杂质对碘化铊结构相变机理的影响

本文通过 X 光结构分析、化学分析研究了熔体生长的 TII 晶体中杂质对其结构相变的影响。结果表明:TIBr、CsI 和 PbI_2、SnI_2杂质分别以取代固溶体和键合成新化合物的方式进入碘化铊晶体之中,从而影响 TlI 晶体的结构相变。离子性较强的 TlBr 和 CsI 杂质使 TlI 的立方相不发生相变,生成室温下稳定的固溶体晶体;共价性较强的 PbI_2、SnI_2杂质和 TlI 形成类似于正交相 TII的固液同成份化合物 TlPbI_3、TlSnI_3。

TlPbl_3晶体中非化学计量比组成对微观结构的影响

本文通过化学分析和X射线结构分析相配合来研究TlPbI_8晶体中作化学计量比的组成对晶格常数、缺陷的影响。实验表明:此晶体有一个较宽的组成范围,在此组成范围内,晶体的非化学计量比组成可以导致间隙金属原子和金属离子空位二种缺陷;而且晶格常数依赖于组成元素;铊组分和晶格常数c近似成线性关系;铅和b、碘和a也近似成线性关系;从而可以获得非化学计量比组成对晶体微观结构的影响以及化学计量比组成的晶格常数。