡的现象、表现形式,然后分析了可能使混凝土表面产生气泡的原因,包括材料因素、施工因素、温度因素等,最后给出避免混凝土T梁表面产生气泡的处理措施,包括原材料控制、外加剂控制、模板优化、施工过程把控等,同时针对已产生的气泡问题给出解决措施,望能为同类工程提供借鉴。

基于再分析数据的全球海洋水体和热盐输运及其季节变化

全球海洋环流复杂,其产生的水体和热盐输运决定了各大洋物质和能量的再分配,并且对海气相互作用以及全球气候变化产生重要影响。本研究基于GLORYS12、GLORYS2V4、C-GLORS05、FOAM和ORAS5五种再分析资料对全球12个关键截面处的海洋水体和热盐输运进行了估算。平均计算结果显示,纬向积分的海洋经向盐量输运与经向体积输运的变化基本一致,这主要是由于海水盐度垂向变化较小,水体盐量输运与体积输运大小成比例。全球海洋在35°S附近呈现经向体积输运极值,其南向输运量接近10 Sv。由于海洋温度随深度增加迅速减小,且中下层较为稳定,因此海洋经向热量输运与上层海洋环流相关性更高。全球海洋在南北半球均呈现向极的经向热量输运,北半球中低纬度输运量在1.5~2.0PW,南半球中低纬度输运量在1.0 PW左右。N向热量输运横跨整个大西洋,南大西洋中低纬度输运量在0.3~1.0 PW,北大西洋中低纬度输运量在1.0~1.3 PW。与大洋经向输运相比,南大洋由于强劲的南极绕极流的E向流动,其纬向水体和热盐输运显著。计算结果显示,通过南大洋20°E、146°E截面以及德雷克海峡分别约有144.50、162.46和146.05 Sv的体积输运(对应5.10×10^(9)、5.74×10^(9)和5.15×10^(9)kg/s的盐量输运,以及1.27、2.28和1.58 PW的热量输运)。另外,海洋水体和热盐输运气候态月变化显示,各大洋水体和热盐经向输运均呈现较明显的季节变化,相较于体积和盐量输运,南大洋纬向热量输运季节变化最为显著。

垂直互联结构的封装天线技术研究

封装天线(AiP)是一种能够实现低成本制备、高性能以及小体积天线的技术,在移动通信等领域有着广泛的应用。在扇出型晶圆级封装(FOWLP)中,采用通孔工艺能够实现电信号的垂直互连结构,助力AiP技术的发展。重点阐述了FOWLP工艺中硅通孔(TSV)、玻璃通孔(TGV)和塑封通孔(TMV)的制备方法,以及通过3种通孔技术实现的垂直互连结构在封装天线领域的应用。采用这3种垂直互连结构制备的封装天线能够实现三维集成,从而更进一步地缩小天线的整体封装体积。介绍了3种通孔的制备工艺,以及采用通孔技术的FOWLP工艺在封装天线领域的应用。明确了每一种垂直互连结构应用于AiP的优缺点,为FOWLP工艺在AiP领域中的技术开发和探索提供参考。

三维集成封装中光敏玻璃通孔制备工艺研究

玻璃通孔转接板是一种典型的垂直传输结构,广泛应用于三维集成封装电路。根据射频信号对小直径、窄节距垂直通孔的使用需求,该文基于光敏玻璃衬底,采用紫外光曝光、热处理以及湿法刻蚀方法,获得了深宽比为8∶1,最小直径为25.68μm的玻璃通孔。通过研究曝光量对光敏玻璃通孔制备工艺的影响,得到曝光过程中光敏玻璃的改性机理。实验结果表明,随着曝光量增加,通孔孔径增大;光敏玻璃改性过程是由表及里、由正面至背面的逐渐改性过程。这为玻璃通孔转接板的制备提供关键工艺支撑。

提升Low K晶圆划片良率与可靠性的组合划片工艺研究

以低介电常数(Low-K)材料覆盖的晶圆为研究对象,对Low K晶圆的划片方案、划片方式和划片工艺参数进行了研究,以解决Low K晶圆划片后崩裂严重等问题,降低Low K晶圆划片后单芯片来料崩裂、隐裂、高金属凸起等缺陷,提升封装后产品的良率与可靠性。探讨了适用于Low K晶圆的划片方案,首先,先采用激光开槽剥离Low K层,降低了崩裂等缺陷隐患,随后采用机械切割完成硅基底的切割;然后,基于来料晶圆划片槽特性,采用W式划片方式,提升划片效率;最后,对划片中工艺参数进行调控优化,如降低激光功率以减弱过烧蚀(热效应扩散)带来的划片槽边缘金属凸起高度太大导致的短路风险,将划片后划片槽边缘金属凸起高度控制在≤7μm的要求内。经工艺调试后,采用激光开槽与机械划片的组合方式划片,划片槽边缘完整,无明显崩裂,划片槽宽为45.10μm,边缘金属凸起的平均高度为3.575μm,满足单芯片来料检验规范,保证了划片后单芯片的良率和可靠性。

基于ROMS模式的南海SST与SSH四维变分同化研究

卫星遥感观测获得了大量高分辨率的海面实时信息,包括海面温度(SST)和海面高度(SSH)等,同化进入数值模式可有效提升模拟精度。本文基于ROMS模式与四维变分同化方法(4DVAR),使用AVHRR SST和AVISO SSH数据,开展了南海区域同化实验。为检验同化的效果,分别利用HYCOM再分析资料和Argo温盐实测数据分析了同化结果的海面高度、流场及温盐剖面的精度。对比结果表明,SST和SSH的同化能够改善ROMS的模拟结果:同化后海面高度场能够更为准确地捕捉海洋的中尺度特征,与HYCOM海面高度再分析资料相比,平均绝对偏差和均方根误差分别为0.054 m和0.066 m;与HYCOM 10 m层流场相比,东向与北向流速平均绝对偏差分别为0.12 m/s和0.11 m/s,相比未同化均提升约0.01 m/s;温盐同化结果与Argo温盐实测具有较高的一致性,温度和盐度平均绝对偏差为0.45℃、0.077,均方根误差为0.91℃、0.11,单个的温盐廓线对比说明,同化结果与HYCOM再分析资料精度相当。

基于分形结构的天线设计及天线-芯片一体化射频组件制造工艺

实现了一种基于分形结构的天线-芯片一体化射频组件的设计与制造,设计了基于4阶Hilbert曲线的分形电感和基于2阶Sierpinski三角形的天线结构,有效提高了集成模组中的空间利用率,实现了电子器件的小型化。天线结构可以通过馈电位置的变化实现辐射频点可调,最多可实现36GHz、50GHz、70.6GHz3个辐射频点,有助于实现灵活的应用场景。各辐射频点上的回波损耗大于25dB,最大辐射方向增益为11.93dB。为了实现分形天线和射频芯片的一体化集成,设计和实现了天线-芯片一体化射频组件架构与12英寸晶圆级嵌入式基板工艺。与现有的射频组件集成工艺相比,利用光刻工艺实现了天线-芯片垂直高密度互连,同时改善了系统的射频性能。

基于神经网络算法的建筑结构振动分散控制研究

针对地震作用下建筑结构振动分散控制问题,引入神经网络算法,研究结构振动分散神经网络控制策略,来解决分散控制中各子系统的耦合问题和神经网络算法的训练成本问题。利用径向基函数RBF(Radical Basis Function)神经网络模型并基于newrb函数构建了RBF神经网络控制器,对某20层Benchmark结构模型分别进行集中控制和多工况子系统划分分散控制的数值模拟分析,结果表明,提出的各子系统耦合的分散RBF神经网络振动控制策略考虑了子系统间的信息共享,可有效控制结构的振动响应,且子系统达到理想训练结果所需的训练次数与BP网络相比显著降低。

埋线加灸治疗椎基底动脉供血不足80例临床观察

将椎—基底动脉供血不足 1 2 4例患者随机分成两组 ,埋线加灸治疗组 80例 ,西药常规对照组 44例 ,结果治疗组总有效率 96.2 5 % ,对照组总有效率 72 .7% ,经过临床疗效对比 ,治疗组明显优于对照组 (P <0 .0 1 ) ,且操作简便安全 ,经济实用 ,值得推广。

双调谐颗粒惯容系统的减震控制研究

为有效提升传统阻尼器的减震性能,文中提出一种双调谐颗粒惯容系统(particle inerter system,PIS)进一步发挥惯容系统的质量放大效应和阻尼放大效应提高阻尼器的减震控制性能,并实现轻质化减震控制。首先基于简谐激励分析了典型惯容系统C2的动力响应特性,并选取惯容系统C2与颗粒调谐质量阻尼器耦合共同实现震动控制效果;然后选用3条地震波作为外界激励,对附加PIS的单自由度结构进行数值仿真分析,将其与附加颗粒调谐质量阻尼器的结构性能作对比,发现双调谐颗粒惯容系统具有较好的减震控制效果,尤其是对均方根响应的控制。同时,以输入El Centro波为例,双调谐颗粒惯容系统能够减小阻尼器运行行程并实现轻质化设计,具有一定的实际工程应用价值。

定喘汤治疗艾滋病患者咳嗽的临床研究

目的:观察定喘汤加味治疗艾滋患者咳嗽的临床疗效。方法:按随机数字表法将86例患者分为治疗组和对照组。对照组口服急支糖浆治疗;治疗组服用中药汤剂定喘汤加味治疗,两组均7 d为1疗程。结果:治疗组有效率为92.9%,对照组有效率为75.0%,两组有效率比较,治疗组疗效明显优于对照组,差异有统计学意义(P<0.05)。结论:中药汤剂定喘汤加味治疗艾滋患者咳嗽的临床疗效确切。

辛伐他汀联合贝那普利治疗糖尿病心肌病机制分析

目的:本文分析链脲佐菌素(STZ)诱导糖尿病心肌病的发病机制及辛伐他汀联合贝那普利的治疗作用。方法:清洁级SD大鼠随机分为4组:对照组、STZ糖尿病组、JNK阻断剂SP600125干预组及辛伐他汀联合贝那普利治疗组。分析各组大鼠心功能、高密度脂蛋白(HDL)、低密度脂蛋白(LDL)、丙二醛(MDA)及超氧化物歧化酶(SOD)水平,Western Blotting分析各组大鼠心肌组织JNK1/2、pJNK1/2的表达水平。结果:糖尿病组大鼠心功能异常,HDL及SOD水平明显降低而LDL及MDA水平明显升高,且JNK1/2、pJNK1/2表达明显增高,SP600125干预组及辛伐他汀联合贝那普利治疗组的上述异常得到明显的恢复,差异均具有统计学意义(P<0.05)。结论:激活的JNK信号通路参与了STZ诱导的糖尿病心肌病损伤过程,辛伐他汀联合贝那普利通过抑制激活的JNK信号通路缓解糖尿病心肌损伤。

重叠网格在多浮体结构CFD中的应用

针对复杂海洋环境下多浮体系统的流固耦合问题,基于CFD软件中的有限体积方法,使用重叠网格法模拟了多浮体系统在波浪作用下的运动响应;首先采用重叠网格法建模计算,得到不同海况下多浮体系统的运动响应;然后进行现场试验,结果表明:模拟仿真的运动情况与实验基本相符,俯仰角和响应周期具有一致性,采用重叠网格法能够很好地模拟多浮体系统在波浪中的运动姿态变化;继而通过数值计算,得到多浮体系统在三级海况下的偏航角、翻滚角、铰接力矩和垂直水面方向位移,为多浮体系统的稳定性设计提供参考数据。

多维地震作用下高层结构振动混合控制研究

针对水平和竖向地震作用下高层建筑结构的混合振动控制问题,研究调谐质量阻尼器(tuned mass damper,TMD)体系、隔震结构体系、隔震与TMD混合控制体系3种策略对水平与竖向地震共同作用下结构振动响应的减振效果。选取典型的20层钢结构Benchmark结构模型,利用ANSYS软件建立带有TMD和隔震层结构的有限元模型,比较了结构在水平地震单独作用下与水平和竖向地震共同作用下的振动响应。结果表明,水平方向上的振动响应无明显变化;竖直方向上,有控状态下的减振指标相对于无控状态出现了增大现象,尤其是层间隔震结构增大较为明显。研究成果可为高烈度区高层隔震结构设计提供参考。

非理想型颗粒惯容系统的减震性能研究

该文考虑了非理想型惯容器中阻尼的存在,将PTMD与惯容系统(惯容单元和阻尼单元并联)相结合,提出一种新的减震系统—颗粒惯容系统(Particle Inerter System,PIS)。首先,基于简谐荷载激励分析了惯容系统的动力响应特性;随后,建立了PIS基于单自由度结构的运动控制方程,对比研究了PIS和PTMD在地震激励下的减震性能;最后,以El Centro波为例,对PIS的减震机理展开分析,并得到惯质比和阻尼系数对PIS控制效果的影响。研究表明,PIS在不同地震激励作用下的减震性能良好,相较于PTMD减震效果更好,可以有效抑制单自由度主体结构的震动;在El Centro波作用下,PIS相比于PTMD的峰值和均方根响应减震优势均在26%以上,阻尼器工作行程减少47.54%,阻尼器的耗能效率更高,进而可实现高性能要求下PTMD的轻质化设计;随着惯质比的增大,PIS的控制效果呈上升趋势,而阻尼系数则恰恰相反。