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α-Si:H多层膜切面电镜观察分析
1
作者
惠恒荣
徐玉辉
唐方奎
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第1期77-80,共4页
本文制备了六种不同结构的 α-Si:H 多层膜结构,对其切面进行了扫描电镜观察分析.结果表明:辉光法生长 α-Si:H 膜过程中存在沉积和刻蚀一对对抗性矛盾,在常规工艺下各层界面不明显存在,在特殊条件下,可能生长出尺度不同的微晶镶嵌在非...
本文制备了六种不同结构的 α-Si:H 多层膜结构,对其切面进行了扫描电镜观察分析.结果表明:辉光法生长 α-Si:H 膜过程中存在沉积和刻蚀一对对抗性矛盾,在常规工艺下各层界面不明显存在,在特殊条件下,可能生长出尺度不同的微晶镶嵌在非晶网络中。
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关键词
α-Si:H
多层膜
扫描电镜
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职称材料
题名
α-Si:H多层膜切面电镜观察分析
1
作者
惠恒荣
徐玉辉
唐方奎
机构
电子科技大学微电子科学与工程系
出处
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第1期77-80,共4页
文摘
本文制备了六种不同结构的 α-Si:H 多层膜结构,对其切面进行了扫描电镜观察分析.结果表明:辉光法生长 α-Si:H 膜过程中存在沉积和刻蚀一对对抗性矛盾,在常规工艺下各层界面不明显存在,在特殊条件下,可能生长出尺度不同的微晶镶嵌在非晶网络中。
关键词
α-Si:H
多层膜
扫描电镜
Keywords
amorphous hydrogenated silicon
multilayer films
scanning electron microscope(SEM)
crystallite
分类号
TN304.8 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
α-Si:H多层膜切面电镜观察分析
惠恒荣
徐玉辉
唐方奎
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990
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