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在AAO衬底上制备纳米Si阵列研究 被引量：3
1
作者 胡海龙 彭尚龙 +2 位作者 唐泽国 祁菁 贺德衍 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期96-98,共3页
用等离子体增强化学气相沉积在多孔氧化铝(AAO)上制备出具有纳米Si阵列分布的薄膜,用透射电子显微镜和扫描电子显微镜观察了不同生长条件下的样品形貌和结构,用X射线衍射谱仪分析了样品的结晶状况．样品呈现出良好的场电子发射稳定性,... 用等离子体增强化学气相沉积在多孔氧化铝(AAO)上制备出具有纳米Si阵列分布的薄膜,用透射电子显微镜和扫描电子显微镜观察了不同生长条件下的样品形貌和结构,用X射线衍射谱仪分析了样品的结晶状况．样品呈现出良好的场电子发射稳定性,开启电场为7 V/μm． 展开更多
关键词 纳米晶Si AAO衬底 PECVD
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