AI+安全:数智化安全生产新阶段

国务院安委会2024年1月发布《安全生产治本攻坚三年行动方案(2024—2026年)》,要求加快推动安全生产监管模式向事前预防数字化转型,结合人工智能、大数据、物联网等技术,持续加大危化品重大危险源、矿山、尾矿库、建设施工、交通运输、水利、能源、消防、工贸钢铁、铝加工(深井铸造)、粉尘涉爆、烟花爆竹、油气储存、石油天然气开采等行业领域安全风险监测预警系统建设应用和升级改造力度。基于政策背景,企业安全生产数智化转型进入落地阶段,数智技术赋能安全生产大有可为。

28nm高K金属栅技术平台光阻回刻工艺中提高刻蚀工艺稳定性的方法研究

阐述在28nm高K金属栅(28HKMG)技术平台中解决NMOS/PMOS区域栅极阻挡层高度差的主要方案,是在金属栅极制造工艺前插入光阻回刻系列工艺流程,使NMOS区域与PMOS区域的栅极高度获得一致。但该方案在实际量产中的主要难点是第二道回刻工艺(Etch Back2,即EB2)不稳定,腔体的刻蚀速率与面内分布随着作业时间的增加会出现明显的趋势变化,导致产品端用于表征刻蚀结果的量测参数“牛角高度”(Spacer1二氧化硅保护层高度与栅极高度之间的高度差)在片内具有较高波动性,易造成缺陷,无法安全生产。为此,详细探讨28HKMG平台EB2刻蚀工艺不稳定的原因,并针对实际量产过程中发生的异常,给出切实可行的解决方案,有利于维护腔体微环境稳定,提高产品质量。

草酸盐共沉淀法制备Y_(1.84)La_(0.16)O_3纳米粉体

透明Y2O3陶瓷，具有很好的光学、热学、化学和物理特性。而且在很宽的光谱范围内都光学透明。它本身没有双折射现象．在红外和远红外具有较高的直线透过率，所以，将透明Y2O3陶瓷作为激光增益介质引起了人们广泛的兴趣。但是．采用一般商业的Y2O3微粉很难制备出透明陶瓷，而且烧结温度高（大于2000℃）。所以，采用Y2O3纳米粉体烧结透明陶瓷已经越来越得到重视。日本的Saito等与我国东北大学的孙旭东等．均利用碳酸盐沉淀法制备出了Y2O3纳米粉体，并且利用其粉体烧结出透明陶瓷。烧结温度可降至1700℃。

用纳米粉制备Nd:Y_(1.84)La_(0.16)O_3透明陶瓷

用碳酸盐共沉淀法制备一种新的掺钕氧化镧钇(Nd:Y1.84La0.16O3)纳米粉体,得到颗粒细小、均匀、分散性好、粒径为50～60nm的Nd:Y1.84La0.16O3纳米粉体。分别采用Nd:Y1.84La0.16O3纳米粉料和商业粉料,用传统陶瓷无压烧结工艺制备Nd:Y1.84La0.16O3透明陶瓷。Nd:Y1.84La0.16O3纳米粉制备的陶瓷样品的组分均匀、几乎不存在第二相,具有较高的透过率。商业粉制备的陶瓷样品因混料不均匀而在晶界处存在部分第二相,降低了陶瓷的透过率。此外,还运用体视学法预测了2种陶瓷透过率的相对高低,分析了三维结构参数对陶瓷光学性能的影响。

用Judd-Ofelt理论计算Nd^(3+)掺杂氧化镧钇透明陶瓷的光谱参量

采用传统无压烧结工艺制备Nd3 +掺杂的氧化镧钇透明激光陶瓷,测试了其吸收和荧光光谱.采用Judd-Ofelt理论对Nd3 +掺杂量为1 .5at %的样品光谱参量进行了计算.根据吸收光谱,拟合得到三个强度参量分别为:Ω2=6 .57×10-20cm2,Ω4=2 .04×10-20cm2,Ω6=4 .38×10-20cm2.根据这三个参量计算了样品的辐射寿命,跃迁几率,荧光分支比,量子效率和品质因子,并对结果作了分析.

热固型涂料中溶剂的选择

综述了热固型涂料中溶剂的特性要求，提出了溶剂的选择原则，并介绍了几种常用溶剂。

半导体刻蚀工艺的晶圆背面颗粒研究

半导体制造过程中,干法刻蚀工艺需要晶圆背面与设备接触,把晶圆固定和支撑住,掌握晶圆背面颗粒状态对半导体工艺制程相当重要。本文主要研究前段刻蚀工艺后晶圆背面颗粒的状态、对工艺制程的影响以及降低这种影响的方法。前段刻蚀工艺由于稳定性、精确性和准确性的高要求,需要在每片晶圆作业完后对刻蚀腔体进行自身清洁和聚合物再淀积,以此来保证每片晶圆都有一致的刻蚀环境,刻蚀腔体中的静电吸盘(ESC)表面会覆盖聚合物,此聚合物的反应对温度非常敏感,由于ESC本身硬件的特性,表面聚合物淀积不均匀,造成与其接触的晶圆背面颗粒数很高。对其他晶圆正面造成严重的影响,分析晶圆背面颗粒在设备传输过程中的变化,通过优化晶圆冷却装置和冷却时间,有效地降低晶圆背面颗粒对其他晶圆正面的影响。

印铁油墨中溶剂体系的选择

一、概述 溶剂在油墨中占有相当大的比例,起着必不可少的作用。但溶剂在油墨中的作用往往未被重视。好象它是挥发份,最后总是要挥发掉而不留在漆膜中,所以对漆膜质量不会产生很大影响。其实不然。由于各种溶剂的溶解力及挥发率、沸点等各不相同,那么它们对于油墨在生产、贮藏。

紫外光固化技术浅淡

目前,在印刷行业,光固化技术是一种较先进的新技术,光固化技术又主要以紫外光光固化(Ultraviolet)为主,简称UV固化,其余还有红外光,可见光固化等.UV固化是利用紫外线中的200～450nm光子源进行照射,在光引发剂的作用下,使UV油墨连结料中的碳碳双键的自由基聚合或环氧及烯醚的阳离子聚合而干燥结膜,因而UV油墨的性能对于UV固化最终结果有着至关重要的决定意义.UV固化不需要热源、不含溶剂,并且能快速固化(固化时间可少于一秒),正因为如此,所以这种技术一面世便受到许多应用厂商的青睐,这也正是这种技术得到迅速推广和运用的主要原因.随着我国印刷行业的不断发展。

紫外光光固化技术

一、简介 目前,在包装印刷行业,光固化技术是一种较先进的新技术。光固化主要以紫外光光固化(Ultraviolet)为主,简称UV固化,其余类别还有红外光、可见光等固化方式。UV固化是利用紫外光中的200～450nm光子源进行照射,在光引发剂作用下,使UV油墨连结料中碳碳双键的自由基聚合或环氧以及烯醚的阳离子聚合而干燥结膜,因而UV油墨的性能对于UV固化最终结果有着非常重要的影响。UV固化不需热源、不含溶剂、并且能快速固化(固化时间可少于一秒),正因为如此,所以这种新技术一面世便受到许多应用厂商的青睐。近几年这种技术得到了迅速推广和应用,现在,它正应用于极其广阔的领域,如印刷业、电子、工业制版、金属饰涂与装璜以及其他高新领域。

热固性丙烯酸印铁涂料

以热固性丙烯酸树脂制备了印铁涂料。讨论了钛白、热固性丙烯酸树脂的用量、溶剂的配比、催化剂的用量对涂料性能的影响。

多晶硅栅极刻蚀过程中边缘刻蚀缺陷的研究及改善

刻蚀缺陷是半导体制程中最关键和最基本的问题,理想的等离子体刻蚀工艺过程中,刻蚀气体必须完全参与反应而形成气态生成物,最后由真空泵抽离反应室。但实际上,多晶硅栅极等离子体刻蚀过程中,生成的反应聚合物(polymer)无法由真空泵抽离反应室而附着在刻蚀腔壁上,造成反应室的污染,有些甚至附着在晶圆表面而形成元器件的微粒子污染,造成产品良率下降甚至报废。本文通过改变调整刻蚀工艺参数等方式,成功解决了多晶硅栅极刻蚀工艺制程中反应生成物转变为微粒子污染物这一问题,使得产品良率提升了3%,刻蚀反应腔体保养时数延长了一倍,晶圆报废率降低了0.03%。

La_2O_3对Yb:Y_2O_3透明陶瓷光谱性能的影响

研究了La2O3对Yb:Y2O3透明陶瓷光谱性能的影响,添加适量La2O3以后,Yb:Y2O3透明陶瓷的吸收峰和发射峰的位置不变,但由于La3+的离子半径大于Y3+的离子半径,在Y2O3中引入La3+离子后,导致Y2O3晶格常数变大,晶场强度变弱,同时降低了Y2O3晶体的有序度,致使发射峰强度有所下降,发射截面变小.过量的La2O3(x=0.16)造成Yb3+激活离子发射强度明显下降;其荧光寿命在添加La2O3后总体增大45%—60%.

Er^(3+)/Yb^(3+)共掺的氧化镧钇透明陶瓷的光谱性能研究

采用传统无压烧结工艺制备了Yb3+/Er3+共掺的氧化镧钇透明陶瓷并对其光谱性能进行了研究.样品具有较大的吸收和发射截面.La2O3的添加使样品的荧光寿命(τs)与玻璃接近,当Yb3+和Er3+的掺杂量分别为5at%和0.5at%时,测得τs=9.65ms.这种荧光寿命长、发射截面大和线宽窄的特性有利于微型、可集成化和大功率激光输出的实现.

Nd^(3+)掺杂的氧化镧钇透明激光陶瓷的光谱性能研究

采用传统无压烧结工艺制备了Nd3+掺杂的Y2-2xLa2xO3(x=0·08)透明陶瓷并对其光谱性能进行了研究.结果表明:Nd3+:Y1·84La0·16O3透明陶瓷在780—850nm的波长范围内有较宽的吸收带.当Nd3+掺杂量为1·5at%时,在820nm和激光二极管抽运的808nm处的吸收截面分别为σabs(820nm)=1·81×10-20cm2,σabs(808nm)=1·54×10-20cm2.最强的发射峰位于1078nm处,并具有荧光寿命长、发射带宽宽、量子效率高等特点.加入La2O3后,基质的光谱品质参数XNd由1·6减小到0·46,因此和4F3/2—4I11/2跃迁相对应的荧光分支比βJ,11/2增大为56·82%.Nd3+:Y1·84La0·16O3透明陶瓷的这些性质有利于高效率的激光输出和超短锁模激光脉冲的实现.

14nm后段微型金属桥接缺陷的研究与解决方案

摩尔定律发展到14nm及以下工艺节点后,微型金属桥接(Metal Micro-Bridge)缺陷成为光刻工艺中合格率的关键点。在研发道路上,投入大量资源用以改善该缺陷。基于原因,在14nm工艺研发中,改善降低Metal micro-Bridge的各项有效措施和各种探索。使14nm工艺平台后段Micro-Bridge缺陷从平均2.9ea逐步降低到0.28ea,为14nm工艺研发成功做出努力,为后续12/7nm等先进工艺研究提供经验。