高迁移率二维半导体Bi_(2)O_(2)Se的化学气相沉积生长:可控生长及材料质量

高迁移率二维半导体材料具有独特的性质,可在原子级厚度下维持晶体管的尺寸微缩,抑制短沟道效应,被认为是“后摩尔时代”晶体管沟道的候选材料。作为二维半导体中的一员,环境稳定、带隙合适的Bi_(2)O_(2)Se备受关注。与其他二维材料不同的是,Bi_(2)O_(2)Se可以通过逐层氧化成高介电常数的氧化物介电层,同时保持原子级平整的界面,这可与半导体产业界中的Si/SiO2相比拟。上述特性使Bi_(2)O_(2)Se成为构筑高性能电子、光电子器件的理想材料平台。为了实现二维Bi_(2)O_(2)Se的广泛应用,开发大面积、高质量、低成本的制备方法至关重要。在这篇综述中,我们总结了通过化学气相沉积方法控制二维Bi_(2)O_(2)Se生长的最新进展。我们首先介绍了Bi_(2)O_(2)Se的晶体结构和性质,而后,我们重点关注二维Bi_(2)O_(2)Se的形貌控制与规则阵列构筑,其中形貌控制包括成核模式的控制与维度控制。此外,我们探讨了通过控制缺陷和释放应力以提高Bi_(2)O_(2)Se电学质量的方法。最后,为满足先进电子应用的需求,我们提出了精确控制Bi_(2)O_(2)Se结构和质量的策略。