1
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深硅刻蚀晶圆位置偏移分析与研究 |
商庆杰
康建波
张发智
宋洁晶
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《微纳电子技术》
CAS
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2024 |
0 |
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2
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多层堆叠中晶圆级金金键合的可靠性提升 |
商庆杰
张丹青
宋洁晶
杨志
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《电子工艺技术》
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2024 |
0 |
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3
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有限元仿真优化布局解决金金键合局域化问题 |
张丹青
韩易
商庆杰
宋洁晶
杨志
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《电子与封装》
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2024 |
0 |
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4
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采用约束性逐级低温退火实现碳化硅与硅的低应力异质键合 |
张丹青
宋洁晶
商庆杰
杨志
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《微纳电子技术》
CAS
北大核心
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2023 |
0 |
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5
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掩埋异质结激光器的Mesa制备工艺 |
张奇
武艳青
刘浩
商庆杰
宋洁晶
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《电子工艺技术》
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2023 |
0 |
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6
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SiC MESFET工艺技术研究与器件研制 |
商庆杰
潘宏菽
陈昊
霍玉柱
杨霏
默江辉
冯震
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2009 |
9
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7
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SiC基芯片背面通孔刻蚀工艺研究 |
商庆杰
王敬松
高渊
么锦强
张力江
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2016 |
5
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8
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消除硅通孔侧壁刻蚀损伤的方法 |
康建波
商庆杰
王利芹
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《电子工艺技术》
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2023 |
0 |
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9
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SiC MESFET工艺在片检测技术 |
商庆杰
潘宏菽
陈昊
李亮
杨霏
霍玉柱
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2008 |
1
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10
|
实施统计过程控制(SPC)中常见问题的探讨 |
商庆杰
潘宏菽
张力江
刘相伍
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《现代制造技术与装备》
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2016 |
1
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11
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S波段脉冲大功率SiC MESFET |
杨霏
潘宏菽
霍玉柱
商庆杰
默江辉
闫锐
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《微纳电子技术》
CAS
北大核心
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2011 |
6
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12
|
SiC高温氧化的研究 |
霍玉柱
商庆杰
潘宏菽
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
5
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13
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国产4H-SiC SI衬底MESFET外延生长及器件研制 |
陈昊
商庆杰
郝建民
齐国虎
霍玉柱
杨克武
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2008 |
2
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14
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SiC肖特基势垒二极管的反向特性 |
杨霏
闫锐
陈昊
张有润
彭明明
商庆杰
李亚丽
张雄文
潘宏菽
杨克武
蔡树军
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《微纳电子技术》
CAS
北大核心
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2010 |
2
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15
|
高性能SiC整流二极管研究 |
杨霏
商庆杰
李亚丽
闫锐
默江辉
潘宏菽
李佳
刘波
冯志红
付兴昌
何庆国
蔡树军
杨克武
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《微纳电子技术》
CAS
北大核心
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2010 |
2
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16
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等平面化SiC MESFET的研制 |
杨霏
陈昊
潘宏菽
默江辉
商庆杰
李亮
闫锐
冯震
杨克武
蔡树军
姚素英
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《微纳电子技术》
CAS
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2008 |
2
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17
|
提高SiC MESFET栅金属平坦性的方法 |
霍玉柱
商庆杰
杨霏
潘宏菽
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
2
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18
|
S波段连续波SiC功率MESFET |
陈昊
潘宏菽
杨霏
霍玉柱
商庆杰
齐国虎
刘志平
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《微纳电子技术》
CAS
北大核心
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2011 |
1
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19
|
低压化学气相淀积低应力氮化硅工艺研究 |
王敬轩
商庆杰
杨志
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《电子与封装》
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2021 |
3
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20
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TEOS LPCVD技术在SiC功率器件工艺中的应用 |
胡玲
杨霏
商庆杰
潘宏菽
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2011 |
0 |
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