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题名基于模拟总线接收端的CMOS增益可编程LNA
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作者
方康明
尹韬
唐林怀
陈振雄
高同强
杨海钢
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机构
中国科学院电子学研究所
中国科学院大学
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出处
《太赫兹科学与电子信息学报》
北大核心
2018年第6期1113-1119,共7页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61474120)
国家重点基础研究发展计划资助项目(2014CB744600)
北京市科技重大专项资助项目(Z171100000117019)
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文摘
面向模拟总线接收器应用,设计实现了一款CMOS增益可编程低噪声放大器(LNA)。内置高/中/低增益3个信号放大通路,以满足不同信号幅度情况下的模拟总线接收时的噪声、线性度与输入阻抗等性能需求。提出电容补偿漏电流方法提高高增益信号通路放大器的输入阻抗,同时采用带宽拓展负载方法降低信号相移,解决放大器相移造成电流补偿能力降低的问题。中/低增益信号通路放大器采用差分多门控晶体管(DMGTR)和负反馈技术提高放大器线性度。放大器基于0.18μm CMOS工艺设计,在1~33 MHz频段,增益范围为-14.3~25 dB,输入阻抗大于2.4 k?,输入三阶交调点(IIP3)为-1.6dBm(最大为20.7dBm),在25dB增益下等效输入噪声为1.79 nV/Hz(1/2)@1 MHz~0.87 nV/Hz(1/2)@33 MHz,1.8 V电源电压下工作电流为6.5 mA。
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关键词
低噪声放大器
输入阻抗提高
差分多门控晶体管
输入三阶交调点
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Keywords
Low Noise Amplifier
high-input impedance
Differential Multiple Gated Transistor
Input Third-order Intercept Point
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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