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题名污秽分布对绝缘子串温度场影响
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作者
白张
岳嵩
王浩
士登
梁海东
张志劲
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机构
国网西藏电力有限公司电力科学研究院
重庆大学电气工程学院
重庆地格科技有限责任公司
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出处
《电工技术》
2023年第23期185-188,共4页
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文摘
为研究污秽分布直流绝缘子串温度变化情况,建立70 kV直流双伞型瓷绝缘子串模型,通过有限元法对绝缘子串温度场进行仿真,分析了均匀、不均匀污秽分布对绝缘子串温度变化的影响。结果表明:在均匀饱和湿污秽的条件下,各片绝缘子温度有不同幅度的上升,且随着总污秽程度的增加,绝缘子整体温升增大;当考虑绝缘子上、下表面盐密不一致时,绝缘子下表面积污对绝缘子串温升影响比上表面大,且随着绝缘子下表面污秽量的增加,绝缘子串的整体温升增大;当上、下表面盐密比从7∶1变化至1∶7时,绝缘子串的温度先升高再降低,在1∶3时达到最高温度,研究结果可为污秽监测提供参考。
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关键词
污秽分布
有限元法
温升分布
绝缘子
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Keywords
pollution distribution
finite element method
temperature rise distribution
insulator
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分类号
TM215
[一般工业技术—材料科学与工程]
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