SiC MOSFET伽马辐照效应及静态温度特性研究

研究了SiC功率MOSFET的γ辐照总剂量效应,获得了其在不同总剂量辐照以及不同环境温度下的输出特性和转移特性,并探究了γ辐照和环境温度对阈值电压、漏极饱和电流、工作状态的影响规律。研究结果表明,栅氧化层的辐照损伤是导致SiC MOSFET性能退化的主要原因。器件的输出特性、阈值电压及工作状态受辐照剂量影响明显,经室温退火后,器件性能有一定恢复。器件静态特性随温度的变化规律不易受γ辐照影响,辐照前后其阈值电压的温度系数均约为-2.71 mV/K,表明该器件阈值电压具有较好的温度稳定性。

齐纳二极管电子辐照特性研究

研究了电子辐照前后齐纳二极管在不同温度下的直流参数特性以及其动态响应。根据直流伏安特性提取齐纳管理想因子n,发现高注量下n有明显增大,表明辐照引入了复合中心。该器件室温下的直流参数稳定,辐照引起的变化不明显;较高温度下,击穿电压和正向压降等变化稍大。在动态响应的研究中,瞬态电压消失后,电流迅速减小并产生了随时间衰减的振荡。高注量的样品振荡时间相较于低注量的样品有明显的延长,这个延长在器件室温存放之后发生了消退。

半导体脉冲激光器发展综述

半导体脉冲激光器的结构、材料、加工工艺和驱动电源特性是其性能的重要影响因素,结合脉冲宽度、输出功率和重复频率等技术指标,综述了半导体脉冲激光器的发展与研究现状,着重介绍了窄脉冲叠加直流偏置法、储能元件的应用、高速开关的级联或阵列、可编程逻辑器件的应用以及器件选型和布局创新这5种驱动电源性能提升方式,并指出目前技术存在的不足。最后,对半导体脉冲激光器的发展趋势进行了展望。