水热合成ZnO纳米带

采用水热法成功合成了ZnO纳米带。XRD谱表明该条带为六方晶系结构。格点对称群为P63mc（186），格点参数a=3．249A，c=5.5052A。SEM图表明该ZnO纳米带的长度大约为50μm、宽度为50-300nm。TEM图像表明该样品的生长方向为（0001）。详细地介绍了合成ZnO纳米板条的实验过程及生长机理。

ZnO纳米板条的合成及其生长机理

采用水热法成功合成了ZnO纳米板条．XRD谱表明该条板六方晶系结构，格点对称群为P63 mc（186），格点参数a=3．249A°，C=5．5052A°．SEM图表明该ZnO纳米板条的长度大约为20μm、宽度为50-300nm，厚度约为30nm．并详细介绍了合成ZnO纳米板条的实验过程及生长机理．分析结果表明ZnO纳米板条的形状与生长热系统的压力、温度、溶液的pH值以及锌在参加反应前的存在状态有关．

SrTiO_3纳米四方片状晶体的自组装行为及向立方晶体的转变

采用复合氢氧化物媒介法(CHM),以SrCO3和TiO2为原料在200℃、48h的生长条件下合成了立方相SrTiO3纳米晶体,它由大量的平行四方片层自组装成为长约500-800nm、宽约100-150nm的弯曲条状.生长时加入少量水可以改变晶体的形状得到尺寸略大的立方SrTiO3颗粒.探讨了CHM法制备纳米SrTiO3粉体的形成机理,指出SrTiO3纳米条的生长经过了"溶解→均相成核→片状晶体的生长→片层自组装"四个过程,此外分析了水在CHM方法中对晶体生长产生的影响.

管径相关的多壁碳纳米管膜的压阻效应

利用三点弯曲法研究了不同管径的碳纳米管膜的压阻效应,实验结果表明,管径较小的碳纳米管膜与管径大的碳纳米管膜相比具有更显著的压阻效应,并对电阻随应力变化的机制作了详细的讨论。

CHM法合成BaTiO_3纳米单晶

采用复合氢氧化物媒介法(CHM),以BaCO_3和TiO_2为原料在200℃、48 h的生长条件下成功合成出Ba- TiO_3纳米单晶.用XRD,SEM,TEM等手段对产物的晶型、粒径进行了分析.检测结果显示,获得的BaTiO_3晶粒为立方相单晶,结晶好且不含BaCO_3等杂质,平均粒径约为70 nm.另外探讨了CHM法制备纳米BaTiO_3粉体的反应机理,解释了BaTiO_3物相的形成.

水对BaTiO_3纳米晶体形状及尺寸的影响

采用复合氢氧化物熔剂法(CHM),以BaCO3和TiO2为原料在200℃、48 h的生长条件下成功合成出立方相BaTiO3纳米晶体,研究了加入不同剂量去离子水对晶体生长的影响。用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对产物的晶相、形貌进行了分析。结果显示,获得的BaTiO3晶粒平均尺寸可从70 nm增加到400 nm,加水还可以将BaTiO3晶粒由立方形调节为近似球形。

纳米Cu2Se的制备及其生长机理分析

采用一种新的合成技术，在复合氢氧化物熔融体中，以CuCl2·2H2O和Se粉为原料在200℃下合成了Cu2Se纳米晶体，X射线衍射谱表明合成的Cu2Se纳米晶体属立方晶系结构，格点对称群为Fm3m（225），格点参数a=0．5765nm。扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）图表明Cu2Se纳米晶体为厚度为10～20nm，宽度为200-300nm的片状结构。生长时加入少量的水会导致棒状非晶产生，水量越多棒状非晶的尺寸越大，使得Cu2Se晶体的均匀性和品质变差。根据配位多面体生长机理模型，计算了生长基元的稳定能，并探讨了在复合氢氧化物熔融中纳米Cu2Se晶体的形成机理。

基于ZnO纳米带的纳米器件

ZnO作为一种被人们广泛研究的具有优良性质的半导体材料,在具有了纳米带状结构之后,展现出了更多的奇特性质。主要介绍了ZnO纳米带的合成以及ZnO纳米带二极管、激光器、微悬臂和声学谐振器等4种基于ZnO纳米带的纳米器件的制作及其性能的研究。

氟化物纳米晶的制备及生长机理分析

采用一种新的合成技术,在固熔的复合氢氧化物中,200℃、24h的生长条件下制备了立方相的CaF2、KCrF3纳米颗粒和六方相PbF2纳米片。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和UV-vis分光光度计对合成纳米晶的粒径、形貌和光学性质进行了表征。结果表明,使用复合氢氧化物固熔法合成的氟化物纳米晶体结晶良好且尺寸均匀,通过UV-vis吸收谱发现,所合成的氟化物纳米晶在紫外或深紫外区域具有强烈吸收。基于结晶学、结晶化学和现代溶液理论对氟化物纳米晶的生长机理进行了分析。