氘化钛中氘扩散和表面复合行为研究

用核反应分析（ＮＲＡ）、前向反冲分析法（ＥＲＤ）、背散射谱法（ＲＢＳ）等离子束分析方法研究了ＴｉＤｘ／Ｍｏ样品中氘的行为。结果表明，在以化学形式存在的ＴｉＤｘ／Ｍｏ样品中氘均匀分布。在ＴｉＤ１．５／Ｍｏ膜表面存在一层２６ｎｍ的氧化层，氧含量为１．４×１０１７ｃｍ－２。达到氘化钛大量明显分解温度（３４３℃）时，氘在氘化钛中扩散系数为２．３×１０－８ｃｍ２／ｓ，表面复合系数为１．９×１０－２７ｃｍ４／ｓ。扩散系数与温度呈指数关系Ｄ＝Ｄ０ｅ－Ｅ／ｋＴ。随着表面氧含量的增加，氘在氘化钛表面复合系数逐渐减小。在ＴｉＤ１．５／Ｍｏ样品表面镀上一层约８０ｎｍ的铜膜后，复合系数增大。

计算机模拟在高能背散射分析中的应用

系统总结了计算机模拟方法在高能背散射分析中的多种应用。通过应用测得的高能背散射截面数据，更新了ＲＵＭＰ程序的高能区数据库，将其扩展到高能背散射分析之中。文章除了通过实例阐明模拟方法的优势所在之外，还以４Ｈｅ－１２Ｃ背散射为例，说明了可以借助计算机模拟快速确定非卢瑟福背散射截面．

用^3He→D核反应分析Ti中的D

用Ｄ－＾３Ｈｅ核反应分析法分析中子发生器用ＴｉＤｘ靶中Ｄ的含量ｘ。并利用Ａｕ－Ｓｉ面垒探测器测量了质子能谱，获得了该探测器的灵敏灵参量，仔细研究了半导体探测器对高能质子的响应。对质子射程同耗尽层厚度相当时的质子能谱进行的理论计算一实验现象一致。

^（16）O（α，α）^（16）O锐共振在加速器能量快速校刻及氧元素深度剖析中的应用

使用自动能量校刻程序辅助非卢瑟福背散射分析技术，实现加速器能量的快速校刻，并用１６Ｏ（α，α）１６Ｏ３．０３４ＭｅＶ锐共振精确测量了Ｗ／Ｓｉ样品的氧元素深度分布．程序的建议部分所采用的参数误差定量计算方法，简化了以往的能量校刻过程．