1
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一种43 GHz超高带宽线性驱动电路设计 |
曾虹铭
唐昭焕
陈宏伟
黄俊
陈容
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《微电子学》
CAS
北大核心
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2023 |
0 |
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2
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新型范德华绝缘体封装的MoS_(2)晶体管性能研究 |
袁恺
闵成彧
陈鹏堃
胡欢
黄俊
杨帆
唐昭焕
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《微电子学》
CAS
北大核心
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2023 |
0 |
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3
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功率VDMOS器件抗SEB/SEGR技术研究进展 |
唐昭焕
杨发顺
马奎
谭开洲
傅兴华
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《微电子学》
CSCD
北大核心
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2017 |
4
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4
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评价IC芯片质量与可靠性的关键技术研究 |
唐昭焕
周铭
徐岚
刘勇
阚玲
梁涛
税国华
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
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2011 |
2
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5
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TiW合金阻挡层对Cu/Cu^2+扩散的阻挡能力研究 |
唐昭焕
梁涛
刘勇
谭开洲
王飞
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
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2009 |
1
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6
|
双层铝互连倒梯形通孔刻蚀技术研究 |
唐昭焕
王大平
梁涛
李荣强
王斌
任芳
崔伟
谭开洲
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
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2012 |
1
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7
|
一种实用的高压BiCMOS关键工艺技术研究 |
唐昭焕
刘勇
王志宽
谭开洲
杨永晖
胡永贵
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
1
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8
|
100V N沟道VDMOS寄生电容研究 |
唐昭焕
刘勇
胡永贵
羊庆玲
杨永晖
谭开洲
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
|
2010 |
1
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9
|
特种器件厚外延前后图形转移方法研究 |
唐昭焕
任芳
谭开洲
杨发顺
王斌
刘勇
陈光炳
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
|
2011 |
0 |
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10
|
基于多晶外基区及SIC技术的高速NPN管设计 |
唐昭焕
甘明富
钟怡
谭开洲
刘勇
杨永晖
胡刚毅
徐学良
李荣强
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
|
2011 |
0 |
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11
|
一种Nanometrics膜厚测试仪精密度评价方法 |
唐昭焕
徐岚
刘勇
税国华
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
0 |
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12
|
宇航VDMOS器件单粒子辐射加固技术综述 |
唐昭焕
谭开洲
胡刚毅
杨发顺
马奎
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《微电子学》
CAS
北大核心
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2020 |
0 |
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13
|
微纳米CMOS VLSI电路可靠性仿真与设计 |
罗俊
郝跃
秦国林
谭开洲
王健安
胡刚毅
许斌
刘凡
黄晓宗
唐昭焕
刘勇
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
|
2012 |
5
|
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14
|
PJFET与双极兼容工艺技术研究 |
税国华
唐昭焕
刘勇
欧宏旗
杨永晖
王学毅
黄磊
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
|
2009 |
2
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15
|
低噪声CMOS图像传感器技术研究综述 |
刘嵘侃
邢德智
唐昭焕
徐炀
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《半导体光电》
CAS
北大核心
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2020 |
8
|
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16
|
一种新颖的600V浮空埋层结构 |
刘嵘侃
谭开洲
唐昭焕
刘勇
冉明
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
|
2014 |
1
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17
|
(100)Si基应变p型金属氧化物半导体[110]晶向电导率有效质量双椭球模型 |
宋建军
包文涛
张静
唐昭焕
谭开洲
崔伟
胡辉勇
张鹤鸣
|
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2016 |
0 |
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18
|
三维功率MOSFET器件漏极持续电流分析方法 |
林洁馨
杨发顺
马奎
唐昭焕
傅兴华
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《现代电子技术》
北大核心
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2016 |
0 |
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19
|
评价功率VDMOS器件SEB效应的畸变NPN模型 |
冯筱佳
唐昭焕
杨发顺
马奎
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《微电子学》
CAS
北大核心
|
2020 |
0 |
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20
|
基于锎源的N沟道VDMOS器件单粒子效应研究 |
陈佳
乔哲
唐昭焕
王斌
谭开洲
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
|
2014 |
2
|
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