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基于C单元的抗干扰低功耗双边沿触发器
被引量:
2
1
作者
黄正峰
杨潇
+5 位作者
国欣祯
戚昊琛
鲁迎春
欧阳一鸣
倪天明
徐奇
《电子测量与仪器学报》
CSCD
北大核心
2020年第12期85-93,共9页
快速增长的功耗是VLSI设计中的重要问题,特别是输入信号中存在毛刺,双边沿触发器的功耗将会显著增大。为了有效降低功耗,提出了一种基于C单元的抗干扰低功耗双边沿触发器AILP-DET,结构采用快速的C单元,不仅能够阻塞输入信号存在的毛刺,...
快速增长的功耗是VLSI设计中的重要问题,特别是输入信号中存在毛刺,双边沿触发器的功耗将会显著增大。为了有效降低功耗,提出了一种基于C单元的抗干扰低功耗双边沿触发器AILP-DET,结构采用快速的C单元,不仅能够阻塞输入信号存在的毛刺,阻止触发器内部冗余跳变的发生,降低晶体管的充放电频率;而且增加了上拉-下拉路径,降低了其延迟。相比现有的双边沿触发器,AILP-DET只在时钟边沿采样,有效降低了功耗。通过HSPICE仿真,与10种双边沿触发器相比较,AILP-DET仅仅增加了7.58%的延迟开销,无输入毛刺情况下总功耗平均降低了261.28%,有输入毛刺情况下总功耗平均降低了46.97%。详尽的电压温度波动分析表明,该双边沿触发器对电压、温度等波动不敏感。
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关键词
双边沿触发器
毛刺
低功耗
C单元
时钟树
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职称材料
低功耗容软错误的65 nm CMOS 12管SRAM单元
被引量:
1
2
作者
黄正峰
吴明
+6 位作者
国欣祯
戚昊琛
易茂祥
梁华国
倪天明
欧阳一鸣
鲁迎春
《微电子学》
CAS
北大核心
2019年第6期765-771,共7页
提出了一种具有软错误自恢复能力的12管SRAM单元。该单元省去了专用的存取管,具有高鲁棒性、低功耗的优点。在65 nm CMOS工艺下,该结构能够完全容忍单点翻转,容忍双点翻转的比例是64.29%,与DICE加固单元相比,双点翻转率降低了30.96%。与...
提出了一种具有软错误自恢复能力的12管SRAM单元。该单元省去了专用的存取管,具有高鲁棒性、低功耗的优点。在65 nm CMOS工艺下,该结构能够完全容忍单点翻转,容忍双点翻转的比例是64.29%,与DICE加固单元相比,双点翻转率降低了30.96%。与DICE、Quatro等相关SRAM加固单元相比,该SRAM单元的读操作电流平均下降了77.91%,动态功耗平均下降了60.21%,静态电流平均下降了44.60%,亚阈值泄漏电流平均下降了27.49%,适用于低功耗场合。
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关键词
抗辐射加固设计
单粒子效应
软错误鲁棒性
双点翻转
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职称材料
面向多位扫描单元的可诊断性设计方法
3
作者
国欣祯
井鹏飞
+3 位作者
叶靖
黄正峰
李晓维
李华伟
《郑州大学学报(理学版)》
CAS
北大核心
2021年第1期80-87,共8页
提出了面向多位扫描单元的扫描链重连可诊断性设计方法,在满足多位扫描单元约束与后端设计限制的情况下,利用启发式算法实现了扫描单元分配优化。在ISCAS′89基准电路的实验结果表明,采用所提方法对含有多位扫描单元的电路进行优化后,b1...
提出了面向多位扫描单元的扫描链重连可诊断性设计方法,在满足多位扫描单元约束与后端设计限制的情况下,利用启发式算法实现了扫描单元分配优化。在ISCAS′89基准电路的实验结果表明,采用所提方法对含有多位扫描单元的电路进行优化后,b17电路SA-0和SA-1故障的平均诊断分辨率分别为优化前的12.59倍和13.37倍;s38417电路SA-0和SA-1故障的平均诊断分辨率分别为优化前的19.95倍和3.04倍。
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关键词
多位扫描单元
故障诊断
敏感单元
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职称材料
一种低功耗低延迟的容忍DNU锁存器设计
被引量:
1
4
作者
国欣祯
杨潇
郭阳
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第2期203-210,共8页
随着集成电路器件特征尺寸的进一步减小,锁存器内部节点之间的距离越来越短。由于内部节点间的电荷共享效应,器件在空间辐射环境中频繁发生单粒子翻转(SEU),受影响节点由单节点扩展到双节点。文章提出了一种新型的锁存器加固结构,利用C...
随着集成电路器件特征尺寸的进一步减小,锁存器内部节点之间的距离越来越短。由于内部节点间的电荷共享效应,器件在空间辐射环境中频繁发生单粒子翻转(SEU),受影响节点由单节点扩展到双节点。文章提出了一种新型的锁存器加固结构,利用C单元固有的保持属性,实现对单节点翻转(SNU)和双节点翻转(DNU)的完全容忍。HSPICE仿真结果表明,相比于其他同类型的加固设计,所提出的锁存器功耗平均下降了34.86%,延迟平均下降了59%,功耗延迟积平均下降了67.91%。PVT分析表明,该锁存器结构对电压、温度、制造工艺的变化不敏感。
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关键词
单粒子翻转
低功耗
低延迟
双节点翻转
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职称材料
题名
基于C单元的抗干扰低功耗双边沿触发器
被引量:
2
1
作者
黄正峰
杨潇
国欣祯
戚昊琛
鲁迎春
欧阳一鸣
倪天明
徐奇
机构
合肥工业大学电子科学与应用物理学院
合肥工业大学计算机与信息学院
安徽工程大学电气工程学院
出处
《电子测量与仪器学报》
CSCD
北大核心
2020年第12期85-93,共9页
基金
国家自然科学基金(61874156,61874157,61904001,61904047)
安徽省自然科学基金(1908085QF272)资助项目。
文摘
快速增长的功耗是VLSI设计中的重要问题,特别是输入信号中存在毛刺,双边沿触发器的功耗将会显著增大。为了有效降低功耗,提出了一种基于C单元的抗干扰低功耗双边沿触发器AILP-DET,结构采用快速的C单元,不仅能够阻塞输入信号存在的毛刺,阻止触发器内部冗余跳变的发生,降低晶体管的充放电频率;而且增加了上拉-下拉路径,降低了其延迟。相比现有的双边沿触发器,AILP-DET只在时钟边沿采样,有效降低了功耗。通过HSPICE仿真,与10种双边沿触发器相比较,AILP-DET仅仅增加了7.58%的延迟开销,无输入毛刺情况下总功耗平均降低了261.28%,有输入毛刺情况下总功耗平均降低了46.97%。详尽的电压温度波动分析表明,该双边沿触发器对电压、温度等波动不敏感。
关键词
双边沿触发器
毛刺
低功耗
C单元
时钟树
Keywords
double edge-triggered flip-flop
glitch
lower power
C-element
clock tree circuit
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
低功耗容软错误的65 nm CMOS 12管SRAM单元
被引量:
1
2
作者
黄正峰
吴明
国欣祯
戚昊琛
易茂祥
梁华国
倪天明
欧阳一鸣
鲁迎春
机构
合肥工业大学电子科学与应用物理学院
安徽工程大学电气工程学院
合肥工业大学计算机与信息学院
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2019年第6期765-771,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(61874156,61574052,61674048)
安徽省自然科学基金资助项目(1608085MF149)
文摘
提出了一种具有软错误自恢复能力的12管SRAM单元。该单元省去了专用的存取管,具有高鲁棒性、低功耗的优点。在65 nm CMOS工艺下,该结构能够完全容忍单点翻转,容忍双点翻转的比例是64.29%,与DICE加固单元相比,双点翻转率降低了30.96%。与DICE、Quatro等相关SRAM加固单元相比,该SRAM单元的读操作电流平均下降了77.91%,动态功耗平均下降了60.21%,静态电流平均下降了44.60%,亚阈值泄漏电流平均下降了27.49%,适用于低功耗场合。
关键词
抗辐射加固设计
单粒子效应
软错误鲁棒性
双点翻转
Keywords
radiation hardness by design
single event effect
soft error robust
double node upset
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
面向多位扫描单元的可诊断性设计方法
3
作者
国欣祯
井鹏飞
叶靖
黄正峰
李晓维
李华伟
机构
合肥工业大学电子科学与应用物理学院
中国科学院计算技术研究所计算机体系结构国家重点实验室
中国科学院大学人工智能学院
中国科学院大学
出处
《郑州大学学报(理学版)》
CAS
北大核心
2021年第1期80-87,共8页
基金
国家自然科学基金项目(61704174,61532017,61432017,61521092)。
文摘
提出了面向多位扫描单元的扫描链重连可诊断性设计方法,在满足多位扫描单元约束与后端设计限制的情况下,利用启发式算法实现了扫描单元分配优化。在ISCAS′89基准电路的实验结果表明,采用所提方法对含有多位扫描单元的电路进行优化后,b17电路SA-0和SA-1故障的平均诊断分辨率分别为优化前的12.59倍和13.37倍;s38417电路SA-0和SA-1故障的平均诊断分辨率分别为优化前的19.95倍和3.04倍。
关键词
多位扫描单元
故障诊断
敏感单元
Keywords
multi-bit scan cell
fault diagnosis
sensitive cell
分类号
TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种低功耗低延迟的容忍DNU锁存器设计
被引量:
1
4
作者
国欣祯
杨潇
郭阳
机构
合肥工业大学电子科学与应用物理学院
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第2期203-210,共8页
基金
国家自然科学基金资助项目(61904047)。
文摘
随着集成电路器件特征尺寸的进一步减小,锁存器内部节点之间的距离越来越短。由于内部节点间的电荷共享效应,器件在空间辐射环境中频繁发生单粒子翻转(SEU),受影响节点由单节点扩展到双节点。文章提出了一种新型的锁存器加固结构,利用C单元固有的保持属性,实现对单节点翻转(SNU)和双节点翻转(DNU)的完全容忍。HSPICE仿真结果表明,相比于其他同类型的加固设计,所提出的锁存器功耗平均下降了34.86%,延迟平均下降了59%,功耗延迟积平均下降了67.91%。PVT分析表明,该锁存器结构对电压、温度、制造工艺的变化不敏感。
关键词
单粒子翻转
低功耗
低延迟
双节点翻转
Keywords
single event upset(SEU)
low power
low delay
double node upset(DNU)
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于C单元的抗干扰低功耗双边沿触发器
黄正峰
杨潇
国欣祯
戚昊琛
鲁迎春
欧阳一鸣
倪天明
徐奇
《电子测量与仪器学报》
CSCD
北大核心
2020
2
下载PDF
职称材料
2
低功耗容软错误的65 nm CMOS 12管SRAM单元
黄正峰
吴明
国欣祯
戚昊琛
易茂祥
梁华国
倪天明
欧阳一鸣
鲁迎春
《微电子学》
CAS
北大核心
2019
1
下载PDF
职称材料
3
面向多位扫描单元的可诊断性设计方法
国欣祯
井鹏飞
叶靖
黄正峰
李晓维
李华伟
《郑州大学学报(理学版)》
CAS
北大核心
2021
0
下载PDF
职称材料
4
一种低功耗低延迟的容忍DNU锁存器设计
国欣祯
杨潇
郭阳
《微电子学》
CAS
北大核心
2021
1
下载PDF
职称材料
已选择
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