不同保护层结构TO塑封电阻器的过载性能

TO塑封电阻器主要用于耗散脉冲能量,其可靠性的高低会影响电子系统的稳定运行。根据TO247和TO263两种典型封装结构建立了过载时等效电阻模型,通过采用低温或中温包封浆料与硅胶等材料,制备了四种保护层结构,并对1~1 000Ω的典型阻值进行直流过载试验。研究结果表明:当施加电压约为1.5倍额定电压时,保护层结构为中温包封层和硅胶层的电阻器过载后变为开路失效模式,其可靠性优于其他三种产生短路失效模式的电阻器,理论模型推导与试验结果一致。该研究对TO功率器件的制造和应用具有一定的指导意义。

多路信号误差补偿测量法分析

为了提高测量精度,真实地反映被测件误差,提出了多路信号误差补偿测量的必要性。通过一系列数学推导,得出了多路信号误差补偿测量的规律,为实践提供了理论指导。实践证明,多路信号误差补偿测量法是提高测量精度的重要措施。

反应烧结制备Li_(2)Zn_(2)Mo_(3)O_(12)微波介质陶瓷及其微波介电性能研究

采用反应烧结法制备了具有超低烧结温度的Li_(2)Zn_(2)Mo_(3)O_(12)微波介质陶瓷,研究了烧结温度对Li_(2)Zn_(2)Mo_(3)O_(12)陶瓷的烧结特性、物相组成、微观结构以及微波介电性能的影响。XRD表明:在550~650℃范围内,温度对陶瓷的物相组成影响不大;随着烧结温度的升高,Li_(2)Zn_(2)Mo_(3)O_(12)陶瓷的体积密度、相对密度、介电常数(ε_(r))和品质因数(Q×f)均呈先增大后减小的趋势,谐振频率温度系数(τ_(f))在-(70~90)×10^(-6)/℃波动。在625℃烧结2 h获得最大体积密度和相对密度:4.25 g/cm^(3)和96.4%,以及优异的微波介电性能ε_(r)=10.9,Q×f=69459 GHz,τ_(f)=-84×10^(-6)/℃。