高温氧化对SiC MOS器件栅氧可靠性的影响

SiC金属氧化物半导体(MOS)器件中SiO_2栅氧化层的可靠性直接影响器件的功能。为了开发高可靠性的栅氧化层,将n型4H-SiC(0001)外延片分别在1 200,1 250,1 350,1 450和1 550℃5种温度下进行高温干氧氧化实验来制备SiO_2栅氧化层。在室温下,对SiC MOS电容样品的栅氧化层进行零时击穿(TZDB)和与时间有关的击穿(TDDB)测试,并对不同干氧氧化温度处理下的栅氧化层样品分别进行了可靠性分析。结果发现,在1 250℃下进行高温干氧氧化时所得的击穿场强和击穿电荷最大,分别为11.21 MV/cm和5.5×10-4C/cm^2,势垒高度(2.43 eV)最接近理论值。当温度高于1 250℃时生成的SiO_2栅氧化层的可靠性随之降低。

羚羊角口服液联合小剂量苯巴比妥治疗小儿高热惊厥效果观察

目的观察羚羊角口服液联合小剂量苯巴比妥治疗小儿高热惊厥(FC)复发疗效。方法选择该院2011年1月至2013年11月收治的FC患儿112例,根据入院先后顺序分为对照组和观察组各56例。在常规治疗基础上,对照组患儿采用小剂量的苯巴比妥注射治疗;观察组患儿在对照组基础上服用羚羊角口服液。比较两组FC复发情况和不良反应,同时对相关脑和心脏指标进行检测。结果对照组FC复发率显著高于观察组,第二次发作时的体温显著高于观察组,脑电图异常、痫样放电发生的病例也显著多于观察组,差异均有统计学意义。治疗后两组心肌酶谱指标都有显著性改善,且观察组降低更加显著,差异有统计学意义。两组不良反应发生率比较差异无统计学意义。结论羚羊角口服液联合小剂量苯巴比妥治疗小儿FC,可以明显降低复发率,并且可能对脑组织和心肌细胞有一定保护作用,值得进一步研究。

NO退火对4H-SiC MOS器件栅氧化层TDDB可靠性的影响

碳化硅(SiC)材料因其独特的物理和化学特性,使得SiC器件在高压大功率领域具有巨大的潜力,但是由于碳元素的存在,SiC MOS器件的栅氧化层可靠性问题一直制约SiC MOSFET器件的发展,影响SiCMOSFET器件性能和可靠性的关键因素。如何提升SiC MOS器件的TDDB可靠性,需要展开系统深入的研究。基于大量的氧化后退火工艺研究基础,氧化后在含氮氛围内退火是较为有效的手段之一,本论文系统研究NO氧化后退火工艺中温度对于4H-SiC MOS器件栅氧化层TDDB (Time-dependent dielectricbreakdown:时间相关介质击穿)可靠性的影响,通过将1350℃干氧氧化后的样品的进行不同温度的一氧化氮(NO)氧化后退火,通过TDDB对比总结氧化后退火工艺对SiC MOS器件栅氧TDDB可靠性的影响,实验结果表明,随着退火温度的增加,栅氧化层寿命逐渐增加,但是均一性却逐渐降低。

4H-SiC高温激活退火对F离子扩散的影响

离子注入工艺作为SiC MOSFET/Diode器件制造过程的重要工艺过程,离子注入后激活退火的温度直接影响注入后晶格损伤的修复效果以及离子激活的程度,离子注入和激活退火一直是研究的热点和难点。本文主要研究了离子注入后激活退火温度对离子扩散至SiC/SiO2界面处的浓度的影响,离子注入在4H-SiC(0001)面进行,注入元素F,离子注入能量25 KeV,浓度5E13 cm-2,在离子注入后,分别在500℃、700℃、900℃、1100℃下进行激活退火2 min,而后通过二次离子质谱法(SIMS)分析不同温度激活退火后F元素扩散至SiC/SiO2界面处的浓度,以及F元素扩散到背面(C-face(0001))的浓度,实验结果表明随着激活退火温度的增加,SiC材料表面的元素浓度也随之增加,实验结果发现在700℃激活退火时,SiC/SiO2界面处F元素浓度升高明显,并且扩散至C面的元素浓度相对于离子注入激活退火前的样品基本无变化。

麻杏石甘汤加减治疗小儿病毒性肺炎50例临床观察

目的观察麻杏石甘汤加减治疗小儿病毒性肺炎的临床疗效。方法选取2010年3月至2014年3月在我院接受治疗的病毒性肺炎患儿100例,随机分为治疗组和对照组各50例,治疗组采用麻杏石甘汤加减治疗,对照组采用利巴韦林注射液和阿奇霉素联合治疗。7 d为1个疗程,2个疗程后比较2组的临床疗效,并对患儿以及患儿家属进行问卷调查。结果治疗组咳嗽消失、啰音消失以及胸片恢复时间均显著短于对照组,2组比较差异有统计意义(P<0.05);治疗组总有效率为92.0%,对照组为74.0%,2组比较差异有统计意义(P<0.05);治疗组满意率为80.0%,对照组为52.0%,2组比较差异有统计意义(P<0.05)。结论麻杏石甘汤加减治疗小儿病毒性肺炎可以有效缩短病程,提高疗效,增加患儿的满意度,且无明显不良反应,值得在临床上推广应用。