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入射角度对Ti/Al(001)沉积薄膜微观结构的影响
被引量:
1
1
作者
游晓燕
陈尚达
周银库
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第16期153-155,164,共4页
采用分子动力学方法模拟Ti在Al(001)表面的薄膜生长过程,计算不同入射角度下Ti薄膜的表面粗糙度、堆积密度、径向分布函数、键对含量比。结果表明,当入射角度小于30°时,其对Ti薄膜粗糙度、堆积密度的影响很小,而当入射角度大于30...
采用分子动力学方法模拟Ti在Al(001)表面的薄膜生长过程,计算不同入射角度下Ti薄膜的表面粗糙度、堆积密度、径向分布函数、键对含量比。结果表明,当入射角度小于30°时,其对Ti薄膜粗糙度、堆积密度的影响很小,而当入射角度大于30°时,Ti薄膜粗糙度增加、堆积密度下降;入射角度对Ti薄膜微观结构的影响很小,且Ti薄膜以fcc结构为主。
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关键词
分子动力学
入射角度
Ti/Al薄膜
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职称材料
纳米Fe/Ni薄膜界面位错的形核和发射
2
作者
周银库
陈尚达
《纳米技术》
2012年第2期23-26,共4页
用分子动力学模拟的方法研究了拉伸加载下位错在Fe/Ni界面的形核和发射过程。拉伸沿Fe[1 0 0]方向进行,平行于界面。由于晶格失配,系统弛豫后在Fe(0 0 1)/Ni(1 1 0)界面处会形成长方形的失配位错网络。模拟结果显示,当应变达到7.2%时,...
用分子动力学模拟的方法研究了拉伸加载下位错在Fe/Ni界面的形核和发射过程。拉伸沿Fe[1 0 0]方向进行,平行于界面。由于晶格失配,系统弛豫后在Fe(0 0 1)/Ni(1 1 0)界面处会形成长方形的失配位错网络。模拟结果显示,当应变达到7.2%时,滑移位错首先在界面处失配位错线上形核,随着应变增加滑移位错向铁内部发射,而在镍内部并没有位错发射。当应变达到8.4%时,镍内才出现位错发射。在Fe基底中位错主要在{1 1 0}滑移面上滑移,而在Ni中主要在{1 1 1}滑移面上滑移。
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关键词
Fe/Ni界面
分子动力学
失配位错
滑移位错
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职称材料
题名
入射角度对Ti/Al(001)沉积薄膜微观结构的影响
被引量:
1
1
作者
游晓燕
陈尚达
周银库
机构
湘潭大学材料与光电物理学院
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第16期153-155,164,共4页
基金
国家自然科学基金(10702058)
博士后科学基金(20090451100)
文摘
采用分子动力学方法模拟Ti在Al(001)表面的薄膜生长过程,计算不同入射角度下Ti薄膜的表面粗糙度、堆积密度、径向分布函数、键对含量比。结果表明,当入射角度小于30°时,其对Ti薄膜粗糙度、堆积密度的影响很小,而当入射角度大于30°时,Ti薄膜粗糙度增加、堆积密度下降;入射角度对Ti薄膜微观结构的影响很小,且Ti薄膜以fcc结构为主。
关键词
分子动力学
入射角度
Ti/Al薄膜
Keywords
molecular dynamics, incident angle, Ti/A1 thin film
分类号
TP333.4 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
纳米Fe/Ni薄膜界面位错的形核和发射
2
作者
周银库
陈尚达
机构
湘潭大学材料与光电物理学院
出处
《纳米技术》
2012年第2期23-26,共4页
基金
国家自然科学基金青年基金(10702058)
中国博士后科学基金(20090451100)的资助。
文摘
用分子动力学模拟的方法研究了拉伸加载下位错在Fe/Ni界面的形核和发射过程。拉伸沿Fe[1 0 0]方向进行,平行于界面。由于晶格失配,系统弛豫后在Fe(0 0 1)/Ni(1 1 0)界面处会形成长方形的失配位错网络。模拟结果显示,当应变达到7.2%时,滑移位错首先在界面处失配位错线上形核,随着应变增加滑移位错向铁内部发射,而在镍内部并没有位错发射。当应变达到8.4%时,镍内才出现位错发射。在Fe基底中位错主要在{1 1 0}滑移面上滑移,而在Ni中主要在{1 1 1}滑移面上滑移。
关键词
Fe/Ni界面
分子动力学
失配位错
滑移位错
分类号
TG14 [金属学及工艺—金属材料]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
入射角度对Ti/Al(001)沉积薄膜微观结构的影响
游晓燕
陈尚达
周银库
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
下载PDF
职称材料
2
纳米Fe/Ni薄膜界面位错的形核和发射
周银库
陈尚达
《纳米技术》
2012
0
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职称材料
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参考文献
引证文献
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