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5~6GHz自适应线性化偏置的InGaP/GaAs HBT功率放大器
被引量:
8
1
作者
堵沈琪
陈亮
+2 位作者
李丹
钱峰
杨磊
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2020年第3期59-64,70,共7页
针对高质量无线局域网的传输需求,设计了一款工作在5~6 GHz的宽带磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)功率放大器芯片。针对HBT晶体管自热效应产生的非线性和电流不稳定现象,采用自适应线性化偏置技术,有效地解决了上述...
针对高质量无线局域网的传输需求,设计了一款工作在5~6 GHz的宽带磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)功率放大器芯片。针对HBT晶体管自热效应产生的非线性和电流不稳定现象,采用自适应线性化偏置技术,有效地解决了上述问题。针对射频系统的功耗问题,设计了改进的射频功率检测电路,以实现射频系统的自动增益控制,降低功耗。通过InGaP/GaAs HBT单片微波集成电路(MMIC)技术实现该功率放大器芯片。仿真结果表明,功放芯片的小信号增益达到32 dB;1 dB压缩点功率为28.5 dBm@5.5 GHz,功率附加效率PAE超过32%@5.5 GHz;输出功率为20 dBm时,IMD3低于-32 dBc。
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关键词
镓化合物
异质结晶体管
功率放大器
自适应线性化偏置电路
反馈电路
射频功率检测电路
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职称材料
题名
5~6GHz自适应线性化偏置的InGaP/GaAs HBT功率放大器
被引量:
8
1
作者
堵沈琪
陈亮
李丹
钱峰
杨磊
机构
南京电子器件研究所
南京国博电子有限公司
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2020年第3期59-64,70,共7页
文摘
针对高质量无线局域网的传输需求,设计了一款工作在5~6 GHz的宽带磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)功率放大器芯片。针对HBT晶体管自热效应产生的非线性和电流不稳定现象,采用自适应线性化偏置技术,有效地解决了上述问题。针对射频系统的功耗问题,设计了改进的射频功率检测电路,以实现射频系统的自动增益控制,降低功耗。通过InGaP/GaAs HBT单片微波集成电路(MMIC)技术实现该功率放大器芯片。仿真结果表明,功放芯片的小信号增益达到32 dB;1 dB压缩点功率为28.5 dBm@5.5 GHz,功率附加效率PAE超过32%@5.5 GHz;输出功率为20 dBm时,IMD3低于-32 dBc。
关键词
镓化合物
异质结晶体管
功率放大器
自适应线性化偏置电路
反馈电路
射频功率检测电路
Keywords
gallium compounds
heterojunction bipolar transistor
power amplifier
adaptive linearization bias circuit
feedback circuit
radio frequency power detection circuit
分类号
TN431.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN722.7 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
5~6GHz自适应线性化偏置的InGaP/GaAs HBT功率放大器
堵沈琪
陈亮
李丹
钱峰
杨磊
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2020
8
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职称材料
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