AlGaN异质结p-i-n型雪崩探测器

高增益AlGaN日盲雪崩探测器在国防安全与生命科学领域有重要的应用价值.本文通过引入Al_(0.2)Ga_(0.8)N/Al_(0.4)Ga_(0.6)N异质结设计,将雪崩电压从79.3 V降低到73 V,雪崩增益从1.9×10~6提高到4.8×10~6.通过数值模拟分析发现,异质界面极化电场与外加偏压方向一致,将高Al组分区域电场增强,从而降低了雪崩电压;虽然极化电场将低Al组分区域电场强度降低,但低Al组分区域离化系数大于高Al组分区域的离化系数约一个量级,空穴在高Al组分区域加速获得能量,在离化系数较高的低Al组分区域离化雪崩,提高了器件增益.