γ射线辐照对BJT硅器件参数的影响

研究了３种不同类型的ＢＪＴ硅晶体器件，经γ射线辐照、理化处理后，其反向截止电流、反向击穿电压、饱和压降。

γ射线在BJT型器件中引起的A中心和E中心

研究了3种不同掺杂浓度的BJT型(n-p-n,p-n-p)硅晶体器件在γ射线辐照下产生的A中心和E中心。A中心的产额随吸收剂量的增加而增加,掺杂浓度对它的影响相对较小;E中心的产额最初也随吸收剂量的增加而增加,但达到一极大值后则逐渐减少,掺杂浓度越高,E中心的产额越大。

潜水电泵中传感器的工作原理及其监控保护

介绍了监控潜水电系电机绕组，轴承过热和电机浸水传感器的工作原理，并简要叙述应用传感器实现监控保护的方法。

n—p—n型硅器件中缺陷中心对载流子的影响

研究了两种不同掺杂工艺的n-p-n型硅器件在^(60)Co的γ射线辐照前后产生的缺陷中心,讨论了它们在330～530K温度范围漂白对载流子相对浓度的影响。