^(63)Cu活化法测量10~7DT脉冲中子产额

介绍了用63Cu活化法绝对测量产额在107左右的脉冲中子的实验方法,给出了脉冲产额的计算公式,对其测试系统的DT中子灵敏度进行了标定,给出了脉冲中子产额绝对测量数据,分析了其测量不确定度来源,获得了不确定度为12%(k=1)的实验结果。

强辐射本底下的DT脉冲中子测量技术

介绍了在低产额的DT脉冲中子源上,考虑源本身发射比中子产额高3～4个量级的低能X射线,为了提高脉冲中子测量的信噪比,实验中采用了对中子灵敏的塑料闪烁体探测器,在光路中,采用铅衰减低能X射线的测量方法,获得了高信噪比的脉冲中子产额测量数据,为堆物理参数测量提供了准确可靠的点火中子数据。

阵列BF_3计数器制作与性能研究

设计和实验研制了用于脉冲中子源中子产额绝对测量的阵列BF3 计数器,并在加速器上进行了DT中子灵敏度标定实验。给出了该计数器测量DT脉冲中子产额的测量结果和测量不确定度,并与其它测量方法的测量结果进行了比较。实验验证了BF3 设计的可行性和DT脉冲中子产额测量数据的可靠性。

脉冲测量中的统计涨落对中子产额测量的影响

介绍了在用PMT闪烁探测器测量脉冲中子产额时,由于粒子的统计涨落而使脉冲波形呈现毛刺现象。根据实验中获得的实验数据,从实验和理论两个方面分析了统计涨落对产额绝对测量的影响。评定了在一定测量不确定度范围内脉冲中子产额绝对测量的准确性。

复杂环境条件下脉冲中子散射本底测量方法

介绍了在复杂环境条件下脉冲中子散射本底测量方法和计算公式,并在实验室进行了实验测量,分析了影响实验结果的因素。

长硼计数器测量脉冲中子的漏计数问题探讨

根据BF3的探测原理,中子在聚乙烯的输运过程及管内10B(n,α)7Li反应机理,通过大量的测量实验,模拟出脉冲测量中BF3漏计数概率很小的边界条件,该测量方法适合目前脉冲中子装置中的中子产额测量。

TNIS(NNA)爆炸物检测技术

简要介绍了采用伴随α粒子法检测爆炸物的基本原理和方法,目前的研制现状以及作为商用亟待解决的技术问题。

X射线在Be、C轻材料上的散射特性研究

介绍了在Ru-200X光机上，采用Ag靶的韧致辐射谱，通过LiF晶体分光产生单色X射线，用Be、C材料作散射体，在6°-40°的方向上作散射测量。实验结果显示这两种低Z材料对X光散射具有方向性。给出了散射效率随散射角度的分布曲线，阐明这种方向性与X-射线能量E、散射体的原子序数Z和强散射角θ之间的关系。

Fe、Co、V和Ti材料的X荧光效率测量

介绍了在Ru-200 X光机上,根据Cu靶的韧致辐射谱,采用滤波法产生单能X射线,对Fe、Co、V和Ti荧光片作荧光效率测量。给出了荧光效率的理论推导公式和实验结果,并进行了理论和实验比较。

强辐射本底对电流型PMT闪烁探测器的影响

本文介绍在强辐射本底脉冲中子测量中,电流型PMT闪烁探测器测量的中子产额数据发生很大差异,究其原因是由于探测器灵敏度随本底发生了变化。在实验室,模拟测量了PMT的光电本底电流与增益的变化关系实验。运用核电子学线路分析了灵敏度发生很大的变化原因,对强核辐射本底下探测器灵敏度变化作了合理的解释,对脉冲中子产额测量数据作了合理的修正。

几何因子对低脉冲辐射测量的影响

在弱脉冲辐射测量中,脉冲源尺寸、探测器灵敏体积和测量距离等几何因子对测量结果产生了很大的影响。根据目前的科研需求,模拟脉冲源与探测器的空间布局,导出几何因子物理公式。根据实验工作环境,运用数学方法,对物理公式中的源尺寸因子作等效处理,设置了计算中的偏差上限。结合实验工作,对实验现场脉冲源与探测器的测试空间布局进行了数值模拟计算,为目前某测试项目提供了参考数据。

ITER装置中子测量方法初探

根据目前国际上提供的ITER装置性能参数和工程条件,简述了核辐射物理参数测量的意义。通过对ITER装置的特殊环境分析和测量工程的可实施性,结合多年从事强脉冲辐射测量的实践经验和积累下来的测试技术,提出了DT聚变产额、DT中子能谱和在线测量技术的初步设想。

脉冲DT中子场中的CeF_3、ST401闪烁探测器输出比对

本工作对国内近年新研制的CeF3用于γ测量时的抗中子干扰能力进行研究,在脉冲DT中子源场中对分别由CeF3 和ST401构成的闪烁探测器输出进行比较测量。在相同测点中子注量率情况下的测量结果表明:ST401探测器的输出电荷比同体积的CeF3 高10多倍;ST401探测器的电流输出峰值幅度比同体积的CeF3 高30多倍。由此可得到CeF3 对中子相对不灵敏,在n、γ混合辐射场中测量快γ辐射时,该无机晶体将是一种较合适的候选闪烁体。

CeF_3闪烁探测器对五种能量中子的甄别能力研究

用CeF3闪烁体和常用闪烁体ST401分别配特性相同的光电倍增管构成两种闪烁探测器,在1.2MeV、2.5MeV、3.5MeV、5.0MeV和14MeV等能量的稳态中子源场中,测量了这两种闪烁体探测器的电流输出,得到结果表明:上述能量的中子与CeF3闪烁探测器作用形成的电流比同尺寸ST401闪烁体构成探测器的输出电流均低一个量级以上,这些结果与这两种探测器在钴、铯γ源中测量结果比较,可以得出在n、γ混合辐射场中测量γ辐射时,CeF3闪烁探测器能够较好地屏蔽这些能量中子的干扰。

国产YAP：Ce闪烁晶体的相对探测能力测量

为适应在n、γ混合脉冲辐射场中对低强度快脉冲γ辐射测量的需要,近年国内新研制出实用型YAlO3:Ce(YAP:Ce)快响应无机闪烁晶体。我们使用脉冲线性电流大于1.5A的光电倍增管,分别配置这种晶体以及CeF3、NaI等晶体构成闪烁探测器,在放射性标准源场中,对晶体的相对探测能力进行测量。测量结果表明:国产新型YAP:Ce无机晶体对这1.25MeV射线的探测能力比同体积的CeF3平均高一个量级,是同体积NaI的40%左右;当晶体厚度小于2mm时,YAP:Ce与CeF3、NaI的输出比值分别大于16和44%,说明厚度越薄晶体的相对探测能力越强。

近距离n,γ混合脉冲辐射场中γ辐射探测技术

n, γ混合脉冲辐射场中, 在近距离、辐射强度低且中子辐射峰值比被测γ辐射峰值强度高的情况下, 传统γ辐射探测技术实施起来面临困难. 对PbWO4和CeF3等近年国内新研制的无机闪烁体进行了系列研究, 使用CeF3分别配光电倍增管和光电管, 组合出了对γ辐射灵敏度高, 对中子相对不灵敏, 同时脉冲响应也快的光电探测系统, 应用以此为基础的探测技术在近距离n, γ混合脉冲辐射场中, 可将脉冲γ辐射探测信噪比提高一个量级以上.

能量响应相对平坦的康普顿探测器

对有能谱结构的γ辐射输出量进行绝对测量时,降低测量不确定度较好的选择方法之一是使用能量响应相对平坦的探测器。设计加工了厚度可调的康普顿探测器,得到了能量响应相对平坦的介质康普顿,该新型康普顿探测器在0.5-5MeVγ能区内的灵敏度相对平均灵敏度的变化可以小于17%,比标准康普顿探测器的灵敏度变化明显小一些,在强钴源放射性源场中验证了部分研究结果。

闪烁体衰减常数值的脉冲波形测量方法

根据闪烁体发光衰减规律和衰减时间常数的定义,建立了闪烁探测器电流输出波形后沿特征量与闪烁体发光衰减时间常数的简洁关系,提出用测量脉冲波形后沿获得闪烁体发光衰减常数的三种简易方法,给出了相应的简单估算公式;在脉冲辐射源场中,测量了新型CeF3闪烁体对快脉冲γ辐射源的时间响应波形,用测量的波形脉冲后沿得到了CeF3衰减常数值;这种方法测量的结果与国外同行其它测量方法得到的结果基本一致。

国产无机闪烁晶体LaCl_3∶Ce的探测能力和时间响应测量

以国产的掺铈氯化镧(LaCl3∶Ce)闪烁晶体与线性电流大于1.5 A的光电倍增管构成闪烁探测器,利用60Co、137Cs放射性标准源场,实验测量这种探测器对γ辐射的探测能力,并与同情况NaI∶Tl闪烁探测器进行比对;利用266 nm单色激光和ns级的γ脉冲辐射分别对这种闪烁体的光致激发、辐射激发的时间响应性能进行测量。测量结果表明:国产新型LaCl3∶Ce无机闪烁晶体样品构成的探测器对1.25 MeV、0.66 MeVγ射线的探测能力平均约为同情况NaI∶Tl闪烁探测器的103%,高的已超过了同尺寸NaI∶Tl构成的闪烁探测器;266 nm单色激光光致激发时间响应波形前沿、半高宽、后沿和衰减常数分别为1.05 ns、17.42 ns、54.30 ns和24.61 ns,ns级的γ脉冲辐射激发的时间响应波形前沿、半高宽、后沿和衰减常数分别为1.52 ns、21.99 ns、75.13 ns和34.19 ns。

ST401塑料闪烁体中子探测效率研究

针对高强度脉冲辐射测量中常用的闪烁体探测器,对其直径为50 mm、厚度分别为5、8、10、15、20、25、30、40 mm的ST401塑料闪烁体进行了DD、DT中子灵敏度刻度,并采用Geant4对其相对中子探测效率进行了模拟研究;并由理论计算给出了直径为90 mm、不同厚度闪烁体的相对中子探测效率,厚度为50 mm、不同直径闪烁体的相对中子探测效率。