增益饱和对光学差频产生太赫兹辐射的功率和稳定性的影响

数值模拟并分析了以GaSe晶体为例对光学差频产生太赫兹(THz)波的特性.结果表明:当THz波长为227.5μm,晶体长度为26.3mm时,产生THz波功率达到增益饱和,在增益饱和点输出最高峰值功率可以达到945W.由于晶体吸收的影响,THz波的增益饱和区是输出功率的非稳定区,而THz波的输出稳定区位于增益饱和区之后,在稳定区的THz波稳定性取决于抽运光的稳定性.当THz波波长为227.5μm时,达到稳定区所需晶体长度为37.9mm,此时THz波输出峰值功率可以达到735W.