螺芴氧杂蒽LB膜的制备及光谱特性研究

为了研究聚芴材料DSFX-SFX分子在气液两相表面的行为,分子处于溶液、LB膜及粉末状态的光学特性,以及分子有序排列对其发光特性的影响,制备了聚芴材料DSFX-SFX的X型LB膜,研究了π-A等温曲线,测量了其紫外-可见吸收谱和稳态荧光光谱。结果表明,分子以face-on形式平躺在亚相表面,单分子面积为4.78 nm2。在氯仿溶液中吸收峰位在354 nm,归属于分子中三聚氧杂蒽部分与芴环间π-π*电子跃迁;荧光发射峰位在396,419,445 nm(肩峰),归属于发色团三聚氧杂蒽,是芴环与氧杂蒽环之间的电荷转移。在LB膜中,吸收谱和荧光光谱与其溶液光谱相比,整体红移6 nm。结果表明:在LB膜中,两个分子形成激基缔合物,与单分子状态相比,激基缔合物的HOMO升高而LUMO降低。与粉末状态相比,该材料在LB膜中有很强的荧光发射,表明该材料形成有序排列超薄膜有利于荧光发射。

提高有机发光二极管发光性能的阳极修饰方法

通过在有机发光二极管(OLED)的阳极与空穴传输层NPB之间加入m-MTDATA作为缓冲层来研究缓冲层对器件性能的影响。制备了ITO/m-MTDATA(dnm)/NPB(40-dnm)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(40nm)、ITO/MoO3(15nm)/NPB(25nm)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(40nm)结构的器件,研究不同m-MTDATA厚度对OLED发光亮度、电流密度、电流效率等性能的影响。实验发现,当缓冲层的厚度为15nm时,器件的启亮电压从未加缓冲层的13V降到了9V,最大发光亮度从未加缓冲层的5900cd/m2增加到16300cd/m2,是原来的2.76倍。最高的电流效率也由未加缓冲层的1.8cd/A变为3.5cd/A,是原来的1.94倍。然后在器件的氧化铟锡(ITO)与NPB之间插入了厚度为15nm的MoO3缓冲层。与同厚度的m-MTDATA器件相比,插入MoO3缓冲层器件的启亮电压降低为8V,最大亮度为13320cd/m2,最大电流密度为6030.74A/m2,最大的电流效率为3.06cd/A。