基于结构滤波器的伺服系统谐振抑制

针对航空光电稳定平台控制系统面临的机械谐振的问题,在双T型陷波器的基础之上提出了一种新型的结构滤波器。这种新型结构滤波器由两个双T型陷波器和一个低通滤波器构成,能够将谐振峰和反谐振峰同时抑制,克服了单一陷波器不能处理反谐振峰值的缺陷。同时相比于双二次型滤波器,结构滤波器的参数调节更加灵活,既可以调节峰值大小又可以调节峰值宽度。实验结果显示:相比于双二次型滤波器,结构滤波器拟合的谐振曲线与实际的扫频曲线匹配度更好。加入结构滤波器对模型进行补偿以后,控制系统的稳定精度提高了5.74倍,闭环带宽提升了4.54倍。新型结构滤波器对于机械谐振的抑制和控制系统的性能提升有明显作用。

基于扩张状态观测器的永磁同步电机低速滑模控制

为了解决传统滑模控制高性能与系统抖振之间的矛盾,提高基于永磁同步电机驱动的航空光电平台系统的可靠性和指向精度,本文提出了一种新型滑模控制器趋近律,该趋近律可以有效削弱系统抖振并达到更好的跟踪效果。在此基础上,为提高扰动观测器的带宽以提升观测的准确性,将扩张状态观测器引入到光电稳定平台伺服系统中以观测系统的总和扰动,并将观测到的总和扰动补偿进滑模控制器,以更好地抑制系统抖振并提高系统抵抗外扰的能力。实验结果表明,本文提出的滑模控制器结合扩张状态观测器的方法明显优于传统的PI+DOB的控制方法。在匀速跟踪实验中,系统的位置指向误差的RMS值仅为0.0057°,完全满足航空光电稳定平台的需求,约是经典PI+DOB控制方法精度的3倍;在正弦波跟踪实验中,本文提出的方法很大程度减小了速度跟踪的相位滞后,位置指向误差仅为PI+DOB方法的1/6;在三角波跟踪实验中,位置指向误差RMS值约为PI+DOB的1/3。

用离子注入技术制作的砷化镓霍尔传感器

针对器件低内阻下的高灵敏度这一器件特性上的难题，在砷化镓霍尔传感器设计中采用非对称十字形结构。在制作上采用全离子注入平面化技术，获得了在８００Ω内阻上大于２５ｍＶ／ｍＡ·ＫＧ的高灵敏度。

X波段GaAs单片压控振荡器

本文报告了X波段GaAs单片压控振荡器的设计和制作,电路设计采用小信号CAD分析程序,能准确地预计振荡频率,同时利用特殊工艺途径提高了变容管Q值.单片电路调谐范围是9.3～11.6GHz,输出功率大于10dBm.

X波段GaAs单片压控振荡器

本工作的GaAs单片压控振荡器其振荡电路选择了GaAs场效应管作为有源器件,平面肖特基势垒变容二极管(Planar Schottkey Varactor Diode,简称PSVD)作为调谐元件.这种变容管的最大特点是它的工艺与GaAs FET的工艺相容,设计也比较灵活,改变阳极指的长度和宽度就能改变电容比和电容量.但是在有源层临近夹断时,其串联电阻迅速变大,

宽带GaAsFET微波单片集成单刀双掷开关

本文报道了一种采用串、并联FETs结构的GaAsMMIC单刀双掷开关.芯片尺寸为0.97×1.23mm.在DC—10GHz频率范围内,插入损耗小于2.2dB,隔离度大于32dB,反射损耗大于12dB,开关时间小于1ns,在5GHz下的功率处理能力大于20dBm.此开关具有极低的直流功率耗散.

高效率B一类功率MMIC放大器

讨论高效率B—类放大器的工作模式及B—类功率MMIC放大器件的设计考虑,使放大器按B—类工作,低电抗终端谐波信号按B—类工作FET的DC特性改进,就能达到70％的高功率附加效率。

具有热稳定性的Ge／Ni／TiWN／Au与n－GaAs接触性能的研究

采用Ｇｅ／Ｎｉ／ＴｉＷＮ／Ａｕ多层金属化结构与ｎ－ＧａＡｓ的固－固相反应来获得理想的欧姆接触性能。经６００℃热处理可获得７．３×１０￣（－７）Ω·ｃｍ的最小接触电阻率，俄歇能谱分析表明ＴｉＷＮ与Ａｕ之间，以及它们与ＧａＡｓ界面之间的互扩散较小，具有良好的热稳定性。

全平面自对准离子注入技术的X波段功率GaAs MESFET

叙述了采用先进的全平面自对准Si、Mg离子共注入技术的X波段功率GaAs MESFET的设计及制作工艺。采用0.5μm难熔“T”型复合栅及非对称的源、漏结构提高可靠性和击穿电压。在工艺上,使用了一种简便有效的亚微米光刻技术溅射形成TiWN/Au“T”型复合难熔栅,提高高频性能。测试结果表明各项指标均满足设计要求,在X波段可获得1W的输出功率,具有高击穿、低夹断、小电流、大跨导的特点。

宽带GaAs微波单片集成单刀单掷开关

本文报道了采用串、并联ＦＥＴ结构的砷化镓（ＧａＡｓ）微波单片集成（ＭＭＩＣ）单刀单掷（ＳＰＳＴ）开关的原理及制作工艺。在ＤＣ～８０ＨＺ频率范围内，插入损耗小于２ｄＢ，隔离度大于４０ｄＢ，反射损耗大于１５ｄＢ。并且具有较高的开关速度和极低的直流偏置功率耗散。芯片尺寸为１×２ｍｍ。