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AGC环路设计的Matlab-Simulink模型建模及验证
被引量:
6
1
作者
井永成
尹军舰
+2 位作者
李仲茂
唐舸宇
冷永清
《现代电子技术》
北大核心
2019年第6期83-87,共5页
基于Matlab-Simulink构建一个完整的自动增益控制环路(AGC)模型,并对模型进行了验证。该模型可从时间和功率幅度两个方面分析AGC控制过程,能够很好地显示和预测环路特性,从而可便捷地评估AGC环路是否满足系统的需求。在该模型的辅助下,...
基于Matlab-Simulink构建一个完整的自动增益控制环路(AGC)模型,并对模型进行了验证。该模型可从时间和功率幅度两个方面分析AGC控制过程,能够很好地显示和预测环路特性,从而可便捷地评估AGC环路是否满足系统的需求。在该模型的辅助下,以可变增益放大器、检波器、数/模转换器、模/数转换器与现场可编程门阵列为核心器件,实现了一种输入动态范围为-72~-12 dBm,输出动态范围为-19.7~-19.2 dBm际测试输出功率误差在1.3 dB以内,控制时间过程吻合,表明AGC环路的仿真和实测情况基本一致。
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关键词
自动增益控制
Matlab-Simulink模型
环路设计
高动态
时域模型
功率域模型
下载PDF
职称材料
2~4 GHz MMIC低噪声放大器
被引量:
10
2
作者
井永成
尹军舰
+2 位作者
李仲茂
唐舸宇
冷永清
《电子设计工程》
2019年第1期75-79,共5页
针对通信系统对S波段低噪声放大器的需求,基于0.25μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款2~4 GHz微波单片集成电路低噪声放大器(MMIC LNA)。该放大器采用两级级联的拓扑结构,第一级放大器利用微带线作为源极负反馈元件,第二级采用局部并联负...
针对通信系统对S波段低噪声放大器的需求,基于0.25μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款2~4 GHz微波单片集成电路低噪声放大器(MMIC LNA)。该放大器采用两级级联的拓扑结构,第一级放大器利用微带线作为源极负反馈元件,第二级采用局部并联负反馈拓宽带宽,并且通过共享双电源供电,减小面积并降低噪声系数。仿真结果表明,在工作频带内,噪声系数低于1 dB,增益高于30.6 dB,输入回波损耗低于-8 dB,输出回波损耗低于-10 dB,芯片面积为2 mm*1.5 mm,与其它文献相比,该放大器在S波段具有更加优异的性能。
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关键词
低噪声放大器
单片集成电路
砷化镓
高增益
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职称材料
题名
AGC环路设计的Matlab-Simulink模型建模及验证
被引量:
6
1
作者
井永成
尹军舰
李仲茂
唐舸宇
冷永清
机构
中国科学院微电子研究所
中国科学院大学
出处
《现代电子技术》
北大核心
2019年第6期83-87,共5页
基金
国家自然科学基金委员会青年科学基金(61501455)
北京市自然科学基金面上项目(4162068)~~
文摘
基于Matlab-Simulink构建一个完整的自动增益控制环路(AGC)模型,并对模型进行了验证。该模型可从时间和功率幅度两个方面分析AGC控制过程,能够很好地显示和预测环路特性,从而可便捷地评估AGC环路是否满足系统的需求。在该模型的辅助下,以可变增益放大器、检波器、数/模转换器、模/数转换器与现场可编程门阵列为核心器件,实现了一种输入动态范围为-72~-12 dBm,输出动态范围为-19.7~-19.2 dBm际测试输出功率误差在1.3 dB以内,控制时间过程吻合,表明AGC环路的仿真和实测情况基本一致。
关键词
自动增益控制
Matlab-Simulink模型
环路设计
高动态
时域模型
功率域模型
Keywords
automatic gain control
Matlab-Simulink model
loop design
high dynamic
time-domain model
power-domain model
分类号
TN108.4-34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
2~4 GHz MMIC低噪声放大器
被引量:
10
2
作者
井永成
尹军舰
李仲茂
唐舸宇
冷永清
机构
中国科学院微电子研究所
中国科学院大学
出处
《电子设计工程》
2019年第1期75-79,共5页
基金
国家自然科学基金委员会青年科学基金(61501455)
北京市自然科学基金面上项目(4162068)
文摘
针对通信系统对S波段低噪声放大器的需求,基于0.25μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款2~4 GHz微波单片集成电路低噪声放大器(MMIC LNA)。该放大器采用两级级联的拓扑结构,第一级放大器利用微带线作为源极负反馈元件,第二级采用局部并联负反馈拓宽带宽,并且通过共享双电源供电,减小面积并降低噪声系数。仿真结果表明,在工作频带内,噪声系数低于1 dB,增益高于30.6 dB,输入回波损耗低于-8 dB,输出回波损耗低于-10 dB,芯片面积为2 mm*1.5 mm,与其它文献相比,该放大器在S波段具有更加优异的性能。
关键词
低噪声放大器
单片集成电路
砷化镓
高增益
Keywords
low noise amplifier
Microwave Monolithic Integrated Circuit(MMIC)
GaAs
high gain
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
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出处
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被引量
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1
AGC环路设计的Matlab-Simulink模型建模及验证
井永成
尹军舰
李仲茂
唐舸宇
冷永清
《现代电子技术》
北大核心
2019
6
下载PDF
职称材料
2
2~4 GHz MMIC低噪声放大器
井永成
尹军舰
李仲茂
唐舸宇
冷永清
《电子设计工程》
2019
10
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职称材料
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