高校物理实验室的安全管理

在教学改革的进程中 ,各高校对加强实验室建设都非常重视。随着实验设备的增加 ,实验工作的增大以及参与实验的人员增多 ,使得实验室的安全管理、事故预防等工作变得非常重要。本文对高校物理实验室的特点及可能发生的主要安全事故进行分析 ,提出了几点安全管理措施 。

高能射线的屏蔽问题── 一种中子辐射屏蔽计算的新方法

采用实验标定与计算机模拟相结合的方法来计算中子屏蔽 ,该方法克服自由程指数衰减法的不准确性和MONTE -CARIO方法的复杂性 ,提高了计算中子屏蔽的准确性 这样 ,不但可节省屏蔽材料 。

彩色图像着色

讨论了彩色图像着色的数值计算方法 ,即根据场景中物体表面的反射光谱能量分布来计算视觉响应的三刺激值 .首先用线性模型来逼近物体表面的反射光谱连续函数 ,然后用高斯积分法、黎曼求和法进行了数值计算 ,最后把计算出来的三刺激值转化为色品坐标 。

简单实用安全驱动电路的设计

本文通过对 CCD驱动信号的分析 ,设计出一种简单实用的安全 CCD驱动电路 ,它既不需要设计同步电路 ,又可方便地与计算机相连。具有安全、简单、廉价。

网络安全的守护神——防火墙

本文介绍了防火墙技术的一些基本概念 。

用内转换电子穆斯堡尔谱研究氮离子注入纯铁和GCr15钢的温度效应

在离子束注入金属材料表面改性的研究中，氮离子束注入钢已被证实是一种很有效的表面改性方法，它能显著改善钢表面的耐磨性能，但表面性能的改善与注入条件密切相关．本文用内转换电子穆斯堡尔谱分析不同温度下注入的纯铁和ＧＣｒ１５钢，并讨论注入温度对改性的影响．

Fe^(3+)/TiO_2/SiO_2复合纳米微粒的合成及光催化降解NO_2^-

采用溶胶 -凝胶法制备了 Ti O2 / Si O2 和不同浓度 Fe3+掺杂的 Fe3+ / Ti O2 / Si O2 复合纳米粉末 ,并利用XRD、BET、UV-vis等手段研究了 Ti O2 / Si O2 及掺铁形成的 Fe3+ / Ti O2 / Si O2 复合微粒的表面结构形态变化 ,以及对污染物 NO- 2 光催化降解的影响 .结果表明 ,Fe3+ / Ti O2 / Si O2 (ω( Fe3+ ) =1 .5 % ,m( Ti)∶ m( Si) =2∶ 1 )具有最佳活性 ,样品呈晶化度较低的锐钛矿结构 .Fe3+ 掺杂导致晶粒的增大 ,稳定性降低 ,大大提高了半导体的光催化活性 ,有利于对低浓度 NO- 2

SiO2薄膜热应力模拟计算

薄膜内应力严重影响薄膜在实际中的应用.该文采用有限元模型对S iO2薄膜热应力进行模拟计算,验证了模型的准确性.计算了薄膜热应力的大小和分布,分析了不同镀膜温度、不同膜厚和不同基底厚度生长环境下热应力的大小,得到了相应的变化趋势图,对薄膜现实生长具有一定的指导意义.

Fe/Ti/Si复合纳米微粒光催化降解NO_2

采用溶胶 凝胶法制备了Ti/Si和不同浓度Fe3 + 掺杂的Fe/Ti/Si复合纳米粉末 ,并利用XRD、BET、UV vis等技术手段研究了Ti/Si及掺铁形成的Fe/Ti/Si复合微粒的表面结构形态变化 ,以及对污染物NO-2 光催化降解的影响。研究表明 ,Fe/Ti/Si复合微粒的催化活性高于Ti/Si体系 ,并且Fe/Ti/Si[ω(Fe3 + ) =1 .5% ,m(Ti) m(Si) =2 1 ]具有最佳活性 ,样品呈晶化度较低的锐钛矿结构。Fe3 + 掺杂导致晶粒的增大 ,稳定性降低 ,大大提高了半导体的光催化活性 ,有利于对低浓度NO-2 的光催化降解。

Ge基二维正方晶格光子晶体带隙优化设计

采用平面波展开法模拟二维光子晶体在E极化和H极化下的能带结构,研究Ge基二维正方品格光子晶体的填充比以及晶格排列结构对最大禁带宽度的影响.结果表明:在空气背景材料中填充Ge柱的介质柱结构中,可产生TE、TM带隙,且各方向完全带隙出现在r/a =0.19～0.47范围内,最大完全带隙禁带宽度可以达到0.064(归一化频率);在选取Ge为背景材料的空气孔型结构中,同样可产生TE、TM带隙,且各方向完全带隙出现在r/a=0.46～0.49范围内,最大完全带隙禁带宽度可以达到0.051(归一化频率).同时,不论在介质柱型还是空气孔L型结构中,带隙宽度都随着r/a的增大呈先增大后减小的趋势.

一种具有GaInAsN/GaAs量子阱结构的三结太阳能电池的设计

该文使用传输矩阵法分析了GaInAsN/GaAs量子阱对电子的透射情况,并使用crosslight软件对GaInAsN/GaAs量子阱太阳能电池的伏安特性进行了数值模拟和分析。初步讨论了量子阱的阱宽和垒厚的变化对量子阱电池伏安特性的影响.模拟结果发现垒厚32nm、阱宽7nm的量子阱光伏性能表现良好。作为有源区,当将该量子阱加入到GaAs子电池中,InGaP/GaAs/Ge三结电池在AM0下的短路电流密度达到19.81mA/cm2,比未使用量子阱有源区的三结电池提高了20%。

退火后无应变Ga_(1-x)In_xN_yAs_(1-y)/GaAs量子阱的带隙

针对快速热退火引起的N最近邻原子环境的变化,建立了热平衡态下Ga1-xInxNyAs1-y合金中各二元化合键的统计分布模型.并将理论计算得到的N周围平均In原子数r引入到BAC经验模型中,对退火后的Ga1-xInxNyAs1-y体材料带隙进行了计算.最后,利用讨论BAC模型中电子波函数边界条件的方法,计算了无应变Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱的带隙.

应变SiGe层中本征载流子浓度的计算

采用解析的方法研究了应变Si_(1-x)Ge_x层中本征载流子浓度n_i与Ge组分x、温度T、掺杂浓度N的定量依赖关系;拟合了价带有效态密度公式和重掺杂禁带变窄公式。发现在一定掺杂浓度下,本征载流子浓度随Ge组分的增加而变大,并且本征载流子浓度增加的速度越来越快。在一定Ge组分下,本征载流子浓度随掺杂浓度的增加而变大。随着掺杂浓度的增加,本征载流子浓度的增长速度变得越来越缓慢。

从蚕粪中提取膏状叶绿素工艺研究

以不同产地三个平行春蚕粪样和两个秋蚕粪样为原料研究了提取膏状叶绿素的工艺过程.叶绿索样品1,2号经中山大学中心实验室用日本生产的UV130A紫外分光光度计分析鉴定,达到质量检验标准,属合格产品产率达到2.3%.此项研究成本低廉,为综合利用地方资源和蚕农致富提供一条途径.

p型重掺杂应变Si_(1-x)Ge_x基区内建电场的物理机制

采用解析的方法计算了在基区掺杂为高斯分布,Ge组分分布为三角形分布和矩形三角形分布时基区内建电场的变化情况.重新拟合了价带有效态密度公式,并在计算内建电场时考虑了导带有效态密度的影响.发现加入Ge组分后引起的导带有效态密度变化、价带有效态密度变化以及禁带宽度变窄量变化对基区内建电场的影响要大于掺杂对内建电场的影响.Ge组分为三角形分布时,在总的Ge组分一定的条件下,内建电场从发射结到集电结逐渐变大.在任一给定位置x处,内建电场随着Ge组分的增加而增大.当Ge组分分布为矩形三角形分布时,对于给定的Ge组分转折点x1,基区内建电场从发射结到集电结缓慢地增大.在Ge组分恒定的区域,内建电场变化甚微,在Ge组分为线性缓变区域的同一位置x处,内建电场随Ge组分转折点x1的增大而缓慢地增大.此外,在x1附近内建电场变化有一个很大的陡坡.

一维异质光子晶体MgF_2/CdSe的可见光波段研究

将MgF2／CdSe构建一维异质光子晶体，利用传输矩阵法，分析了电磁波在此结构中的带隙结构。计算结果表明：MgF2／CdSe一维异质光子晶体结构在可见光波段具有良好的反射性质。其非异质结构光子晶体带隙的耦合，能够克服多介质层非异质光子晶体带隙窄、受入射角影响大的困难，得到的475～556nm波段内不受入射角度和偏振模式影响的完全光子带隙，可作为可见光波段全反射镜很好的材料选择。

不确定度在理工科大学物理实验中的应用

就理工科大学物理实验中不确定度的评定方法进行了探讨。并通过实例阐述不确定度在大学物理实验中的应用。

p型重掺杂应变Si_(1-x)Ge_x层中少子常温和低温行为

采用解析的方法计算了少数载流子浓度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系。发现常温时,在同一掺杂浓度下,少子浓度随Ge组分的增加而增大,其增加的速度越来越快;在同一Ge组分下,少子浓度随掺杂浓度的增加而减少,其减少的速度越来越慢。低温下,在考虑杂质不完全电离的同时,对由非简并情形向简并情形过渡的杂质电离出来的空穴浓度进行了修正,发现在同一Ge组分下,少子浓度随掺杂浓度的增加而增大,其增加的速度变得越来越快。同一掺杂浓度下,少子浓度随Ge组分的增加而增大,其增加的速度,轻掺杂时增加的较慢,重掺杂时增加得越来越快。

基区重掺杂对InGaAs/InAlAs突变HBT电流输运的影响

基区重掺杂产生禁带变窄效应(BGN),从而导致HBT突变异质结界面的势垒高度发生改变,这会严重影响载流子的电流输运.该文基于Jain-Roulston禁带收缩模型及电流输运机理,对电子的传输进行了深入的分析,并与实验数据进行了比较,结果表明:在基区重掺杂的条件下,考虑BGN对电流输运的影响,对于准确描述电流的输运现象是非常有必要的.

二维三角型金属氧化物光子晶体全带隙研究

提出了一种抑制微带天线表面波传播的方法:将过渡金属氧化物作为二维三角型光子晶体介质柱,以显著改善天线的性能。利用平面波展开法,计算了分别由Co O、Cu O和Zn O三种过渡金属氧化物构成的二维三角型光子晶体的全带隙结构,得出了全带隙宽度gapwidth、中心频率gapmid以及带隙率gapratio与填充比F之间的关系曲线。研究表明,过渡金属氧化物可构成具有较宽微波波段全带隙的光子晶体,在微波领域具有很高的实用性。最大全带隙宽度均在0.06ωa/2πc以上,Co O光子晶体带宽最大为0.118ωa/2πc,带隙率可达到24.255%,当填充比增大时,中心频率由高频逐渐向低频移动。