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一种垂直递变流速氢化物气相外延(HVPE)反应腔流场分析及大尺寸材料生长 被引量:1
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作者 李成明 苏宁 +2 位作者 李琳 姚威振 杨少延 《真空》 CAS 2021年第2期1-5,共5页
以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料,是我国重要战略发展方向之一,而氢化物气相外延(HVPE)作为一种重要材料生长技术,是有效制备单晶材料的工艺手段,本文提出了一种分层次递变流速下HVPE流场与温度场,在垂直腔结构条件下,模拟从腔... 以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料,是我国重要战略发展方向之一,而氢化物气相外延(HVPE)作为一种重要材料生长技术,是有效制备单晶材料的工艺手段,本文提出了一种分层次递变流速下HVPE流场与温度场,在垂直腔结构条件下,模拟从腔体中间区域到边缘区域不同流速层次条件下,腔内材料生长区域反应前驱物分布,得出结论:在边缘喷射区域流速为中心区域流速三倍时,反应前驱物可以有效分布在衬底托盘表面。最后,在蓝宝石衬底GaN籽晶表面进行HVPE材料生长,获得平均厚度为20.1μm,均匀性起伏6.9%的GaN单晶,证明理论优化设计下生长出良好的单晶薄膜材料。 展开更多
关键词 氢化物气相外延 反应腔体 氮化镓 数值模拟 喷管
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不确定型层次分析法在钢闸门评价中的运用
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作者 郝伯瑾 刘忠 姚威振 《南水北调与水利科技》 CSCD 北大核心 2017年第A02期169-172,共4页
依据不确定型层次分析法原理,构造钢闸门评价体系层次及其区间数判断矩阵,结合专家群判、集值统计和重心决策理论求解各层次权重;结合前人相关研究成果、专家经验及现行规程规范之规定,利用概率统计和模糊综合评估理论,建立钢闸门综合... 依据不确定型层次分析法原理,构造钢闸门评价体系层次及其区间数判断矩阵,结合专家群判、集值统计和重心决策理论求解各层次权重;结合前人相关研究成果、专家经验及现行规程规范之规定,利用概率统计和模糊综合评估理论,建立钢闸门综合评估和因素层评估指标的分级标准和评分机制,使钢闸门安全评估过程更具实操性,评价结果更具实用性。 展开更多
关键词 闸门安全评价 不确定型层次分析法 集值统计理论 区间数判断矩阵 权重
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磁控溅射ZrN薄膜的生长机理及光学性能 被引量:2
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作者 高洁 姚威振 +3 位作者 杨少延 魏洁 李成明 魏鸿源 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第5期831-837,844,共8页
利用直流反应磁控溅射法在Si衬底上沉积了高结晶质量的氮化锆(ZrN)薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、原子力显微镜(AFM)和光谱椭偏仪(SE)研究了沉积时间对ZrN薄膜结构、表面形貌和光学性能的影响。结果表明:... 利用直流反应磁控溅射法在Si衬底上沉积了高结晶质量的氮化锆(ZrN)薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、原子力显微镜(AFM)和光谱椭偏仪(SE)研究了沉积时间对ZrN薄膜结构、表面形貌和光学性能的影响。结果表明:所沉积薄膜均为NaCl结构的立方相ZrN,具有(111)面单一取向;沉积时间的增加提高了薄膜的结晶质量;ZrN薄膜的表面形貌、晶粒尺寸以及表面粗糙度随沉积时间发生变化,沉积45 min的薄膜表面出现致密的三角锥晶粒,且表面粗糙度最大,薄膜呈柱状生长。随后利用Extend Structure Zone Model解释了ZrN薄膜的生长机制,最后研究了ZrN薄膜的光反射特性,发现反射光谱与晶粒形状和表面粗糙度密切相关,表面具有三角锥状晶粒的薄膜,其反射谱在300~800 nm波长范围内存在振荡现象,相比于具有不规则晶粒形貌的薄膜其反射率明显下降。本文中研究的生长条件与晶体结构、微观形貌和光学性能之间的关系,可为器件中应用的ZrN薄膜最佳制备条件的优化提供重要的参考价值。 展开更多
关键词 氮化锆 反应磁控溅射 单一取向 表面形貌 柱状生长 光学性能
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衬底温度对磁控溅射ZrN薄膜结构和物理性能的影响 被引量:2
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作者 高洁 姚威振 +3 位作者 杨少延 魏洁 李成明 魏鸿源 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2021年第9期9148-9153,共6页
采用直流反应磁控溅射法在Si(111)衬底上制备了ZrN薄膜,通过X射线衍射仪、拉曼光谱仪、场发射扫描电子显微镜、原子力显微镜以及霍尔测量等测试分析手段表征了薄膜的微观结构、表面形貌及电学性能。结果表明,制备的ZrN薄膜为立方相NaCl... 采用直流反应磁控溅射法在Si(111)衬底上制备了ZrN薄膜,通过X射线衍射仪、拉曼光谱仪、场发射扫描电子显微镜、原子力显微镜以及霍尔测量等测试分析手段表征了薄膜的微观结构、表面形貌及电学性能。结果表明,制备的ZrN薄膜为立方相NaCl结构,具有(111)面择优取向。在Ts=550~650℃时,薄膜的结晶性最佳。薄膜呈柱状生长,晶粒尺寸会随着衬底温度的升高先增大后减小,当Ts=550~750℃时,表面出现三角锥状晶粒。制备的ZrN薄膜表面较为平整,表面粗糙度在3.9~6.67 nm之间。测得薄膜的电阻率大小在1.43~24.5×10^(-3)Ω·cm之间,且电阻率与薄膜的结晶性以及晶粒尺寸相关;薄膜的载流子浓度在0.869~4.38×10^(20) cm^(-3)之间,Ts=550~650℃的薄膜电学性能较好。 展开更多
关键词 氮化锆 衬底温度 反应磁控溅射 电学性质
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温度对氮化铝表面形貌的调控及演化机理 被引量:1
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作者 牛慧丹 孔苏苏 +7 位作者 杨少延 刘祥林 魏鸿源 姚威振 李辉杰 陈庆庆 汪连山 王占国 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第11期1739-1747,共9页
氮化铝(AlN)是一种重要的超宽禁带半导体材料。本文研究了采用氢化物气相外延(HVPE)方法生长氮化铝的表面形貌演化和生长机理。AlN的制备过程是氮化处理后以700~1100℃的不同温度生长,得到四组不同温度下的表面形貌。结果表明,生长温度... 氮化铝(AlN)是一种重要的超宽禁带半导体材料。本文研究了采用氢化物气相外延(HVPE)方法生长氮化铝的表面形貌演化和生长机理。AlN的制备过程是氮化处理后以700~1100℃的不同温度生长,得到四组不同温度下的表面形貌。结果表明,生长温度对AlN的生长形貌和生长模式具有重要的影响。AlN的生长形貌体现在纳米尺度和微米尺度的形貌差异,该结果归因于受生长温度主导的Al原子的表面迁移能力和位错演化。另外,在900℃生长温度下得到具有倒金字塔结构的V坑形貌。V坑面为{10-11}半极性面,并遵循三维(3D)生长模式。这种具有半极性面微观形貌的AlN可作为模板进行半极性紫外LED器件结构或其他Ⅲ族氮化物外延生长,在光电子器件和电子器件研制方面具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 超宽禁带半导体材料 氮化铝 氢化物气相外延 生长温度 表面形貌
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公交站台区域电动自行车与行人通行冲突演化博弈模型 被引量:4
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作者 周旦 姚威振 +1 位作者 顾国斌 胡清玮 《交通信息与安全》 CSCD 北大核心 2021年第5期27-35,共9页
为探究公交站台区域进出站台行人与电动自行车发生冲突时,双方的通行策略选择机制,建立行人与电动自行车通行时间延误模型,分析2类出行者选择是否通行或穿越策略的时间收益,利用复制动态方程刻画2类出行者通行策略的博弈学习行为,建立... 为探究公交站台区域进出站台行人与电动自行车发生冲突时,双方的通行策略选择机制,建立行人与电动自行车通行时间延误模型,分析2类出行者选择是否通行或穿越策略的时间收益,利用复制动态方程刻画2类出行者通行策略的博弈学习行为,建立该区域2类出行者之间的冲突演化博弈模型,结合稳定性分析可以得到该区域2类出行者发生冲突时的稳定通行选择策略。利用桂林市6个公交站台区域的实测数据对演化博弈模型进行实证分析,结果表明:选择“通行”策略的行人群体比例越大,其过街安全感越高;发生冲突时,电动自行车做出决策的时间较行人更短,且2类出行者分别做出“通行”或“穿越”的决策时间短于做出“等待”或“减速”的决策时间,电动自行车平均用时减少约23%,行人平均用时减少约24%。 展开更多
关键词 交通安全 电动自行车 行人 交通行为 演化博弈 交通冲突
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