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基于前子模型的一种可能的电荷形成机制
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作者 夏同生 《现代物理》 CAS 2023年第1期1-7,共7页
前子指的是亚夸克/亚轻子粒子。前子被提出后,人们对它产生了很大的兴趣。不过,目前基于前子模型的一些工作存在着一些问题,包括缺少动力学的框架以及缺少对模型的深层解释。在本文中,我们将尝试把前子模型与普朗克尺度下的克尔黑洞分... 前子指的是亚夸克/亚轻子粒子。前子被提出后,人们对它产生了很大的兴趣。不过,目前基于前子模型的一些工作存在着一些问题,包括缺少动力学的框架以及缺少对模型的深层解释。在本文中,我们将尝试把前子模型与普朗克尺度下的克尔黑洞分析联系起来,这可以使得模型更完整、更合理。这种联系是基于普朗克尺度下克尔黑洞的准正则模的分析。我们发现,取磁量子数为2时,其微绕形成的准正则模具有一个相应于e/3的实部。注意到还存在一个刻画面积的三重简并态,于是我们可以用两个量子数,也就是磁量子数和面积三重态量子数,去得到标准模型夸克和轻子的电荷数。 展开更多
关键词 磁量子数 普朗克 亚夸克 简并态 标准模型 电荷数 正则模 轻子
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形成最小单位电荷的一种可能的物理机制 被引量:1
2
作者 夏同生 《现代物理》 2017年第5期183-189,共7页
黑洞引力场微扰方面的研究是一个相当有意义且活跃的领域。这篇文章涉及处理了普朗克尺度下的最小Kerr黑洞。让人惊喜的是,我们发现对最小Kerr黑洞的微扰给出了一个对应于e/3电荷的准模。我们并给出了对这一结论的说明与解释。
关键词 KERR黑洞 准模 微扰 单位电荷
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幂律能谱分布电子的同步-曲率辐射谱 被引量:1
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作者 夏同生 张家铝 陈次星 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期45-49,20,共6页
根据张家铝等近年提出的同步 曲率辐射新理论 ,在非均匀磁场中电子的辐射已不是同步辐射 ,而是同步 曲率辐射 .论文计算了弯曲磁场中相对论性电子在几种情况下的集体谱 ,发现具有幂律能谱分布的电子 ,其辐射谱并非幂律形式 .因此过去... 根据张家铝等近年提出的同步 曲率辐射新理论 ,在非均匀磁场中电子的辐射已不是同步辐射 ,而是同步 曲率辐射 .论文计算了弯曲磁场中相对论性电子在几种情况下的集体谱 ,发现具有幂律能谱分布的电子 ,其辐射谱并非幂律形式 .因此过去认为是幂律谱的传统的观念似有重新考虑的必要 . 展开更多
关键词 弯曲磁场 同步-曲率辐射 辐射谱 相对论性电子 幂律能谱分布电子 天体物理
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双层频率选择表面的优化设计 被引量:5
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作者 胡晓晴 夏同生 +1 位作者 唐光明 董金明 《现代电子技术》 2012年第5期18-21,24,共5页
为了使双层缝隙型频率选择表面在大角度入射时具有更小的传输损耗,利用带通滤波器的原理为双层FSS建立传输线等效模型,确定了层间的最佳距离。介质的不同加载方式及不同的介电常数都会对双层FSS的频率响应有较大影响,同时,两层传输曲线... 为了使双层缝隙型频率选择表面在大角度入射时具有更小的传输损耗,利用带通滤波器的原理为双层FSS建立传输线等效模型,确定了层间的最佳距离。介质的不同加载方式及不同的介电常数都会对双层FSS的频率响应有较大影响,同时,两层传输曲线的耦合方式会影响频率响应曲线中心的传输损耗。仿真结果表明,在层间距离一定的情况下,介质厚度越薄,介电常数越小,频率响应曲线中心的传输损耗也越小。同时,增大通带带宽可以改善双层FSS在大角度入射时的通带中心凹陷程度。 展开更多
关键词 双层频率选择表面 带通滤波器 频率响应 传输损耗
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一种CMOS温度传感器的设计及其应用 被引量:3
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作者 曾梓臻 夏同生 王翔 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期606-609,共4页
提出了一种新的对温度传感器输出电压进行微调的电路和方法。利用温度自适应模块调节输出电压与温度关系曲线的斜率,并添加CMOS减法电路以调节曲线的截距。该电路结构简单,相比用电平平移电路和比例电路对输出电压进行微调,有更大的优... 提出了一种新的对温度传感器输出电压进行微调的电路和方法。利用温度自适应模块调节输出电压与温度关系曲线的斜率,并添加CMOS减法电路以调节曲线的截距。该电路结构简单,相比用电平平移电路和比例电路对输出电压进行微调,有更大的优越性。将该温度传感器,包括自适应模块与减法模块,用于稳定环形振荡器的输出频率,取得了较好的效果。 展开更多
关键词 温度传感器模块 温度自适应模块 减法电路模块 环形振荡器
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扶手椅型石墨烯纳米带场效应管的开关电流及复能带结构
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作者 王宇 夏同生 +1 位作者 张留军 李洪革 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期424-427,共4页
基于对复能带结构的考虑,给出了扶手椅型石墨烯纳米带场效应管的量子输运计算结果,并比较了ID-VG曲线所给出的最小泄漏电流值与ID-VD曲线所给出的开电流值。对于纳米尺度下的石墨烯纳米带场效应管,为了获得最佳性能,指出在关状态下的泄... 基于对复能带结构的考虑,给出了扶手椅型石墨烯纳米带场效应管的量子输运计算结果,并比较了ID-VG曲线所给出的最小泄漏电流值与ID-VD曲线所给出的开电流值。对于纳米尺度下的石墨烯纳米带场效应管,为了获得最佳性能,指出在关状态下的泄漏电流与开电流之间存在某种折衷,也就是说,ID-VG曲线给出的较小/大的关状态泄漏电流可能伴随着ID-VD曲线的一个较小/大的开电流。随后利用复能带的特性对此作了解释。 展开更多
关键词 复能带结构 量子输运 石墨烯纳米带场效应管 开关电流
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用于合成孔径辐射计的集成接收机设计
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作者 文潇凡 夏同生 +1 位作者 苗俊刚 孙国琳 《电子技术应用》 北大核心 2016年第12期16-18,22,共4页
采用0.13μm GaAs pHEMT工艺,提出一种Ka波段低噪声下变频单片式微波集成接收机,可满足合成孔径辐射计应用要求。该设计由4级低噪声放大器模块和由双平衡混频器组成的镜像抑制混频器组成。仿真结果显示,在输入信号频率为29~34GHz时,芯... 采用0.13μm GaAs pHEMT工艺,提出一种Ka波段低噪声下变频单片式微波集成接收机,可满足合成孔径辐射计应用要求。该设计由4级低噪声放大器模块和由双平衡混频器组成的镜像抑制混频器组成。仿真结果显示,在输入信号频率为29~34GHz时,芯片的变频增益为17~20dB,镜像抑制度超过20dBc,噪声系数为2.6~3dB。 展开更多
关键词 下变频模块 KA波段 合成孔径辐射计 单片式微波集成电路 镜像抑制
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沟道宽度对MOSFET高功率微波效应的影响
8
作者 邵立汉 夏同生 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期420-425,共6页
关于高功率微波(HPM)对半导体器件影响的研究往往采用二维仿真模型,而器件宽度作为第三个维度,对仿真结果的影响并没有得以足够的重视。通过Sentaurus TCAD软件对器件的三维模型进行模拟仿真,重点研究了器件宽度在高功率微波注入条件下... 关于高功率微波(HPM)对半导体器件影响的研究往往采用二维仿真模型,而器件宽度作为第三个维度,对仿真结果的影响并没有得以足够的重视。通过Sentaurus TCAD软件对器件的三维模型进行模拟仿真,重点研究了器件宽度在高功率微波注入条件下对于器件电击穿和热积累的影响。研究结果表明,随着器件宽度的增加,标志着二次击穿开始发生的"快回"电压Vt1会明显降低,因此在HPM注入下,较大宽度的器件将有更多的时间处于击穿区域;同时,高功率微波引起热集聚效应在大沟道宽度器件中将更加显著,其内部的峰值温度大于沟道宽度较小的器件。提出了一种新型的轻掺杂漏极结构,能够改善器件内部沿宽度方向上的热扩散条件,减小器件内部的峰值温度,并可提高器件的Vt1,进而提高器件在HPM下的稳定性。 展开更多
关键词 高功率微波 沟道宽度 快回电压 热积累 轻掺杂漏极
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龙江县地下水动态分析 被引量:3
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作者 刘贵成 夏同生 赵旭 《水利科技与经济》 2006年第5期312-312,321,共2页
依据龙江县地下水动态资料,详细分析了龙江县地下水动态类型,即补给、径流、排泄情况;分析了地下水动态,即地下水水位、水温、水质、水量时空变化规律,为科研和生产提供了理论和依据。
关键词 地下水 动态分析 水位 水温 水质 水量
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The complex band structure for armchair graphene nanoribbons 被引量:1
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作者 张留军 夏同生 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第11期548-554,共7页
Using a tight binding transfer matrix method, we calculate the complex band structure of armchair graphene nanoribbons. The real part of the complex band structure calculated by the transfer matrix method fits well wi... Using a tight binding transfer matrix method, we calculate the complex band structure of armchair graphene nanoribbons. The real part of the complex band structure calculated by the transfer matrix method fits well with the bulk band structure calculated by a Hermitian matrix. The complex band structure gives extra information on carrier's decay behaviour. The imaginary loop connects the conduction and valence band, and can profoundly affect the characteristics of nanoscale electronic device made with graphene nanoribbons. In this work, the complex band structure calculation includes not only the first nearest neighbour interaction, but also the effects of edge bond relaxation and the third nearest neighbour interaction. The band gap is classified into three classes. Due to the edge bond relaxation and the third nearest neighbour interaction term, it opens a band gap for N = 3M- 1. The band gap is almost unchanged for N =3M + 1, but decreased for N = 3M. The maximum imaginary wave vector length provides additional information about the electrical characteristics of graphene nanoribbons, and is also classified into three classes. 展开更多
关键词 armchair graphene nanoribbons complex band structure edge bond relaxation third nearest neighbour interaction
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