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一种垂直递变流速氢化物气相外延(HVPE)反应腔流场分析及大尺寸材料生长
被引量:
1
1
作者
李成明
苏宁
+2 位作者
李琳
姚威振
杨少延
《真空》
CAS
2021年第2期1-5,共5页
以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料,是我国重要战略发展方向之一,而氢化物气相外延(HVPE)作为一种重要材料生长技术,是有效制备单晶材料的工艺手段,本文提出了一种分层次递变流速下HVPE流场与温度场,在垂直腔结构条件下,模拟从腔...
以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料,是我国重要战略发展方向之一,而氢化物气相外延(HVPE)作为一种重要材料生长技术,是有效制备单晶材料的工艺手段,本文提出了一种分层次递变流速下HVPE流场与温度场,在垂直腔结构条件下,模拟从腔体中间区域到边缘区域不同流速层次条件下,腔内材料生长区域反应前驱物分布,得出结论:在边缘喷射区域流速为中心区域流速三倍时,反应前驱物可以有效分布在衬底托盘表面。最后,在蓝宝石衬底GaN籽晶表面进行HVPE材料生长,获得平均厚度为20.1μm,均匀性起伏6.9%的GaN单晶,证明理论优化设计下生长出良好的单晶薄膜材料。
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关键词
氢化物气相外延
反应腔体
氮化镓
数值模拟
喷管
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职称材料
不确定型层次分析法在钢闸门评价中的运用
2
作者
郝伯瑾
刘忠
姚威振
《南水北调与水利科技》
CSCD
北大核心
2017年第A02期169-172,共4页
依据不确定型层次分析法原理,构造钢闸门评价体系层次及其区间数判断矩阵,结合专家群判、集值统计和重心决策理论求解各层次权重;结合前人相关研究成果、专家经验及现行规程规范之规定,利用概率统计和模糊综合评估理论,建立钢闸门综合...
依据不确定型层次分析法原理,构造钢闸门评价体系层次及其区间数判断矩阵,结合专家群判、集值统计和重心决策理论求解各层次权重;结合前人相关研究成果、专家经验及现行规程规范之规定,利用概率统计和模糊综合评估理论,建立钢闸门综合评估和因素层评估指标的分级标准和评分机制,使钢闸门安全评估过程更具实操性,评价结果更具实用性。
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关键词
闸门安全评价
不确定型层次分析法
集值统计理论
区间数判断矩阵
权重
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职称材料
磁控溅射ZrN薄膜的生长机理及光学性能
被引量:
2
3
作者
高洁
姚威振
+3 位作者
杨少延
魏洁
李成明
魏鸿源
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2021年第5期831-837,844,共8页
利用直流反应磁控溅射法在Si衬底上沉积了高结晶质量的氮化锆(ZrN)薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、原子力显微镜(AFM)和光谱椭偏仪(SE)研究了沉积时间对ZrN薄膜结构、表面形貌和光学性能的影响。结果表明:...
利用直流反应磁控溅射法在Si衬底上沉积了高结晶质量的氮化锆(ZrN)薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、原子力显微镜(AFM)和光谱椭偏仪(SE)研究了沉积时间对ZrN薄膜结构、表面形貌和光学性能的影响。结果表明:所沉积薄膜均为NaCl结构的立方相ZrN,具有(111)面单一取向;沉积时间的增加提高了薄膜的结晶质量;ZrN薄膜的表面形貌、晶粒尺寸以及表面粗糙度随沉积时间发生变化,沉积45 min的薄膜表面出现致密的三角锥晶粒,且表面粗糙度最大,薄膜呈柱状生长。随后利用Extend Structure Zone Model解释了ZrN薄膜的生长机制,最后研究了ZrN薄膜的光反射特性,发现反射光谱与晶粒形状和表面粗糙度密切相关,表面具有三角锥状晶粒的薄膜,其反射谱在300~800 nm波长范围内存在振荡现象,相比于具有不规则晶粒形貌的薄膜其反射率明显下降。本文中研究的生长条件与晶体结构、微观形貌和光学性能之间的关系,可为器件中应用的ZrN薄膜最佳制备条件的优化提供重要的参考价值。
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关键词
氮化锆
反应磁控溅射
单一取向
表面形貌
柱状生长
光学性能
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职称材料
衬底温度对磁控溅射ZrN薄膜结构和物理性能的影响
被引量:
2
4
作者
高洁
姚威振
+3 位作者
杨少延
魏洁
李成明
魏鸿源
《功能材料》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第9期9148-9153,共6页
采用直流反应磁控溅射法在Si(111)衬底上制备了ZrN薄膜,通过X射线衍射仪、拉曼光谱仪、场发射扫描电子显微镜、原子力显微镜以及霍尔测量等测试分析手段表征了薄膜的微观结构、表面形貌及电学性能。结果表明,制备的ZrN薄膜为立方相NaCl...
采用直流反应磁控溅射法在Si(111)衬底上制备了ZrN薄膜,通过X射线衍射仪、拉曼光谱仪、场发射扫描电子显微镜、原子力显微镜以及霍尔测量等测试分析手段表征了薄膜的微观结构、表面形貌及电学性能。结果表明,制备的ZrN薄膜为立方相NaCl结构,具有(111)面择优取向。在Ts=550~650℃时,薄膜的结晶性最佳。薄膜呈柱状生长,晶粒尺寸会随着衬底温度的升高先增大后减小,当Ts=550~750℃时,表面出现三角锥状晶粒。制备的ZrN薄膜表面较为平整,表面粗糙度在3.9~6.67 nm之间。测得薄膜的电阻率大小在1.43~24.5×10^(-3)Ω·cm之间,且电阻率与薄膜的结晶性以及晶粒尺寸相关;薄膜的载流子浓度在0.869~4.38×10^(20) cm^(-3)之间,Ts=550~650℃的薄膜电学性能较好。
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关键词
氮化锆
衬底温度
反应磁控溅射
电学性质
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职称材料
温度对氮化铝表面形貌的调控及演化机理
被引量:
1
5
作者
牛慧丹
孔苏苏
+7 位作者
杨少延
刘祥林
魏鸿源
姚威振
李辉杰
陈庆庆
汪连山
王占国
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第11期1739-1747,共9页
氮化铝(AlN)是一种重要的超宽禁带半导体材料。本文研究了采用氢化物气相外延(HVPE)方法生长氮化铝的表面形貌演化和生长机理。AlN的制备过程是氮化处理后以700~1100℃的不同温度生长,得到四组不同温度下的表面形貌。结果表明,生长温度...
氮化铝(AlN)是一种重要的超宽禁带半导体材料。本文研究了采用氢化物气相外延(HVPE)方法生长氮化铝的表面形貌演化和生长机理。AlN的制备过程是氮化处理后以700~1100℃的不同温度生长,得到四组不同温度下的表面形貌。结果表明,生长温度对AlN的生长形貌和生长模式具有重要的影响。AlN的生长形貌体现在纳米尺度和微米尺度的形貌差异,该结果归因于受生长温度主导的Al原子的表面迁移能力和位错演化。另外,在900℃生长温度下得到具有倒金字塔结构的V坑形貌。V坑面为{10-11}半极性面,并遵循三维(3D)生长模式。这种具有半极性面微观形貌的AlN可作为模板进行半极性紫外LED器件结构或其他Ⅲ族氮化物外延生长,在光电子器件和电子器件研制方面具有广阔的应用前景。
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关键词
超宽禁带半导体材料
氮化铝
氢化物气相外延
生长温度
表面形貌
下载PDF
职称材料
公交站台区域电动自行车与行人通行冲突演化博弈模型
被引量:
4
6
作者
周旦
姚威振
+1 位作者
顾国斌
胡清玮
《交通信息与安全》
CSCD
北大核心
2021年第5期27-35,共9页
为探究公交站台区域进出站台行人与电动自行车发生冲突时,双方的通行策略选择机制,建立行人与电动自行车通行时间延误模型,分析2类出行者选择是否通行或穿越策略的时间收益,利用复制动态方程刻画2类出行者通行策略的博弈学习行为,建立...
为探究公交站台区域进出站台行人与电动自行车发生冲突时,双方的通行策略选择机制,建立行人与电动自行车通行时间延误模型,分析2类出行者选择是否通行或穿越策略的时间收益,利用复制动态方程刻画2类出行者通行策略的博弈学习行为,建立该区域2类出行者之间的冲突演化博弈模型,结合稳定性分析可以得到该区域2类出行者发生冲突时的稳定通行选择策略。利用桂林市6个公交站台区域的实测数据对演化博弈模型进行实证分析,结果表明:选择“通行”策略的行人群体比例越大,其过街安全感越高;发生冲突时,电动自行车做出决策的时间较行人更短,且2类出行者分别做出“通行”或“穿越”的决策时间短于做出“等待”或“减速”的决策时间,电动自行车平均用时减少约23%,行人平均用时减少约24%。
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关键词
交通安全
电动自行车
行人
交通行为
演化博弈
交通冲突
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职称材料
题名
一种垂直递变流速氢化物气相外延(HVPE)反应腔流场分析及大尺寸材料生长
被引量:
1
1
作者
李成明
苏宁
李琳
姚威振
杨少延
机构
中国科学院半导体研究所
北京大学东莞光电研究院
沈阳真空技术研究所有限公司
长沙(星沙)经济技术开发区毛塘工业园区湖南信息学院
中国科学院大学
出处
《真空》
CAS
2021年第2期1-5,共5页
基金
国家自然科学基金项目(Nos.61774147)
国家重点研发计划(No.2017YFB0404201)
广东省财政补贴项目(粤财工【2015】639号)。
文摘
以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料,是我国重要战略发展方向之一,而氢化物气相外延(HVPE)作为一种重要材料生长技术,是有效制备单晶材料的工艺手段,本文提出了一种分层次递变流速下HVPE流场与温度场,在垂直腔结构条件下,模拟从腔体中间区域到边缘区域不同流速层次条件下,腔内材料生长区域反应前驱物分布,得出结论:在边缘喷射区域流速为中心区域流速三倍时,反应前驱物可以有效分布在衬底托盘表面。最后,在蓝宝石衬底GaN籽晶表面进行HVPE材料生长,获得平均厚度为20.1μm,均匀性起伏6.9%的GaN单晶,证明理论优化设计下生长出良好的单晶薄膜材料。
关键词
氢化物气相外延
反应腔体
氮化镓
数值模拟
喷管
Keywords
HVPE
reactor
gallium nitride(GaN)
numerical simulation
nozzle
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
不确定型层次分析法在钢闸门评价中的运用
2
作者
郝伯瑾
刘忠
姚威振
机构
黄河水利科学研究院
水利部堤防中心
华北水利水电大学
出处
《南水北调与水利科技》
CSCD
北大核心
2017年第A02期169-172,共4页
基金
水利部公益性行业科研专项项目(201501036)
中央级公益性科研院所基金项目(HKY-JBYW-2016-16)
文摘
依据不确定型层次分析法原理,构造钢闸门评价体系层次及其区间数判断矩阵,结合专家群判、集值统计和重心决策理论求解各层次权重;结合前人相关研究成果、专家经验及现行规程规范之规定,利用概率统计和模糊综合评估理论,建立钢闸门综合评估和因素层评估指标的分级标准和评分机制,使钢闸门安全评估过程更具实操性,评价结果更具实用性。
关键词
闸门安全评价
不确定型层次分析法
集值统计理论
区间数判断矩阵
权重
Keywords
steel gate safety assessment
the UAHP
Set-valued statistics theory
Interval number judgment matrix
the weight
分类号
TV14 [水利工程—水力学及河流动力学]
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职称材料
题名
磁控溅射ZrN薄膜的生长机理及光学性能
被引量:
2
3
作者
高洁
姚威振
杨少延
魏洁
李成明
魏鸿源
机构
中国科学院半导体研究所
中国科学院大学材料与光电研究中心
南京佑天金属科技有限公司
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2021年第5期831-837,844,共8页
基金
国家重点研发计划(2017YFB0404201)
国家自然科学基金(61774147)。
文摘
利用直流反应磁控溅射法在Si衬底上沉积了高结晶质量的氮化锆(ZrN)薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、原子力显微镜(AFM)和光谱椭偏仪(SE)研究了沉积时间对ZrN薄膜结构、表面形貌和光学性能的影响。结果表明:所沉积薄膜均为NaCl结构的立方相ZrN,具有(111)面单一取向;沉积时间的增加提高了薄膜的结晶质量;ZrN薄膜的表面形貌、晶粒尺寸以及表面粗糙度随沉积时间发生变化,沉积45 min的薄膜表面出现致密的三角锥晶粒,且表面粗糙度最大,薄膜呈柱状生长。随后利用Extend Structure Zone Model解释了ZrN薄膜的生长机制,最后研究了ZrN薄膜的光反射特性,发现反射光谱与晶粒形状和表面粗糙度密切相关,表面具有三角锥状晶粒的薄膜,其反射谱在300~800 nm波长范围内存在振荡现象,相比于具有不规则晶粒形貌的薄膜其反射率明显下降。本文中研究的生长条件与晶体结构、微观形貌和光学性能之间的关系,可为器件中应用的ZrN薄膜最佳制备条件的优化提供重要的参考价值。
关键词
氮化锆
反应磁控溅射
单一取向
表面形貌
柱状生长
光学性能
Keywords
zirconium nitride
reactive magnetron sputtering
single oriented
surface morphology
columnar growth
optical property
分类号
TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
TQ134.12 [化学工程—无机化工]
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职称材料
题名
衬底温度对磁控溅射ZrN薄膜结构和物理性能的影响
被引量:
2
4
作者
高洁
姚威振
杨少延
魏洁
李成明
魏鸿源
机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
中国科学院大学材料与光电研究中心
南京佑天金属科技有限公司
出处
《功能材料》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第9期9148-9153,共6页
基金
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0404201)
国家自然科学基金资助项目(61774147)。
文摘
采用直流反应磁控溅射法在Si(111)衬底上制备了ZrN薄膜,通过X射线衍射仪、拉曼光谱仪、场发射扫描电子显微镜、原子力显微镜以及霍尔测量等测试分析手段表征了薄膜的微观结构、表面形貌及电学性能。结果表明,制备的ZrN薄膜为立方相NaCl结构,具有(111)面择优取向。在Ts=550~650℃时,薄膜的结晶性最佳。薄膜呈柱状生长,晶粒尺寸会随着衬底温度的升高先增大后减小,当Ts=550~750℃时,表面出现三角锥状晶粒。制备的ZrN薄膜表面较为平整,表面粗糙度在3.9~6.67 nm之间。测得薄膜的电阻率大小在1.43~24.5×10^(-3)Ω·cm之间,且电阻率与薄膜的结晶性以及晶粒尺寸相关;薄膜的载流子浓度在0.869~4.38×10^(20) cm^(-3)之间,Ts=550~650℃的薄膜电学性能较好。
关键词
氮化锆
衬底温度
反应磁控溅射
电学性质
Keywords
ZrN
substrate temperature
reactive magnetron sputtering
electrical properties
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
温度对氮化铝表面形貌的调控及演化机理
被引量:
1
5
作者
牛慧丹
孔苏苏
杨少延
刘祥林
魏鸿源
姚威振
李辉杰
陈庆庆
汪连山
王占国
机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
中国科学院大学材料与光电研究中心
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第11期1739-1747,共9页
基金
国家重点研发计划(2017YFB0404201)
国家自然科学基金(61774147,61874108)资助项目。
文摘
氮化铝(AlN)是一种重要的超宽禁带半导体材料。本文研究了采用氢化物气相外延(HVPE)方法生长氮化铝的表面形貌演化和生长机理。AlN的制备过程是氮化处理后以700~1100℃的不同温度生长,得到四组不同温度下的表面形貌。结果表明,生长温度对AlN的生长形貌和生长模式具有重要的影响。AlN的生长形貌体现在纳米尺度和微米尺度的形貌差异,该结果归因于受生长温度主导的Al原子的表面迁移能力和位错演化。另外,在900℃生长温度下得到具有倒金字塔结构的V坑形貌。V坑面为{10-11}半极性面,并遵循三维(3D)生长模式。这种具有半极性面微观形貌的AlN可作为模板进行半极性紫外LED器件结构或其他Ⅲ族氮化物外延生长,在光电子器件和电子器件研制方面具有广阔的应用前景。
关键词
超宽禁带半导体材料
氮化铝
氢化物气相外延
生长温度
表面形貌
Keywords
ultra-wide bandgap semiconductor
aluminum nitride
hydride vapor phase epitaxy
growth temperature
surface morphology
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
公交站台区域电动自行车与行人通行冲突演化博弈模型
被引量:
4
6
作者
周旦
姚威振
顾国斌
胡清玮
机构
桂林电子科技大学建筑与交通工程学院
出处
《交通信息与安全》
CSCD
北大核心
2021年第5期27-35,共9页
基金
国家自然科学基金项目(71861005、61803113)资助。
文摘
为探究公交站台区域进出站台行人与电动自行车发生冲突时,双方的通行策略选择机制,建立行人与电动自行车通行时间延误模型,分析2类出行者选择是否通行或穿越策略的时间收益,利用复制动态方程刻画2类出行者通行策略的博弈学习行为,建立该区域2类出行者之间的冲突演化博弈模型,结合稳定性分析可以得到该区域2类出行者发生冲突时的稳定通行选择策略。利用桂林市6个公交站台区域的实测数据对演化博弈模型进行实证分析,结果表明:选择“通行”策略的行人群体比例越大,其过街安全感越高;发生冲突时,电动自行车做出决策的时间较行人更短,且2类出行者分别做出“通行”或“穿越”的决策时间短于做出“等待”或“减速”的决策时间,电动自行车平均用时减少约23%,行人平均用时减少约24%。
关键词
交通安全
电动自行车
行人
交通行为
演化博弈
交通冲突
Keywords
traffic safety
electric bicycle
pedestrians
traffic behaviors
evolutionary game
traffic conflicts
分类号
U491.265 [交通运输工程—交通运输规划与管理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种垂直递变流速氢化物气相外延(HVPE)反应腔流场分析及大尺寸材料生长
李成明
苏宁
李琳
姚威振
杨少延
《真空》
CAS
2021
1
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职称材料
2
不确定型层次分析法在钢闸门评价中的运用
郝伯瑾
刘忠
姚威振
《南水北调与水利科技》
CSCD
北大核心
2017
0
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职称材料
3
磁控溅射ZrN薄膜的生长机理及光学性能
高洁
姚威振
杨少延
魏洁
李成明
魏鸿源
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2021
2
下载PDF
职称材料
4
衬底温度对磁控溅射ZrN薄膜结构和物理性能的影响
高洁
姚威振
杨少延
魏洁
李成明
魏鸿源
《功能材料》
CAS
CSCD
北大核心
2021
2
下载PDF
职称材料
5
温度对氮化铝表面形貌的调控及演化机理
牛慧丹
孔苏苏
杨少延
刘祥林
魏鸿源
姚威振
李辉杰
陈庆庆
汪连山
王占国
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
1
下载PDF
职称材料
6
公交站台区域电动自行车与行人通行冲突演化博弈模型
周旦
姚威振
顾国斌
胡清玮
《交通信息与安全》
CSCD
北大核心
2021
4
下载PDF
职称材料
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