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单根ZnO纳米线的光敏及场效应管性质研究 被引量:1
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作者 唐欣月 张锷 高红 《哈尔滨师范大学自然科学学报》 CAS 2014年第3期66-68,84,共4页
采用化学气相沉积法合成了ZnO纳米线,并对其进行了扫描电镜以及光致发光表征.基于ZnO纳米线,采用微栅模板法制备了光电器件及背栅场效应晶体管.利用半导体参数测试仪测量了ZnO纳米线的I-V特性、光响应特征及场效应管的输出特性等.实验表... 采用化学气相沉积法合成了ZnO纳米线,并对其进行了扫描电镜以及光致发光表征.基于ZnO纳米线,采用微栅模板法制备了光电器件及背栅场效应晶体管.利用半导体参数测试仪测量了ZnO纳米线的I-V特性、光响应特征及场效应管的输出特性等.实验表明,ZnO纳米线具有良好的紫外光敏感度,预示了良好的光电探测应用前景及FET的应用可能性. 展开更多
关键词 ZNO 纳米线 光响应 场效应管
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光辐照对单根In掺杂ZnO纳米线电学性质的影响
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作者 王明姣 高红 +2 位作者 温静 唐欣月 张锷 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期345-349,共5页
通过化学气相沉积方法成功制备了高质量的In掺杂ZnO纳米线。选用325 nm的He-Cd激光器做为光源,进一步探究了单根In掺杂ZnO纳米线的光响应特性。结果表明:紫外光辐照可使金属电极与纳米线之间的有效肖特基接触势垒下降,使接触类型由肖特... 通过化学气相沉积方法成功制备了高质量的In掺杂ZnO纳米线。选用325 nm的He-Cd激光器做为光源,进一步探究了单根In掺杂ZnO纳米线的光响应特性。结果表明:紫外光辐照可使金属电极与纳米线之间的有效肖特基接触势垒下降,使接触类型由肖特基接触转变到欧姆接触;撤去紫外光后,电极与纳米线之间的接触可以恢复到未光照时的肖特基接触。讨论了肖特基接触与欧姆接触之间转变的物理机制。 展开更多
关键词 铟掺杂ZnO纳米线 紫外光辐照 肖特基接触 欧姆接触
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单根ZnO纳米线低温条件下的电子输运及光敏性质
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作者 顾海佳 唐欣月 杨守斌 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期600-603,共4页
用化学气相沉积的方法合成了ZnO纳米线,采用微栅模板法制得电极从而获得欧姆接触的单根ZnO纳米线半导体器件.通过研究60~300 K范围内的电阻变化情况,发现在整个温度区间内存在热激活和近程跳跃两种传输机制.在300,200,100K的条件下分... 用化学气相沉积的方法合成了ZnO纳米线,采用微栅模板法制得电极从而获得欧姆接触的单根ZnO纳米线半导体器件.通过研究60~300 K范围内的电阻变化情况,发现在整个温度区间内存在热激活和近程跳跃两种传输机制.在300,200,100K的条件下分别测试了器件的紫外光响应和恢复情况,结果表明:低温下器件对紫外光的敏感性提高,电流的恢复时间随着温度的降低而延长. 展开更多
关键词 ZNO纳米线 低温 传输机制 紫外光敏
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In掺杂ZnO纳米带电学性质的研究
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作者 潘思明 高红 +3 位作者 郎颖 李凯 唐欣月 顾海佳 《哈尔滨师范大学自然科学学报》 CAS 2012年第6期33-35,38,共4页
利用化学气相沉积法成功合成了In掺杂ZnO纳米带.通过扫描电子显微镜、X射线能谱仪对样品进行表征.利用微栅模板法制备欧姆接触的光电器件,研究了器件的伏安特性曲线及紫外光敏特性.结果表明,In掺杂ZnO纳米带的导电能力远远高于纯ZnO纳米... 利用化学气相沉积法成功合成了In掺杂ZnO纳米带.通过扫描电子显微镜、X射线能谱仪对样品进行表征.利用微栅模板法制备欧姆接触的光电器件,研究了器件的伏安特性曲线及紫外光敏特性.结果表明,In掺杂ZnO纳米带的导电能力远远高于纯ZnO纳米带,电阻仅为纯ZnO纳米带的1/50,但是其光敏特性不及纯ZnO纳米带,开关比仅为纯ZnO纳米带的1/20. 展开更多
关键词 In掺杂ZnO纳米带 微栅模板法 伏安特性 光响应
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Au纳米颗粒对单根ZnO纳米带电学性质的影响
5
作者 程秀轩 马姝哲 唐欣月 《哈尔滨师范大学自然科学学报》 CAS 2015年第3期90-93,共4页
利用化学气相沉积法在硅衬底上合成高产的Zn O纳米带,采用微栅模板法得到单根Zn O纳米带半导体器件,通过溅射Au纳米颗粒对单根Zn O纳米带进行表面修饰,测得器件在紫外光和暗环境下的I-V特性曲线,研究了影响单根Zn O纳米带光电流和暗电... 利用化学气相沉积法在硅衬底上合成高产的Zn O纳米带,采用微栅模板法得到单根Zn O纳米带半导体器件,通过溅射Au纳米颗粒对单根Zn O纳米带进行表面修饰,测得器件在紫外光和暗环境下的I-V特性曲线,研究了影响单根Zn O纳米带光电流和暗电流的因素.结果表明:Au纳米颗粒对两种环境下的电流变化的影响是不同的,光电流随Au纳米颗粒的增多呈现先增大后减小的变化趋势,而暗电流随Au纳米颗粒的增多呈现持续增大的变化趋势.讨论了影响电流变化的可能的机制. 展开更多
关键词 ZNO纳米带 紫外光敏 表面修饰
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靶向叶酸受体α的抗体偶联物治疗卵巢癌研究进展 被引量:1
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作者 唐欣月 胡元晶 《现代妇产科进展》 CSCD 北大核心 2022年第7期545-547,共3页
分子靶向治疗是卵巢癌中重要的治疗策略之一,寻找合适的靶点至关重要。针对叶酸受体α,已开展了多项临床前及临床研究,展现出一定的临床获益,是具有前景的卵巢癌治疗靶点之一。现对靶向叶酸受体α的抗体药物偶联物在卵巢癌治疗中的研究... 分子靶向治疗是卵巢癌中重要的治疗策略之一,寻找合适的靶点至关重要。针对叶酸受体α,已开展了多项临床前及临床研究,展现出一定的临床获益,是具有前景的卵巢癌治疗靶点之一。现对靶向叶酸受体α的抗体药物偶联物在卵巢癌治疗中的研究进展进行综述。 展开更多
关键词 卵巢癌 叶酸受体Α 抗体偶联药物 靶向治疗
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Synthesis and electrical properties of In_2O_3(ZnO)_m superlattice nanobelt
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作者 唐欣月 高红 +4 位作者 武立立 温静 潘思明 刘欣 张喜田 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第2期394-398,共5页
One-dimensional(ID) In2O3(ZnO)m superlattice nanobelts are synthesized by a chemical vapor deposition method.The formation of the In2O3(ZnO)m superlattice is verified by the high-resolution transmission electron... One-dimensional(ID) In2O3(ZnO)m superlattice nanobelts are synthesized by a chemical vapor deposition method.The formation of the In2O3(ZnO)m superlattice is verified by the high-resolution transmission electron microscopy images.The typical zigzag boundaries could be clearly observed.An additional peak at 614 cm^-1 is found in the Raman spectrum,which may correspond to the superlattice structure.The study about the electrical transport properties reveals that the In2O3(ZnO)m nanobelts exhibit peculiar nonlinear I-V characteristics even under the Ohmic contact measurement condition,which are different from the Ohmic behaviors of the In-doped ZnO nanobelts.The photoelectrical measurements show the differences in the photocurrent property between them,and their transport mechanisms are also discussed. 展开更多
关键词 In2O3(ZnO)m SUPERLATTICE electrical properties
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单根In掺杂ZnO纳米带场效应管的电学性质
8
作者 唐欣月 高红 +3 位作者 潘思明 孙鉴波 姚秀伟 张喜田 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第19期314-319,共6页
采用化学气相沉积法合成了In掺杂ZnO纳米带,并对其进行了X射线衍射、光致发光及透射电镜表征.基于单根纳米带,采用廉价微栅模板法制备了背栅场效应管,利用半导体参数测试仪测量了场效应管的输出(Ids-Vds)和转移(Ids-Vgs)特性,得出相关... 采用化学气相沉积法合成了In掺杂ZnO纳米带,并对其进行了X射线衍射、光致发光及透射电镜表征.基于单根纳米带,采用廉价微栅模板法制备了背栅场效应管,利用半导体参数测试仪测量了场效应管的输出(Ids-Vds)和转移(Ids-Vgs)特性,得出相关电学参数,其中迁移率值为622 cm2·V-1·s-1,该值明显优于包括ZnO在内的大多数材料;讨论了迁移率提高的可能原因. 展开更多
关键词 ZNO 纳米带 场效应管 迁移率
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