2~18 GHz 300 W GaN固态功率放大器

南京电子器件研究所首次成功研制了2~18 GHz超宽带大功率固态功率放大器(Solid-state power amplifier,SSPA)。该固态功率放大器以本所研制的0.2μm GaN HEMT超宽带功率MMIC为基础,在2~18 GHz频段内单芯片的输出功率≥16 W,通过采用新型全空气超宽带高效合成结构,实现了30路高效功率合成。该合成结构相比现有合成技术,具有合成效率更高、散热布局更好的优点。实现的超宽带固态功率放大器饱和输出功率在2~18 GHz频段内大于300 W。

某大功率固态合成功放组件散热设计

某大功率固态合成功放组件采用了空间功率合成技术,且热流密度较大,对组件的热设计提出了更为严格的要求。首先对散热进行理论分析,在固态合成功放组件散热设计中加入L型均温板实现三维空间内热量的快速传递;然后运用Icepak软件对功放组件进行仿真计算,提出了一种满足使用要求的散热结构;最后通过产品实测验证了该热设计方案的可行性,为后续类似功放产品热设计提供了新的思路。

Ku波段宽带GaN固态功率放大器

研制了一种高合成密度、高合成效率的Ku频段(12~17GHz)功率合成网络。基于该合成结构,采用南京电子器件研究所自主研制的高性能Ku波段GaN固态功率器件进行32路功率合成,实现了12~17GHz频带内600 W以上的功率输出及20%的功率附加效率,合成效率高于85%,可有效提升通信系统性能。

一种宽带径向功率合成器的设计

提出了一款10路宽带径向功率合成器,合路器带宽覆盖6~18 GHz。通过采用微带探针以及同轴渐变波导,实现了宽带的微带-同轴的过渡结构。合成器在带内的仿真结果显示,驻波系数小于1.7、插损小于1 d B。

6-18GHz超宽带功率放大器脊波导合成技术研究

介绍了一种6-18 GHz超宽带脊波导合成结构。该脊波导合成结构包括微带到脊波导的过渡结构、E面T型脊波导合成结构和H面T型脊波导合成结构。基于该脊波导合成结构,采用8只GaN MMIC功率芯片,设计了一款超宽带固态合成功率放大器,测试结果表明在6~18 GHz的频带内,固体合成功率放大器连续波输出功率达90 W以上,合成效率大于90%,功率附加效率大于15%。