集成电路TEM分析的制样技术

对集成电路（ＩＣ）芯片特定部位作透射电镜（ＴＥＭ）分析，样品制备是非常关键的一步。为此，许多实验室￣［１－３］发展了各种针对性的制样技术。通过吸取各种制样技术的长处，结合目前一般ＴＥＭ实验室的制样条件，本文介绍一种用于普通ＴＥＭ实验室的ＩＣ芯片具体制样方法──使用玻璃陪片，在光学显微镜监视下，以机械减薄形成“劈”形试样，使被分析目标在“劈”的“刃口”上。最后用低角度离子磨削使被分析目标附近形成理想的电子透明薄区。

聚焦离子束刻蚀性能的研究

对聚焦离子束 (FIB)的基本刻蚀性能进行了实验和研究 .通过扫描电镜对 FIB刻蚀坑的观测 ,给出了在不同材料上 (硅、铝和二氧化硅 ) FIB的刻蚀速率及刻蚀坑的形貌同离子束流大小的关系 .由于不同材料的原子结合能、原子量及晶体结构等因素对离子束溅射产额的影响 ,从而影响着离子束的刻蚀速率 ;随着离子束流的增大 ,刻蚀速率并非线性增加 ,且刻蚀坑的形貌越来越不均匀 。

江苏省无锡市滨湖镇 南泉庭园

社区采取围合加排屋布局的形式将多层、联排住宅和配套公建有机组合。其中多层住宅面积控制在90～140平方米，层数为五层；联排式住宅面积控制在250－300平方米，层数主要为二层，局部三层。