将高频电感器的绕组损耗减到最小的方法

采用金属薄膜绕组技术，可以减小大的浪涌电流和高的功率电平状况下电感器的损耗，以及免去一些加工程序。使用利兹线（Litzwire）进行绕组的最优化设计，为在高频状态下降低绕组损耗给工程ON／J提供了新的设计工具。

一种硅片上的高性能射频线圈电感器

由于无线通讯设备的强烈需求，促进了无线电收发两用设备向着集成为一个整体的方向进行研究探索。在基本的电子元件中，与硅集成电路相容性最差的是电感器件，尽管在峰窝通讯设备中，多数电感器是被要求用来执行振荡器、滤波器和匹配网络功能的。采用金属喷涂工艺制造的螺旋线电感器已经被集成到硅基片集成电路上，但是，由于其被集成到硅基片会引起寄生电容和产生损耗，所以还不能完全地进行集成。我们制作一种在硅基片上集成的三维（3-D）线圈电感器，它们存在的耦合电容和损耗都较小，具有广泛的应用前景。这种电感器在1GHz时，用单匝元件测得的Q值为30，而2匝和4匝的元件的Q值〉16。多匝元件Q值的下降看起来好像与来自邻近线匝产生的磁场在本线圈外部线匝中形成的涡电流有关。Q值有效地高过30是我们在改善线圈电感器设计中所期望的。

模拟变压器准确的发热部位指导其改进设计和性能

在电能的输送和分配系统中，电源变压器是其关键的部件，因此，防止其由于发热引起其被击穿是十分重要的。采用检测或者计算机模拟的办法确定其发热的准确部位及其温度等重要参数，对变压器的用户和生产厂商都是非常有益的。这篇文章叙述一种用计算机模拟变压器的准确发热部位的方法，这种方法可以对不同类型冷却措施和不同绕组结构的变压器的发热部位和温度进行预测。为此，该程序可以用来指导电源变压器的设计制造，作为工具能够用来检验证明变压器发热部位的温度是否太高，并且可以核查不同参数和不同技术措施对发热部位温度的影响（例如绕组结构的几何形状、冷却方法或者散热片的数量等）。这种模拟方法的知识可以与用户共同分享，用来改进变压器的负载状态。

一种薄膜电感器的设计制造

文章介绍一种薄膜电感器的设计与制造工艺，并列举了一例在高速DC／DC电源变换器中应用的结果。这种微型贴装式薄膜电感器为移动通信等等便携式小型轻量化高性能电子设备的发展进步作出了重要贡献。

晶片级封装的无源元件制造

文章介绍采用晶片级封装（WLP）技术制造高性能无源元件之片上电感器和片上天线的工艺过程：使用电镀方法电镀出较厚的铜（Cu）膜，在膜上进行二次布线（以减小电阻值），并用较厚的树脂薄膜把电感器与硅基片进行隔离，从而组成无源元件。这种元件性能优良，如片上电感器在F=2GHz时，L=5nH，Q-30；而且，Si基片对片上电感器性能的影响仅为传统电感器的十分之一。为了增加这种电感器的电感值L，还制作了在晶片上添加一层铁氧体膜的电感器。关于晶片级封装的片上天线，以300mW的信号传输功率达到片上天线与传输模块间的最大范围的通信距离，在接收功率为10μw时可超过400mm。这项技术与实际的芯片尺寸封装（CSP）结合，即可获得高性能的片上封装无源元件。

一种用于微型电源模块的薄膜电感器

文章提出了一种把电感器、电容器和控制集成电路紧密地封装在一起的、高度仅为1．3mm的高效率低高度的DC—DC电压变换器。实现这种微小型电源模块的关键是使其采用的电感器达到微小型化，本文将重点介绍采用薄膜磁心绕线型电感器的制作与性能。