超宽带低噪声放大器的计算机辅助设计

叙述了超宽带低噪声放大器的计算机辅助设计方法，提出了利用普通微带混合集成电路．工艺设计超宽带低噪声放大器的方法和关键技术，并且用带封装的ＢＪＴ和ＦＥＴ实现了两个超宽带低噪声放大器。实验结果和设计结果吻合较好。一个利用２ＳＣ３３５８，放大器为三级，频带为３０ｋＨＺ～１６００ＭＨＺ，增益Ｇ＝２０±１ｄＢ，噪声系数ＮＦ≤３．５ｄＢ；另一个利用ＡＴＦ１０２３５（６），放大器为二级，频带为５００ｋＨＺ～６０００ＭＨＺ，增益Ｇ＝２０±２ｄＢ，噪声系数ＮＦ≤２ｄＢ。

射频溅射制备Ni-SiO_2薄膜特性研究

Ｎｉ－ＳｉＯ２金属陶瓷薄膜是制作透明电阻层的材料，用射频磁控溅射反应制备对近紫外透明的Ｎｉ－ＳｉＯ２薄膜，生成的样品均匀、致密．通过控制薄膜中的金属体积百分比可改变薄膜的电阻率及透光性满足实际工艺需求。Ｘ射线能谱分析可以估算出Ｎｉ在样品中的百分比，各种不同制备条件下的样品透射率有较大的差别。

有电子束聚焦作用的场发射阵列

讨论了对发射电子束具有聚焦作用的场发射阵列 ,并制作了样管。为了抑制发射电子束的发散 ,采用电子束聚焦的方法。文中给出了三种结构的聚焦方案 ,开发的透明电阻层Ni SiO2

场发射阵列中的分布电阻层

文章提出一种具有网格状分布电阻层结构的场发射阵列 (FEA)。讨论了电阻层的横向电阻和纵向电阻对器件性能的影响。实验结果表明 ,通过引入电阻层 ,器件发射的不均匀性得到较大改善 ,异常发射得到有效的抑制。

金属型场发射阵列的研究

讨论了Ｓｐｉｎｄｔ方法制作金属型ＦＥＡ工艺过程中的技术难点和相应的解决方案，最后成功地研制出场发射阵列，并实现了场发射。

网格状电阻层对FEA的作用

讨论了具有横向电阻的网格状电阻层结构的场发射阵列 ,因为场发射阵列发射的不均匀性以及异常发射都是妨碍场发射显示器发展的重大问题。电阻层的等效电阻有横向与纵向电阻之分 ,相互串接在阴极与微尖发射体之间。实验制得的场发射阵列器件 。

FFEA电场及电子轨迹模拟讨论

采用有限差分法 ,对有聚焦极的垂直双门结构的场发射阵列进行了轴对称三维模拟计算 ,得到发射微尖附近的电位和电子轨迹分布图。分别讨论了聚焦极电位、聚焦极孔径以及栅极电位对发射电子束的影响。聚焦极电位相对栅极越负 ,聚焦作用越强。减小聚焦极孔径对大发散角的电子有影响 ,但对聚焦作用的影响不如改变电位明显。栅极电位基本上不影响电子的轨迹 ,仅改变了发射电子的多少。

分布串联横向电阻Spindt型FEA的研究

提出了一种新型的分布串联横向电阻Spindt型FEA的制作工艺。通过溅射的办法制备了各层电极、绝缘层以及FEA电阻层。利用磁增强反应离子刻蚀设备 ,刻蚀出Mo薄膜电极图案和直径 1 μm ,深度 1 μm的SiO2 绝缘层圆孔。利用电子束双源蒸发设备 ,蒸发Al和Mo薄膜 ,得到Mo的微尖阵列 ,制成了分布串联横向电阻Spindt型FEA。

高温超导圆极化微带天线辐射性能的研究

本文设计并研制了 2GHz敷铜板圆极化微带天线及 4 5GHz高温超导 (HTS)圆极化微带天线 .2GHz敷铜板圆极化微带天线的半功率角为 6 3° ,最好轴比为 1 2dB ;4 5GHz的HTS圆极化微带天线相对于银天线有 3dB的增益改善 ,其半功率角大于 6 3°.

场发射阵列中聚焦电极制备的自对准技术

本文讨论了制造Spindt型聚焦场发射阵列FFEA过程中需要的对准技术 ,提出了具有自对准能力的刻蚀方法 ,满足了聚焦型发射阵列的聚焦极与门极的精确对准 .比较了传统方法与新方法的不同 ,具体论述了整个工艺过程 ,并对制备出的器件进行了SEM观测 ,结果达到了预想的目标 .

由离子注入引起的Cu_xS薄膜的状态变化

讨论了 Cux S薄膜注入氮离子对薄膜特性的影响。铜硫化合物薄膜经两次蒸发制备在玻璃上。实验发现 ,氮离子束注入引起了 Cux S薄膜中铜与硫成分的改变 ,明显观察到样品中的铜对硫的比值随注入离子束强度的增加而变大。透射光谱分析对比证实确有新的 Cux S状态出现。

FFEA中电场及电子轨迹模拟研究

采用有限差分法 ,对有聚焦极的垂直双门结构的 FEA进行了轴对称三维模拟计算 ,得到发射微尖附近的电位和电子束运动分布图。分别讨论了聚焦极电位、聚焦孔以及栅极电位对发射的电子束影响。聚焦电位相对栅极越负 ,聚焦作用越强。减小聚焦孔径影响了大的发散角的电子 ,但对聚焦的作用不如电位改变明显。栅极电位基本不影响电子的轨迹 ,仅改变了发射的电子的多少。结论与实验基本一致。