氮化硅等离子体刻蚀工艺研究

针对氮化硅刻蚀工艺中硅衬底刻蚀损伤的问题。为了提高氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比,采用CF4,CH3F和O2这3种混合气体刻蚀氮化硅,通过调整气体流量比、腔内压强及功率,研究其对氮化硅刻蚀速率、二氧化硅刻蚀速率及氮化硅对二氧化硅选择比等主要刻蚀参数的影响。实验表明,在CH,F流量为25,O2流量为40 sccm,腔内压强为67 Pa,功率为150 W的条件下,得到氮化硅对二氧化硅选择比为15∶1,非均匀性3.87%的氮化硅刻蚀工艺。

基于片上系统的时钟复位设计

从方法优化和电路设计入手,提出了基于片上系统(SOC)的复位方法和时钟复位电路。设计了片外按键复位电路、片内上电电路、晶振控制电路、片内RC低频时钟电路、槽脉冲产生电路、分频延时电路、时钟切换电路及异步复位同步释放电路等电路模块。以上电路模块构成了片上系统的时钟复位电路,形成了特定的电路时钟复位系统。该时钟复位系统将片外按键复位与片内上电复位结合起来,形成多重复位设计,相比单纯按键复位更智能,相比单纯上电复位则更可靠。另外,该时钟复位系统还采用了片内RC振荡时钟电路等一系列电路,借助片内RC时钟实现对芯片的延时复位,进而在保证复位期间寄存器得到正确初始化的同时,还使得芯片能够始终处在稳定的晶振时钟下正常工作。相比传统的时钟复位电路,该时钟复位系统既便捷,又保证了系统初始化和系统工作的可靠性。

小规模6英寸晶圆厂特气系统的维护与质量控制

文章介绍了6英寸小规模科研生产线特气系统的系统组成,对日常特气系统的维护进行了分析与阐述,同时对特气系统的质量控制做了简要的分析。

磁控溅射台电控系统的改造

针对当前磁控溅射台存在真空自动准备和手动自动切换不完善等缺点,以DV602磁控溅射台为例,对其电控系统进行了改造。设计了以PLC为控制系统核心、以触摸屏为人机接口的电控系统,控制系统的可靠性和稳定性得到提高,且界面友好,操作方便。

亚微米光栅曝光系统的应用及设备关键技术研究

半导体工艺中的光刻是芯片制造中最关键的工艺。DFB半导体激光器的腔体结构与普通半导体激光器的腔体结构不同,需要制作周期光栅,光栅周期为亚微米数量级;鉴于亚微米光栅曝光系统在半导体激光器的应用需求,瑞士一家公司研制了一款专用于亚微米周期光栅的设备Phabler 100M DUV光刻机;本系统采用了非线性晶体的倍频效应和周期性光栅的泰伯效应。这些关键技术用较低的成本实现了极高的分辨率,可以制作周期性光栅并达到100 nm的线条分辨率;掩模版和晶片的不平行将造成光刻线条的不均匀,应用CCD探测器和计算机相结合的办法是做平行度的关键调试。

基于半导体的工艺线设备配置及选型技术

半导体工艺根据产品采用不同的工艺路线,分析小规模特殊器件的工艺路线。根据产品器件需求配置相应的设备,满足生产适用性。